LDA抽运Nd:YLF再生放大器的实验研究

研制了一台激光二极管列阵(LDA)抽运的Nd:YLF再生放大器。再生放大器工作波长1053 nm，重复频率1 Hz，输出4 ns宽基横模TEM00激光脉冲的能量为2 mJ。总放大倍数达到了1×10 7，输出能量稳定性优于±4.7%(峰值)。给出了再生放大器的实验装置和有关实验结果。     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

超辐射发光二极管的结构特性及其应用

近几年来,由于超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面的重要应用,已引起了人们的极大关注,许多国家都在竞相研制和开发.本文综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景.     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

电子辐照加速器大功率工频高压电源

文章介绍目前两种用于烟气脱硫加速器的不同形式直流高压电源，分析了它们各自的特点。针对它们存在的不足之处，提出了一种全新的倍压型桥式整流线路，并对此线路进行了理论推导和计算机模拟仿真。     

二极管端泵浦连续激光器激活介质长度与透过率的优化

从准三能级系统的速率方程出发,推导出了二极管(LD)端泵浦连续工作端面泵浦固体激光器的速率方程,提出了计算连续LD端面泵浦激光器输出功率的方法,并表示成激活介质长度和透过率的函数,由此得到在泵浦功率一定情况时的优化设计步骤。数值计算结果与我们的实验结果和文献[3],[4]的实验数据符合甚好。     

10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。     

用于泵浦固体激光器的激光二极管线阵的输出特性

从实验上测量了激光二极管线阵的输出特性,研究了温度、电流对输出功率、光谱特性,以及偏振特性的影响,为设计全固态激光器提供有益的参考。     

红外半导体激光光镊的实验研究

激光光镊技术是一项在许多科学领域有广阔应用前景的技术。本文详细给出构建一台红外半导体激光光镊的设计思想及实例。由于采用了独特的对大功率多模红外激光选模整形和双透镜陷阱操纵技术等性能价格最优化选择 ,该系统易于构建 ,陷阱操作方便 ,其构建价格仅一般光镊的几十分之一 ,非常适合光镊技术的推广和一般实验室构建