利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究

为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN₃作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO₃（2 nm）/NPB（50 nm）/Alq₃（30 nm）/Bphen（15 nm）/Bphen：CsN₃（15 nm,x%,x=10,15,20）/Al（100 nm）的器件。实验结果表明,CsN₃是一种有效的n型掺杂剂,以掺杂层Bphen：CsN₃ 作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率。在掺杂浓度为10%时器件的性能最优,开启电压仅为2.3 V,在7.2 V的驱动电压下,达到最大亮度29 060 cd/m²,是非掺杂器件的2.5倍以上。当驱动电压为6.6 V时,达到最大电流效率3.27 cd/A。而当掺杂浓度进一步提高时,由于Cs扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

固体铝电解电容器用导电高分子制备工艺进展

依据近年的相关专利,综述了用于固体铝电解电容器的导电高分子的最新制备工艺,介绍了导电高分子固体铝电解电容器的结构,详细描述了制备导电高分子的两种主要方法——化学聚合和电化学聚合——及其进展历程。介绍了新颖掺杂剂的发现与使用,对各种工艺的特点进行了评述。     

掺杂剂含量对钽粉性能的影响

分析了掺杂剂对电容器级钽粉性能的影响,重点分析了不同掺杂剂含量下钽粉的物理性能、化学成分及电性能的变化。研究表明,在相同的工艺条件下,随着掺杂剂含量的增加,钽粉的氧含量有增加趋势,钽粉的松装密度、费氏粒径呈降低趋势,-0.043 mm细粉含量有所增加,漏电流、容量及收缩率呈上升趋势、击穿电压呈下降趋势。     

热封设备夹杂物检测系统设计

针对夹杂物影响塑料热封质量问题,设计一种基于红外检测技术的夹杂物检测系统。该系统可以检测热封面是否平整、是否存在褶皱,也可以检测多层塑料之间的夹杂物;该系统适用于基于PLC、单片机、工业用微机控制的高端热封设备,也适用于基于逻辑电路控制的低端热封设备。     

About the role of boundary conditions on compositional imaging with a scanning electron microscope

We consider the effects of different boundaries on the visibility of a specimen detail providing a compositional contrast in scanning electron microscopy, operating with backscattered electrons or secondary electrons. An object characterized by a gradual variation in composition, an As-doped region in Si, is investigated. The different boundaries in the cross-sectioned specimen correspond to the absence or presence of a poly-Si layer on top of the implanted region, deposited after the annealing treatment. It is shown that the interpretation model used for image formation is of paramount relevance for understanding the experimental results, indicating that the boundaries of the doped region are important in hindering or enhancing its visibility. The relevance of experimental parameters such as electron energy and probe dimension is also reported.     

表面引发剂对熔融铝合金直接氧化生长的影响

为了控制熔融铝合金直接氧化法制备Al2O3/Al复合材料的氧化生长,采用ZnO,SiO2和MgO3种表面引发剂,研究它们对Al-Si-Zn合金氧化生长过程及Al2O3/Al复合材料组织形貌的影响.结果表明:与未使用引发剂时相比,使用SiO2,ZnO或MgO表面引发剂制备的粉末都能显著地缩短Al-Si-Zn合金的氧化生长孕育期,提高合金氧化生长速率,改善复合材料的胞状生长方式,提高复合材料的组织均匀度和致密度,为实际生产应用提供了依据.实验发现:ZnO表面引发剂的使用效果最为突出,其最佳添加量为12mg/cm2.     

Preparation of porous spherical α-Ni(OH)2 and enhancement of high-temperature electrochemical performances through yttrium addition

Through homogeneous precipitation method, uniform spherical α-Ni(OH)₂ particles were obtained at appreciate aging time in urea solution without any help of templates or dispersants. From SEM images, aging time exhibited great effects on the morphology of as-synthesized α-Ni(OH)₂. Also, long aging time helped to improve the electrochemical performances of α-Ni(OH)₂. It was found that the proper aging time was 12 h. However, α-Ni(OH)₂ showed low charge/discharge capacities at high temperatures. Therefore, yttrium was added to improve the high-temperature electrochemical performances of α-Ni(OH)₂. The influences of doping ratios of Y on the morphologic and high-temperature electrochemical characteristics were investigated through XRD, SEM, TEM, constant current charge/discharge, and cyclic voltammetric measurements. The α-Ni(OH)₂ samples with the addition of about 5.8 mol% Y showed a discharge capacity of 250 mAh/g at 0.2 C rate and 60 °C, much higher than that of α-Ni(OH)₂ without Y dopants (157 mAh/g).     

AlF3添加剂和焙烧温度对铝电解炭阳极过电位的影响

在实验室制备各类AlF3掺杂试验阳极，在测试其基本物理化学性能的基础上，采用“改进断电流法”进行阳极过电位测试，研究AlF3添加剂和阳极焙烧温度对阳极过电位的影响。结果表明：在一定条件下，阳极中添加AlF3既可降低阳极的空气／CO2反应活性，也可降低阳极过电位；受高温脱S等因素的影响，阳极的电化学活性及其空气／CO2反应活性并未随着焙烧温度的提高相应降低。