机载非正侧视阵知识辅助STAP方法

机载非正侧视阵的近程杂波具有严重的距离依赖性,在距离模糊条件下,现有的空时自适应处理(Space-Time Adap-tive Processing,STAP)算法难以对其进行有效抑制,为此提出了知识辅助的STAP处理方法。通过使用新的样本选择策略,以及改进的针对近程杂波的知识辅助协方差矩阵模型,该方法在处理非正侧视阵近程杂波时的性能接近最优,远高于一般的基于样本估计协方差矩阵的方法,并克服了缺少训练样本的问题。仿真结果证明了该方法的有效性。     

邻居预条件加速的多层快速非均匀平面波算法

采用邻居预条件加速的多层快速非均匀平面波算法求解三维导电目标的电磁散射.通过分组,将耦合划分为附近和非附近区,对于非附近区采用索末菲恒等式对格林函数展开,用修正最陡下降路径代替索末菲积分路径进行数值积分.采用内插与外推技术将复角谱序列转换成均匀实角谱序列,以便于算法的高效实施.该算法的计算复杂度与多层快速多极子相当,且更具潜在优势.为改善迭代特性,本文研究了一种邻居预条件方法,加速迭代收敛,数值结果验证了算法的准确和高效.     

红外热成像系统的采集与驱动电路设计

高精度采集电路是构成高精度红外热像仪的重要组成部分.在简单介绍红外热成像系统基本原理的基础上,给出了用法国ULIS公司的384×288元非致冷红外焦平面阵列探测器设计的红外成像系统的硬件构成.该系统采用CPLD复杂可编程逻辑器件作为采集与驱动时序电路的核心控制芯片,以VSP2566作为采集芯片,把探测器输出的模拟信号转...     

旋转图像的合成与识别仿真

介绍了对旋转图像进行计算机模拟识别的两种方法:匹配相关和联合相关.通过对两种算法模拟数据的比较,得出了联合相关算法对待识别图像方面的优越性,以及计算机模拟识别相对于光学器件的简洁性和显著性.     

大功率行波管新型慢波线技术的进展

全金属慢波结构由于具有热耗散能力强，功率容量大，比耦合腔慢性线带宽度，结构整体性好，尺寸大等一系列优点而备受人们关注。本文着重介绍了螺旋槽、环板、曲折波导及周期加载波导四类结构的发展现状，包括理论研究与实际应用情况，探讨了新型慢波线在技术上存在的问题及今后的努力方向，指出全金属慢波结构将在毫米波行波管、返波管、毫米波回旋行波管及相对论器件等方面得到广泛应用。     

非致冷红外焦平面成像系统辐射测温技术研究

为了消除由非致冷红外焦平面自身温度变化造成的辐射测温偏差,提出了一种基于G-t(黑体辐射灰度-探测器工作温度)标准曲线进行辐射测温的新方法.该方法从热辐射理论和热像仪测温原理出发,利用实验测得的G-t标准温度关系曲线,并结合灰体表面真实温度的计算公式,最终实现了非致冷红外焦平面成像系统的高精度辐射测温.实验结果表明,当...     

神光-Ⅲ原型装置全光路系统波前测量方法

为进一步提高神光-Ⅲ原型装置8束三倍频激光焦斑的能量集中度,需要对神光-Ⅲ原型装置的全光路系统波前进行校正。其中的关键技术之一就是要准确获得全光路系统的波前畸变。神光-Ⅲ原型装置的8束激光主放诊断包内均配置了一套哈特曼波前传感器,可以较为方便地获得主放大系统输出波前,但却无法直接获得靶场系统波前。解决方法主要有逆向标定和靶点直接测量两种,通过比较两种方法的技术复杂性、测量准确性等指标,结合对校正前后远场焦斑的测量,最终确定采用靶点直接测量的方法能简单、有效地获得全光路系统波前畸变。     

InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面探测器研究

InAs/GaSb II类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 μm的InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×10¹⁰ cm·Hz^1/2·W^-1,盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference, NETD)为25.5 mK。经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1 μm。最后对该器件进行了成像演示。结果表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。     

Costas序列在雷达信号设计中的应用研究

阐述了Costas序列的代数结构及其特点,分析了常用雷达信号,如线性调频脉冲信号、非线性调频脉冲信号等的模糊函数,文中指出当雷达信号使用Costas序列的构成方法形成跳频扩频的信号时,将获得理想的模糊函数性能,即同时获得极好的距离分辨率和速度分辨率。文中建立了多目标散射、多径衰落和加性高斯白噪声信道的数学模型,并介绍了多目标散射、多径衰落和加性高斯白噪声信道的雷达信号设计方法,最后给出了计算机仿真结果。     

256×256 focal plane array midwavelength infrared camera based on InAs/GaSb short-period superlattices

An infrared camera based on a 256×256 focal plane array (FPA) for the second atmospheric window (3–5 μm) has been realized for the first time with InAs/GaSb short period superlattices (SLs). The SL detector structure with a broken gap type-II band alignment was grown by molecular beam epitaxy on GaSb substrates. Effective bandgap and strain in the superlattice were adjusted by varying the thickness of the InAs and GaSb layers and the controlled formation of InSb-like bonds at the interfaces. The FPAs were processed in a full wafer process using optical lithography, chemical-assisted ion beam etching, and conventional metallization technology. The FPAs were flip-chip bonded using indium solder bumps with a read-out integrated circuit and mounted into an integrated detector cooler assembly. The FPAs with a cut-off wavelength of 5.4 μm exhibit quantum efficiencies of 30% and detectivity values exceeding 10¹³ Jones at T=77 K. A noise equivalent temperature difference (NETD) of 11.1 mK was measured for an integration time of 5 ms using f/2 optics. The NETD scales inversely proportional to the square root of the integration time between 5 ms and 1 ms, revealing background limited performance. Excellent thermal images with low NETD values and a very good modulation transfer function demonstrate the high potential of this material system for the fabrication of future thermal imaging systems.