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101.
P. G. Muzykov Y. I. Khlebnikov S. V. Regula Y. Gao T. S. Sudarshan 《Journal of Electronic Materials》2003,32(6):505-510
To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement
techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable
graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique,
and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values
of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable
graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe
method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer
was also obtained and reported in this work. 相似文献
102.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
103.
104.
砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。 相似文献
105.
Salvatore Lombardo Salvatore Ugo Campisano 《Materials Science and Engineering: R: Reports》1996,17(8):739-336
We have investigated the relationship between microstructure and electrical conductivity in semi-insulating polycrystalline silicon (SIPOS) with oxygen concentrations in the 2–35 at.% range and the effect of doping with boron, phosphorus, arsenic and erbium by ion implantation. SIPOS thin films are mixtures of silicon and silicon oxide phases. The chemical and morphological evolution of these phases upon annealing is emphasized. Electrical conductivity measurements are interpreted in terms of a physical model containing few free parameters related to the material microstructure. A direct extension of this model explains also the conductivity increase in SIPOS doped with elements of the third or the fifth group. In the last part of the paper, data of electroluminescence at 1.54 μm in Er-implanted SIPOS due to intra-4f transitions of the Er3+ ion are shown and discussed. 相似文献
106.
小剂量辐射对肿瘤细胞K_(562)及肿瘤病人天然杀伤细胞(NK)活性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
已知小剂量辐射可增强机体免疫功能。从对高本底地区的调查发现,该地区居民肿瘤死亡率及某些肿瘤发病率有所降低(1)。NK细胞能直接杀伤肿瘤细胞,在肿瘤免疫中起着重要的作用。本文观察小剂量辐射对肿瘤病人和正常人外周血淋巴细胞NK活性的相对效应以及对人红白血病细胞(K(562)细胞)的影响,以期从体外买验来探索较小剂量辐射对肿瘤治疗的影响 相似文献
107.
在设计数字信号处理器时我们经常要设计高性能的乘累加运算器,文章详细分析了乘累加运算器的结构,提出了其高性能设计方案并采用标准单元进行了实现,同时提出了DCT运算单元的高性能解决方案。 相似文献
108.
109.
A mixed mode digital/analog special purpose VLSI hardware implementation of an associative memory with neural architecture is presented. The memory concept is based on a matrix architecture with binary storage elements holding the connection weights. To enhance the processing speed analog circuit techniques are applied to implement the algorithm for the association. To keep the memory density as high as possible two design strategies are considered. First, the number of transistors per storage element is kept to a minimum. In this paper a circuit technique that uses a single 6-transistor cell for weight storage and analog signal processing is proposed. Second, the device precision has been chosen to a moderate level to save area as much as possible. Since device mismatch limits the performance of analog circuits, the impact of device precision on the circuit performance is explicitly discussed. It is shown that the device precision limits the number of rows activated in parallel. Since the input vector as well as the output vector are considered to be sparsely coded it is concluded, that even for large matrices the proposed circuit technique is appropriate and ultra large scale integration with a large number of connection weights is feasible. 相似文献
110.