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81.
采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备了Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)/Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)双层复合薄膜,并研究了该薄膜在100 kHz~6 GHz频率范围内的介电性能。研究结果表明,BZN/BST复合薄膜的介电性能具有良好的频率稳定性。该复合薄膜的介电常数在研究的频率范围内基本与频率无关;其介电损耗在频率低于1 GHz时与频率无关,在频率高于1 GHz时随频率的上升而略微增大;薄膜在研究的频率范围内具有稳定的介电调谐率。 相似文献
82.
基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,设计了一款乱序PWM控制的LED恒流驱动芯片.芯片电路使用乱序PWM技术提高LED的刷新速率,采用PWM合成技术提高LED的色彩灰度等级,利用恒流驱动技术降低LED的光衰.在电源电压为3V~5.5V、温度-40~85℃条件下,基于Cadence平台中的Spectre进行仿真验证.仿真结果表明:LED的刷新速率跟随输入的影像数据大幅度提高;PWM 合成模式实现14位LED显示灰度,点校正模式可以完成6位的色度修正;输出电流误差为±5%. 相似文献
83.
简介了测试扫屏放气性能的原理、装置、方法、数据处理过程与误差分析.应用研究表明,寿命初期(25 h内)的扫屏放气性能就能表征彩显管的真空质量,用它可判断或比较制屏工艺与材料(包括排气工艺与设备)的优劣,预估因真空因素导致失效的整管寿命水平.这种快速信息反馈方法,比"加速寿试"更能及时地反映工艺或材料变更对成品管带来的影响. 相似文献
84.
(Ta2O5)0.92(TiO2)0.08介电陶瓷的激光烧结改性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用CO2 激光对 (Ta2 O5) 0 .92 (TiO2 ) 0 .0 8陶瓷的烧结改性进行了系统研究 ,分析了改性微观机理。所制备的陶瓷试样比普通炉烧试样的介电常数值提高了约 3倍 ,平均值约为 4 5 0 ,同时具有良好的热稳定性。通过X射线衍射相结构分析 ,确定激光烧结陶瓷试样中存在H -TiTa18O47高温相 ,采用金相和扫描电镜的分析方法 ,首次获得了陶瓷试样的 3D显微结构信息 ,激光烧结试样具有与普通炉烧试样明显不同的显微结构特征。相结构及显微结构的差异应是激光烧结试样介电性能改善的主要原因。 相似文献
85.
本文回顾了PCB制造常用的环氧树脂及其增强材料的性能和用途。同时,还介绍了代用树脂材料和代用增强材料的最新进展,如改性环氧树脂、无卤树脂、Thermount、PTFE、氰酸酯等,并就其性能进行了探讨。 相似文献
86.
简要叙述了高精度位置环系统的组成方法,详细阐述了光电编码器在位置环中的应用原理和速度修正方法。概述了单片机及串行D/A的应用。 相似文献
87.
介质纤维束波导是一种圆柱介质波导阵列.根据已建立的二维周期介质理论,对矩形排列的圆柱介质波导阵列进行了数值计算和分析,得出了电磁波在圆柱介质波导阵列中传播的一些特征,并且和矩形介质波导阵列电磁波传播特性作比较,结果较为满意。 相似文献
88.
Grain growth during sintering of the polycrystalline high onset temperature superconductor YBa2Cu3O7−x has been examined by measuring grain sizes at various temperatures for different times above 900°C. The grain size distribution
is found to be predominately lognormal after some sintering time. The mean grain size increases with both temperature and
time. The standard deviation of the grain size distribution increases with temperature, but appears to be independent of time.
The grain growth law may have an exponent of five. The grain growth rate may be affected by the grain size of the calcined
powder. 相似文献
89.
90.
假设老化是从亚稳态到稳态的变化,利用反应动力学理论对Sol-Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件的老化特性进行了研究,推导出老化公式△R/Ro=Σri[1-exp(-t/τi)]其中:τi=τoiexp(Ei/kT))。结果表明理论与实验能很好地一致,对于本文所研究的热敏元件,符合公式AR/Ro=r1[1-exp(-t/τ1)]+r2[1-exp(-t/τ2)],该式中:,r1=11.767×10-3;r2=20.6735×10-3;τ1=6.4578×10-3exp(6190.89/T);τ2=1.0461×10-6exp(8ll6.24/T)。 相似文献