p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性

随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型InGaN/GaN超晶格来提高有源层中的载流子注入效率.为了对比N面GaN基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED.通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面GaN基LED具有潜在的应用前景.     

超长距、超大容量DWDM系统解决方案探讨

对上海贝尔阿尔卡特推出的超长距离、超大容量DWDM系统解决方案——1626LM系统设备的特点，从技术方面和系统角度作了较详细的分析。     

N+P photodetector characterization using the quasi-steady state photoconductance decay method

When a material is irradiated, it becomes more electrically conductive due to the absorption of the electromagnetic radiation. As a result, the number of free electrons and holes changes and raises its electrical conductivity. A simple but interesting phenomenon to characterise a fabricated n⁺p photodetector in order to determine its linearity (photoresponse) and photoconductance was employed. Using the transient decay when the irradiation source is switched off, the minority carrier concentration, effective lifetime and surface recombination velocity present at the surface of the detector were measured.     

PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度

在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。     

LLN中基于能量均衡的高效低时延路由算法

针对有损低功耗网络(Low-power and Lossy Network,LLN)中由于无线链路的有损特性以及节点部署不均匀无法有效实现网络能量均衡,提出一种基于能量均衡的高效低时延路由算法(Efficient Low Latency Routing Algorithm Based on Energy Balance in Low-Power and Lossy Networks,ELLEB-RPL)。该算法采用“ELLEB组网”策略,使得节点能够有效避免在DODAG(Destination Oriented Directed Acyclic Graph)间来回切换;通过采用“最优父节点选择”策略,使得节点选择的父节点达到最优;通过采用“流量自适应分配”策略,达到网络能量均衡的目的。仿真结果表明,ELLEB-RPL在Sink节点平均吞吐量、网络平均寿命以及端到端时延上均有提升。     

双基区大功率快恢复二极管的研究

提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。     

TD-LTE-Advanced新技术研究及终端设计和测试挑战

TD—LTE—Advanced作为TD—LTE的增强版本,在TD-LTE基础上引入了一系列新技术特性,如载波聚合,增强型MIMO,中继等。本文介绍了这些技术的物理层、协议栈、高层关键过程及相应的增强内容．分析了技术增强所带来的终端设计和测试上的挑战。     

掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质

碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11 ～ 300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg,TeHg留在材料中使迁移率减小.     

掺杂位置对基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器的消光比的影响

在基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器中,载流子吸收会极大的影响器件的消光比。并且,不同的掺杂位置会引起注入的载流子的分布不一样,从而导致不同的消光比。从实验上研究了这一现象,实验中的器件采用0.18 μm CMOS工艺制作在SOI材料上。实验表明,掺杂位置离脊波导的边沿0.5 μm左右时,器件会获得最佳的消光比。     

一种QPSK载波恢复环防错锁优化方法

针对QPSK信号的相干解调器中存在载波捕获错锁的实际工程问题,研究了目前常用的防错锁方法;在此基础上,提出了一种改进的中频信号数字频域处理方法,通过设计合适的等效滤波器,并对数字锁相环载波频率增加限制条件,有效地降低了载波捕获时发生错锁的概率。仿真试验结果和实际工程系统均验证了该防错锁优化方法的可行性。