电化学电容器充放电循环的微机测试系统

为了更好地评价电化学电容器的充放电循环寿命性能,采用恒定负载法进行充放电试验。测试系统硬件由微机和数据采集卡以及取样控制电路组成,应用软件的开发工具采用VB6.0,在Windows 2000操作系统下运行。系统除了能自动完成电容器充放电循环寿命试验外,还具有实时显示电容器充放电电流变化曲线,并将每个充放电循环周期的电流数据以文件的形式自动保存下来等功能。     

电化学还原法制备氧化铅纳米棒

用电化学还原法制备出氧化铅纳米棒，用SEM、TEM、EDS和XRD研究其微观形貌和晶体结构。实验过程中发现电流密度是影响氧化铅纳米棒生成质量的主要因素。研究结果表明，用电化学还原法制备氧化铅纳米棒的最佳电流密度是30mA/cm^2，所制备的氧化铅纳米棒是单晶结构。     

一种计算氢扩散系数的新方法

利用电化学氢渗透曲线来计算室温附近氢在金属中的扩散系数是一种广为应用的方法。从理论上讲,在氢渗透曲线上的任何一点上都可以计算出氢在金属晶格中的扩散系数。但是从实际获得的氢渗透曲线各点算得的氢扩散系数并不一致。这是因为在金属中,一般都不可避免地存在一些氢的陷阱,如位错、晶界、杂质原子等,它们会不同程度地阻碍氢在金属晶格中的扩散过程。而理论推导本身并没有考虑到氢陷阱存在的影响,因此实际得     

镍硫化物阳极溶解的电化学研究

研究了合成镍硫化物的阳极过程。Ni_3S_2,Ni_7S_6和NiS的活性溶解伴随着生成表面产物层,其反应机理与电极电位有关。根据三种不同类型产物层生成规律的电化学研究,Ni溶出表观电子数的测定,以及产物层相组成分析和相的元素分析,认为存在三组平行反应:直接生成HSO_4~-或SO_(4-)~2的反应,生成中间硫化物的反应及生成元素硫的反应,每组反应具有不同的优势发展电位区。NiS_2阳极溶解时,基本上为生成HSO_(4-)或SO_(4-)~2的反应。     

可溶性聚吡咯甲烯衍生物的光电性能研究

在酸性条件下制备可溶性聚{(3-丙酰基)吡咯-[2,5-二(对硝基苯甲烯)]}(PPPDNBE),并且对PPPDNBE的热稳定性能、光物理性能和电化学性能进行研究.热失重曲线显示,PPPDNBE的初始分解温度为187.41℃.紫外-可见吸收光谱表明,PPPDNBE溶液和薄膜的共轭吸收峰分别位于476 nm和484 nm.PPPDNBE为橙色发光材料,最大发射波长为612 nm.PPPDNBE的光学带隙和电化学带隙分别为1.68 eV和1.62 ev.此外,PPPDNBE还可以用作电容器的阴极材料,随着电压扫描速率增加,储存的电量逐渐增大.     

扫描隧道显微镜钨针尖的制备与表征

采用直流电化学刻蚀方法制备扫描隧道显微镜钨针尖,研究了电化学刻蚀过程中NaOH溶液浓度、钨丝浸入长度和刻蚀电压对针尖形貌的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)测量针尖曲率半径和针尖纵横比值,以表征针尖的尺寸和形状;通过能谱仪(EDS)分析针尖表面成分,以表征表面清洁度;通过场发射显微镜(FEM)得到Fowler-Nordheim (F-N)曲线来检测针尖发射性能。实验结果表明,当溶液浓度为2 mol/L、钨丝浸入长度为4 mm、刻蚀电压为3 V时,可以得到曲率半径约为100 nm、纵横比值为13的针尖,且表面无钨的氧化层。FEM结果显示当对针尖施加500 V的负偏压时,针尖可以稳定发射50 nA量级的电流,且针尖性能具有良好的一致性。     

GLSI多层布线钨插塞CMP表面质量的影响因素分析

随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对IC工艺中的全局平坦化提出了更高的要求。在特大规模集成电路(GLSI)多层布线化学机械抛光(CMP)过程中,抛光质量对器件的性能有明显影响。研究了多层互连钨插塞材料CMP过程中表面质量的影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响抛光质量的主要因素,确定了获得较高去除速率和较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数。     

Porous waveguide facilitated low divergence quantum cascade laser

A quantum cascade laser with a porous waveguide structure emitting at 4.5μm is reported.A branchlike porous structure filled with metal material was fabricated on both sides of the laser ridge by an electrochemical etching process.In contrast to the common ridge waveguide laser,devices with a porous structure give rather better beam quality.Utilizing this porous structure as a high-order mode absorber,the device exhibited fundamental transverse mode emission with a nearly diffraction limited far-field beam divergence angle of 4.9°.     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.