High speed SOI CMOS image sensor with pinned photodiode on handle wafer

We have fabricated SOI CMOS active pixel image sensor with pinned photodiode on handle wafer. The structure of one pixel is a four-transistor type active pixel image sensor, which consists of a reset and a source follower transistor on seed wafer, and is comprised of a photodiode, a transfer gate, and a floating diffusion on handle wafer. The photodiode could be optimized for better quantum efficiency and low dark currents because the process of a photodiode on handle wafer is independent of that of transistors on seed wafer. Most of the wavelengths are absorbed within the visible range, because the optimized photodiode is located on the handle wafer. The response time of SOI CMOS active pixel sensor was about 2 times faster than that of bulk CMOS active pixel image sensor.     

10Gb/s GaAs PHEMT电流模跨阻抗光接收机前置放大器

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器(TIA).测量得到放大器-3dB带宽为7.5GHz,跨阻增益为45dBΩ;输入输出电压驻波比(VSWR)均小于2;等效输入噪声电流谱密度在14.3～22pA/ Hz之间,平均值为17.2pA/ Hz.在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有14ps的定时抖动和138mV的峰峰电压.     

并联有源电力滤波器双滞环电流控制策略

提出了一种基于最优电压矢量的并联有源电力滤波器双滞环电流控制策略,用于快速控制三相有源电力滤波器的相间误差电流,同时可减少高次谐波、加快响应速度。采用滞环比较器确定参考电压矢量所在的区域,另根据误差电流矢量的越界情况及所在区域采用不同的控制策略来选择输出开关矢量,同时,引入当前开关状态信号和各相电流幅值信号,来辅助开关矢量的选择。仿真结果证明了该方法的有效性和可行性。     

A Low-Loss Built-In Current Sensor

This paper presents a novel built-in current sensor that uses two additional power supply voltages besides the system power supply voltage, and that is constructed by using a current mirror circuit to pick up an abnormal IDDQ. It is activated only by an abnormal quiescent power supply current and minimizes the voltage drop at the terminal of the circuit under test. Simulation results showed that it could detect 16-A IDDQ against 0.03-V voltage drop at 3.3-V VDD and that it reduced performance degradation in the circuit under test. It is therefore suitable for testing low-voltage integrated circuits. Moreover, we verified the behavior of the sensor circuit implemented on the board by using discrete devices. Experimental results showed that the real circuit of the sensor functioned properly.     

变容二极管C-V特性的控制技术

本文针对变容二极管生产难点：C－V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C－V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C－V特性的结论,并应用于生产。     

12.5 μm碲镉汞探测器工作温度对输出电平的影响

12.5 μm碲镉汞探测器的输出电平对工作温度非常敏感,因此需要对其温度敏感度进行研究。试验中,通过调节探测器的工作温度来采集其输出电平,并对数据进行分析。结果表明,工作波长和暗电流随温度变化是导致输出电平变化的主要因素;12.5 μm碲镉汞探测器的最佳工作温度在60 K附近。该方法操作简单,无需使用复杂的操作设备。大部分红外实验室均可满足此试验要求。     

GaN高压LED在极小电流与极低温度下的光电特性

在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T~40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。     

一种可调节电流的电流型PWM直流转换器

介绍一种用于驱动发光二极管(LED)的可调节电流的电流型PWM直流转换器.该直流转换器由于接有一个外接电阻,可以通过调节外接电阻的大小来调节输出电流.输出电流调节范围在5～40mA之间.主要分析了电路的输出电流调节功能,和这种输出电流可变的电流型PWM直流转换器的电流和电压反馈环的反馈实现原理.并简要介绍了这种带电流调节功能的PWM直流转换器的工作原理,最后给出了电路在输出不同电流时使用HSPICE软件对反馈参考电压,PWM锁存器输出波形的仿真结果.     

使用交互多模型算法的高速高机动目标跟踪

对机动目标进行跟踪一直是甚具挑战性的问题,特别是跟踪高速高机动目标在理论上和实践上都有较高的技术难度。现有各种算法在这个问题上均有各自的缺点和不足。该文在现有的运动机动模型和IMM算法的基础上,提出了使用多种机动模型交互的IMM算法进行高速高机动目标跟踪。不同机动模型之间的互补使这种算法克服了使用单一模型的一些问题。使用“当前”统计模型、二级滤波模型和CV模型进行交互是一种可行的高速高机动目标跟踪方案。为验证算法的有效性,进行了Monte Carlo仿真。仿真结果表明,该算法在性能和计算复杂度之间取得了较好的平衡,有很好的可实现性。     

谐波电流发射超标的分析和改进

分析谐波电流发射测试失败原由,探讨谐波电流发射抑制措施;指出在 AC 输入回路和整流桥之间加滤波器难以使谐波电流发射值降低到标准规定限值以内。可通过在源头将产生谐波的关键零部件隔离、采用功率因素校正和在源头对波形失真进行补偿等措施使谐波电流控制在标准限值以内。