首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5201篇
  免费   597篇
  国内免费   536篇
电工技术   687篇
综合类   508篇
化学工业   208篇
金属工艺   270篇
机械仪表   326篇
建筑科学   152篇
矿业工程   103篇
能源动力   132篇
轻工业   32篇
水利工程   1066篇
石油天然气   34篇
武器工业   43篇
无线电   1705篇
一般工业技术   274篇
冶金工业   87篇
原子能技术   34篇
自动化技术   673篇
  2024年   17篇
  2023年   72篇
  2022年   118篇
  2021年   124篇
  2020年   151篇
  2019年   130篇
  2018年   100篇
  2017年   198篇
  2016年   210篇
  2015年   243篇
  2014年   377篇
  2013年   350篇
  2012年   423篇
  2011年   478篇
  2010年   333篇
  2009年   362篇
  2008年   336篇
  2007年   403篇
  2006年   337篇
  2005年   265篇
  2004年   226篇
  2003年   210篇
  2002年   180篇
  2001年   155篇
  2000年   119篇
  1999年   85篇
  1998年   83篇
  1997年   54篇
  1996年   54篇
  1995年   37篇
  1994年   26篇
  1993年   16篇
  1992年   18篇
  1991年   6篇
  1990年   8篇
  1989年   7篇
  1988年   6篇
  1987年   9篇
  1986年   1篇
  1985年   2篇
  1984年   4篇
  1977年   1篇
排序方式: 共有6334条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
Nonvolatile field‐effect transistor (FET) memories containing transition metal dichalcogenide (TMD) nanosheets have been recently developed with great interest by utilizing some of the intriguing photoelectronic properties of TMDs. The TMD nanosheets are, however, employed as semiconducting channels in most of the memories, and only a few works address their function as floating gates. Here, a floating‐gate organic‐FET memory with an all‐in‐one floating‐gate/tunneling layer of the solution‐processed TMD nanosheets is demonstrated. Molybdenum disulfide (MoS2) is efficiently liquid‐exfoliated by amine‐terminated polystyrene with a controlled amount of MoS2 nanosheets in an all‐in‐one floating‐gate/tunneling layer, allowing for systematic investigation of concentration‐dependent charge‐trapping and detrapping properties of MoS2 nanosheets. At an optimized condition, the nonvolatile memory exhibits memory performances with an ON/OFF ratio greater than 104, a program/erase endurance cycle over 400 times, and data retention longer than 7 × 103 s. All‐in‐one floating‐gate/tunneling layers containing molybdenum diselenide and tungsten disulfide are also developed. Furthermore, a mechanically‐flexible TMD memory on a plastic substrate shows a performance comparable with that on a hard substrate, and the memory properties are rarely altered after outer‐bending events over 500 times at the bending radius of 4.0 mm.  相似文献   
122.
梁存利 《计算机工程》2010,36(15):182-184
为解决机场航班对登机门有约束的分配问题,提出一种遗传算法与模拟退火算法相结合的混合算法。设计一种编码方法,采用一个向量作为一种登机门分配方案,向量的元素位置表示飞机,元素表示分配给该航班的登机门,同时设计了与编码相应的不需再修正的杂交和变异算子。为了增加算法的局部搜索能力,且尽量不增加计算的复杂度,将模拟退火算法和遗传算法并行作用于相应的子群,并探讨该算法的收敛性。模拟实验结果表明,该算法在计算结果与稳定性方面均优于其他算法。  相似文献   
123.
针对多频连续波雷达航迹起始问题,提出一种引入径向速度量测的航迹起始新方法.首先从理论上分析航迹起始波门的设计方法;然后详细阐述了引入径向速度量测后的航迹起始算法;最后通过Monte Carlo仿真验证了该算法的有效性,并结合多频连续波体制雷达的测距特点,分固定测距误差与变测距误差两种情况比较了不同波门设计对多频连续波雷达航迹起始效果的影响.  相似文献   
124.
介绍了用于土壤参数测量的时域反射仪硬件系统的设计与实现方案,并研制出样机TDR-I。该样机使用DSP做主控板,利用阶跃恢复二极管(SRD)产生140ps上升沿的快沿发射脉冲,采用快慢斜波比较法获得等效采样步进精度为8.7ps的取样脉冲。经过实验数据获取验证,该系统测量效果良好。  相似文献   
125.
