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应用统计控制图法,选用平均值——标准差、平均值——极差控制图法,控制24^#坝粘土填筑干密度值及施工偶然异常波动,早期提出警报,以保证土坝的施工质量。 相似文献
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本文立足学术文化研究的现状和意义,引入生态学相关理论构建了生态型学术文化模型,并在此基础上建立了相应的评价体系,针对研究生生态型学术文化作了综合评价,从而导出其“五维一体、协调发展”的优化模式。 相似文献
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本文介绍了一个用户接口管理系统NUUIMS的设计和实现.重点叙述了该系统基于规范化目标用户接口模型的设计思想,系统组成及描述方法.文章也讨论了使用NUUIMS设计而成的用户接口的特点. 相似文献
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A feasibility analysis methodology adopted from reactive distillation is applied to membrane reactors. A model is formulated to depict the reactive liquid phase composition on the retentate side of a continuous type membrane reactor. The effects of both the chemical reaction kinetics and the membrane mass transfer kinetics on the feasible products are elucidated by means of retentate phase diagrams and bifurcation analysis. The proposed method can be applied to various membrane processes, independent of the specific structure of the membrane. Two quaternary reaction systems are considered to illustrate the methodology. In the first hypothetical system, it is shown how selective membranes can influence the sequence of effective volatilities which in turn affects the feasible products of the system. In the second example of practical importance, i.e. the heterogeneously catalysed synthesis of propyl acetate coupled with permeation through a porous polycarbonate membrane, the dusty gas model is applied to describe the component fluxes through the membrane. For the latter reaction system, the existence of reactive arheotrope is demonstrated. Arheotropes represent mass transfer controlled feasible products of membrane separation process. 相似文献
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I.H. Song 《Thin solid films》2007,515(19):7598-7602
This paper is a report on the effect of a single perpendicular grain boundary on the hot-carrier and high current stability in high performance polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Under a hot carrier stress condition (Vg = Vth + 1 V, Vd = 12 V), the poly-Si TFT with a single grain boundary is superior to the poly-Si without any grain boundary because of the smaller free carriers available for electric conduction. The shift of transconductance in poly-Si TFT with a single grain boundary is less than 5% after hot carrier stress during a period of 1000 s. The shift of transconductance is about 25% in the case of the poly-Si TFTs without a grain boundary in the channel. On high current stress, the poly-Si TFT without the grain boundary is less degraded than the poly-Si TFT with the grain boundary because the concentrated electric field near the drain junction is lower. 相似文献
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数据包络分析模型及其应用研究 总被引:1,自引:1,他引:0
郑明贵 《南方冶金学院学报》2004,25(4):62-66
通过对传统的C^2R模型进行研究并加以改进,建立了C2RHZ模型,利用有色金属矿采选业1993-2001年科技创新的相关数据进行了计算分析。说明了C^2RHZ模型的应用价值. 相似文献