用于液体粒子计数的PIN光检测传感器的设计

设计了用于液体粒子计数的PIN光检测传感器,介绍了光散射式粒子传感器的工作原理及其光学检测系统构成,并且对其放大电路的原理做了具体的分析。理论和实践证明:这种新型光检测传感器具有信噪比高、体积小、灵敏度高、测量准确,抗干扰能力强、能耗低等特点,可识别的粒径范围为0.1～10μm,尤其适用对液体中微粒光散射信号的有效检出与在线监测。     

SDM2000半导体个人剂量仪探测器实验及测量电路研制

介绍了SDM2000个人剂量仪探测器实验及其测量电路的研制。从探测器的物理特性、工作电压、工艺等方面,对PIN光敏二极管和化合物半导体探测器进行了对比,得出了PIN光敏二极管的特点适合于个人剂量仪的结论,并进一步对PIN光敏二极管测量电路各部分包括电荷灵敏放大器、两级主放大器、脉冲幅度甄别器及DC DC电源电路的电路设计原理、使用的集成运算放大器、电路板工艺设计、主要性能指标等方面分别做了较为详细的阐述。结合SDM2000个人剂量仪使用的PIN光敏二极管探测器和其实用测量电路,通过测量和实验,给出了SDM2000个人剂量仪主要物理特性和主要性能指标。     

超高效液相色谱-二极管阵列检测法测定油基类保健食品中的维生素K2的含量

建立了超高效液相色谱-二极管阵列检测法(UPLC-PDA)测定油基类保健食品中维生素K 2(七烯甲萘醌)含量的方法。试验显示维生素K 2对紫外光、强碱条件敏感。样品经脂肪酶酶解后,皂化、萃取、复溶,C 18色谱柱(100×2.1 mm,1.7μm)分离,甲醇为流动相,流速为0.3 mL/min,254 nm检测。本法在1.0~20.0 mg/L线性关系良好,R 2=0.9999。当取样量为1 g,定容至10 mL时,方法LOD为1μg/g,LOQ为3μg/g,RSD为1.2%,加标回收率为98.7%~102.2%。该法准确、高效,对各类保健食品具有良好的普适性。     

基于Pspice的光伏组件热斑现象仿真

利用Psp ice电路仿真软件的编程功能以及单体光伏电池的等效电路对单体光伏电池、光伏组件进行建模和仿真,得出在不同遮挡率下单体光伏电池以及含有一个被遮挡单体光伏电池的光伏组件的伏安特性曲线.在此基础上进一步得到被遮挡单体光伏电池电压随光伏组件工作电压的变化曲线.利用仿真结果分析产生热斑现象的原理,分别提出实际使用中一个光伏组件发电系统和两个串联光伏组件发电系统热斑现象发生的可能性和条件,同时,给出光伏组件中一个旁路二极管并联单体光伏电池个数的最优数目.     

基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究

以中国第Ⅱ号快中子脉冲反应堆(CFBR-Ⅱ)为试验平台,采用高功率稳定和多注量点拟合的试验方法测定了典型硅整流二极管的中子辐照实验损伤常数,验证了硅整流二极管的中子辐射损伤规律。试验结果表明:以正向压降为观测效应参数的硅整流二极管对于CFBR-Ⅱ堆泄漏中子能谱的试验损伤常数在3~4×10-15 V.cm2范围,硅整流二极管正向压降随中子注量的变化近似遵从指数增长规律。     

基于波形特征的地铁牵引整流器二极管开路故障诊断方法

针对地铁牵引整流器内部二极管故障率高且诊断困难的问题,提出基于输入电流和输出电压的波形特征进行二极管开路故障诊断的方法。基于地铁牵引整流器的电路拓扑结构,分析了发生二极管开路故障前后整流器输出电压与输入电流波形的变化规律;在此基础上首先利用输出电压的波形特征检测整流器的二极管开路故障并确定疑似故障时间,然后仅利用各整流桥的一相输入电流确定故障二极管所在的整流桥并识别具体的故障位置。基于MATLAB/Simulink平台的仿真验证结果表明,所提地铁牵引整流器故障诊断方法不受故障位置、故障时间、系统运行负载等因素的影响,具有良好的可靠性与适应性。     

LED点阵显示屏的矩阵模型特性研究

LED点阵显示屏是利用发光二极管点阵模块和像素单元组成的平面式显示屏。以单片机为核心控制器、以基本单元模块8×8点阵为主要分析对象,阐述了LED显示屏点阵结构的矩阵分布特征、显示扫描时元素点取值的矩阵特性以及点阵大小不同的显示屏在扩展中呈现的矩阵规律性。结果表明：在显示控制技术和产品设计方面应以矩阵模型特性为主来有效控制电子领域广泛使用的LED点阵显示屏。     

Tunable SnSe2/WSe2 Heterostructure Tunneling Field Effect Transistor

The burgeoning 2D semiconductors can maintain excellent device electrostatics with an ultranarrow channel length and can realize tunneling by electrostatic gating to avoid deprivation of band‐edge sharpness resulting from chemical doping, which make them perfect candidates for tunneling field effect transistors. Here this study presents SnSe₂/WSe₂ van der Waals heterostructures with SnSe₂ as the p‐layer and WSe₂ as the n‐layer. The energy band alignment changes from a staggered gap band offset (type‐II) to a broken gap (type‐III) when changing the negative back‐gate voltage to positive, resulting in the device operating as a rectifier diode (rectification ratio ~10⁴) or an n‐type tunneling field effect transistor, respectively. A steep average subthreshold swing of 80 mV dec^?1 for exceeding two decades of drain current with a minimum of 37 mV dec^?1 at room temperature is observed, and an evident trend toward negative differential resistance is also accomplished for the tunneling field effect transistor due to the high gate efficiency of 0.36 for single gate devices. The I _ON/I _OFF ratio of the transfer characteristics is >10⁶, accompanying a high ON current >10^?5 A. This work presents original phenomena of multilayer 2D van der Waals heterostructures which can be applied to low‐power consumption devices.     

聚合物主体材料在磷光有机电致发光器件中的研究进展

综述了近几年用于磷光有机电致发光器件的聚合物主体材料的研究进展,着重介绍了聚咔唑类主体材料、聚芴类主体材料、聚苯乙烯类主体材料和聚间苯基类主体材料的结构单元的设计与修饰以及磷光器件性能的研究进展。同时,还展望了磷光聚合物主体材料的发展前景,提出了今后磷光聚合物主体材料的发展方向。     

热处理对MIM薄膜二极管Ta2O5绝缘膜微结构及其I-U特性的影响

制备了一种用于有源矩阵液晶显示、具有对称结构的MIM薄膜二极管 ,其中Ta2 O5膜采用溅射 /阳极氧化两步法工艺制成。对绝缘膜进行真空热处理 (一步热处理 )和经真空热处理后再进行大气热处理 (真空 /大气两步热处理 )。用原子力显微镜和透射电子显微镜分析了Ta2 O5膜的微结构 ,测试了MIM薄膜二极管的I U特性曲线。讨论了热处理对Ta2 O5绝缘膜微结构和MIM薄膜二极管I U特性的影响 ,并指出了MIM薄膜二极管I U特性和绝缘膜微结构之间的关系