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21.
采用MC6805系列单片机并充分利用其定时器,选择测频法或测周法,可以实现定范围、高精度频率测量。此种方法只占用1个内部定时器,节省了硬件开销。 相似文献
22.
王锡清 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(3):15-19
概述了开关稳压电源用铝电解电容器的工作状态和失效模式,着重讨论了开关稳压电源用铝电解电容器的开路失效和击穿失效机理。 相似文献
23.
BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
24.
25.
本文从理论上分析了在不同功率因数下不同供电距离的能耗对比及近年来进行无功补偿的情况,从而说明了无功补偿对远距离供电节能降耗的重要意义。 相似文献
26.
27.
本文介绍了磁电机点火系统的点火提前角测量原理。对点火系统的点火信号和触发信号进行采集、调理,再用单片机进行处理,最后用LabVIEW进行点火提前角数据存储和显示。 相似文献
28.
提出了一种考虑分布电容的故障测距新算法。该算法基于微分方程描述的线路数学模型,利用单端信息对高压输电线路进行故障测距,保留了解微分方程算法的简单可靠、现实可行、不必考虑衰减直流分量和谐波及电网频率波动影响的特点,同时考虑过渡电阻和分布电容的影响,克服了传统解微分方程法中在经高阻接地故障时测距误差过大和忽略分布电容引起的故障定位不准确的缺点。为了检验算法的精度,进行了大量的动模实验。结果表明,算法原理正确并具有较高的测距精度。 相似文献
29.
30.
The fabrication process of a low-temperature poly-Si thin-film transistor (TFT) with a storage capacitor was studied. The atmospheric-pressure chemical-vapour deposited SiO2 protected the buried indium tin oxide (ITO) from reduction by a pure H2 plasma treatment that was essential for the effective improvement of the poly-Si TFT characteristics. Thus, a storage capacitor with an ITO (picture electrode)-SiO2-ITO (buried common electrode) structure was successfully fabricated. The poly-Si TFT with a channel width/length W/L ratio of 5 drove a 3 pF storage capacitor in 2 μs, and it showed superior driverability for LCD use. The TFT also had good hold characteristics under illumination for the realization of grey-scale representation. 相似文献