Abstract— The effects of lithium (Li) doping concentration and gate dielectrics on the performance of solution‐processed zinc‐oxide (ZnO) thin‐film transistors (TFTs) has been investigated. ZnO films with strong c‐axis orientation and lower background conductivity was obtained with 15 at.% of Li. Different crystallization behavior of ZnO was observed in the case of various dielectric surfaces. The 15‐at.% Li‐doped ZnO films (thickness ~20 nm) prepared on SiO2 and SiNx were found to be present in crystalline form, whereas the film prepared on aluminum titanium oxide (ATO) was found to be amorphous. A field‐effect mobility of 1.81 cm2/V‐sec and an Ion/Ioff ratio of 2 × 106 were obtained for the 15‐at.% Li‐doped ZnO TFTs with a bilayer gate dielectric of SiO2 and SiNx. The comparison of dielectric studies showed that the performance of TFTs prepared on SiNx and ATO are higher than that of the TFTs prepared on SiO2.  相似文献   
126.
高速脉冲信号源是数据采集系统的重要组成部分,常用于系统的自检与测试中.根据实际要求,提出了高速运放调理和高速电子开关两种方案.分别对高速运放、信号幅值调理、驱动电路和高速电子开关的选择进行了研究,给出了具体的硬件电路设计.并结合相关理论,分析了信号在传输过程中出现的反射现象,提出了符合要求的解决方案.此高速脉冲信号源已成功应用于某采集设备的自检和测试中,效果良好.  相似文献   
127.
为了精确操控微流体,设计并制作了一种基于静电力的微液滴驱动芯片.介绍了驱动原理和工艺流程,搭建了驱动检测实验平台.芯片采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,以硅作衬底,氧化硅和多晶硅作绝缘层,重掺杂多晶硅为驱动电极阵列,高质量Si3N4作介质层,碳氟聚合物为疏水层.实验表明:微液滴可在芯片上按程序设定方式在二维平面...  相似文献   
128.
提出了一种基于时间/数字转换器( TDC)的频率差测量方法.该方法使用延迟链和参考时钟结合的TDC直接数字量化频率差.测量系统与非线性标定模块均在现场可编程门阵列( FPGA)中实现.为了对频率差检测精度进行评估,使用振荡器作为仿真输入信号进行了实验.结果显示:所提出的测量方法对ΔF/F的测量噪声可以达到1 ×10-8/ 槡Hz.在实验结果的基础上,对测量噪声的来源进行了分析.  相似文献   
129.
李宜珂  王旃 《计算机科学》2017,44(Z11):476-479, 509
针对软件霍夫曼静态编码计算量大,而动态霍夫曼编码使得解码器同样复杂的缺点,提出了一种准动态霍夫曼硬件编码器。该编码器每次对一组数据序列进行静态编码,然后将编码并行输出,从而使得编码器具有较高的编码速度,而其延迟时间仅为一次编码过程的总时间。首先,为了充分利用硬件并行特性,分别使用动态排序和静态排序两种排序网络,以适应不同场合的编码需要。然后,使用数据流驱动的硬件二叉树构建和解析结构得到信源符号对应的霍夫曼编码。最后,将储存在FIFO中的输入数据查表并输出。设计结果表明,当使用Nexys4 DDR平台时,该编码器可以工作于100MHz以上的频率,同时具有吞吐高、延迟低、编码效率高和译码器简单的特性。  相似文献   
130.
朱皖宁  刘志昊 《计算机科学》2017,44(Z6):546-550
提出了一种基于卡诺图的可逆逻辑综合算法,该算法可以快速地求解带垃圾位的可逆逻辑综合问题。大量特定的可逆逻辑门都不可避免地带有一定的垃圾位, 如果使用真值表、置换群等经典可逆逻辑综合算法求解这些带垃圾位的可逆逻辑门,则因无法获得全局状态而很难得到结果。根据卡诺图的特点,将可逆逻辑问题分解为多个变量分别求解,无需关心全局状态。提出的卡诺图可逆逻辑综合算法 根据在卡诺图上的邻接性将3变量可逆逻辑问题划分为5个等价类;对每个等价类分别进行计算,在常数时间内解决了带垃圾位的可逆逻辑综合问题。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号