ZnO单晶的KOH碱液法生长和表征

采用自发成核方法,以KOH碱液作助熔剂,在银、镍和铁坩埚中分别生长了透明、棕绿色和棕色的纤维锌矿氧化锌单晶。X射线衍射和电感耦合等离子体原子发射光谱分析表明:晶体的颜色与所含的杂质有关,这些杂质来源于所使用的坩埚。采用光致发光(photoluminescence,PL)光谱对所生长的晶体进行了表征,结果显示,从银坩埚中生长的氧化锌晶体质量较高,其室温下用325nm波长光激发的PL光谱显示381nm强的紫外发射峰。在此基础上,从200mL银坩埚中生长出了尺寸为φ3mm×34mm氧化锌晶体。     

DFT-based FEM analysis of nonlinear effects on indentation process in diamond crystal

We apply a new framework of a finite-element method (FEM) analysis with constitutive relations based on density functional theory (DFT), as an efficient method to characterize the nonlinear and anisotropic elastic deformation of single-crystal diamond. In our scheme, the stress-strain relations are obtained during FEM analysis on the fly based on the plane-wave-based DFT total-energy calculations and their numerical database is simultaneously constructed, which enables us to obtain high-precision stress without any empirical parameters even under finite strained conditions. To check its validity and accuracy, the shear deformation behavior of diamond crystal is analyzed under the strained condition. Then we examine the nonlinear effects on the indentation deformation of diamond single crystal, by comparing the results from the DFT-based constitutive relations with those from the linear elastic ones.     

抛光用氧化锆固体粉体的表征与制备研究

为筛选合适的氧化锆粉制备抛光液,采用固体紫外光谱、粉末衍射谱、晶体结构拟合、红外光谱、电子探针显微镜等对进口抛光液Zox-N粉体的成分及其品质进行了分析,确定了抛光粉的组成及国产锆粉制备抛光粉的工艺。结果表明,在氧化锆粉中加入0.18%的氧化铁红,混合均匀后在680～720℃煅烧24h,得到的粉体晶型与Zox-N基本一致。     

激光二极管侧面抽运高功率1338nm Nd∶YAG激光器

报道了一台激光二极管(LD)侧面抽运的高功率连续1338 nm Nd∶YAG激光器.通过分析Nd∶YAG的跃迁谱线和相应的受激发射截面的特点,根据多跃迁谱线激光材料波长选择的耦合率条件,合理设计激光棒和腔镜的耦合率参数.激光谱线测量表明,成功抑制了1064 nm和1319 nm波长激光的振荡.以高功率808 nm激光二极管侧面抽运模块为抽运源,采用平-平腔结构,研究了耦合输出率分别为5.3%,7.4%和11%的输出镜的输出情况,比较分析了不同腔长对激光输出的影响.在抽运功率为555 W时,采用5.3%的耦合输出镜和20 cm腔长,获得大于100 W的1338 nm单一波长激光输出,光-光转换效率大于18%,斜率效率为35%,输出光束的M2因子为36.     

泡生法生长Ho3+,Yb3+双掺KGd(WO4)2晶体及其光谱性能

钨酸钆钾(KGd(WO4)2,简称KGW)是一种新型的激光基质材料。以Yb3 作为Ho3 的敏化剂,采用泡生法生长出了单斜晶系的Ho∶Yb∶KGW晶体。通过X射线衍射仪(XRD)分析确认所生长的晶体为-βHo∶Yb∶KGW。热重与差热分析(TG-DTA)测试结果表明,晶体的熔点为1072.31℃,相变温度为1043.09℃。测试了晶体的吸收光谱,对吸收峰值归属进行了确认,计算了相应的光谱参数。Yb3 在981 nm处吸收峰较强,半峰全宽(FWHM)为14 nm。从荧光光谱可以看出,在1022 nm附近,Yb3 发射主峰的半峰全宽达16 nm,对应的是Yb3 的2F5/2和2F7/2的能级之间的跃迁;Ho3 在1985 nm处的荧光发射峰半峰全宽为45 nm左右,发射截面积为1.79×10-20cm2。     

窄线宽光子晶体红外光滤波器研究

利用传输矩阵法研究了光通信中850nm、1330nm和1550nm三个波长的光子晶体滤波器。研究了如何通过选择各层的折射率及宽度使滤波器工作在给定的波长上并具有极窄线宽的方法。经过数值计算分别得出了工作于这三个波长上的光子晶体滤波器的参数。计算结果表明,当缺陷模厚度保持不变时,中心波长会随折射率的增大向长波移动。通过选择适当的参数,可制作出工作于850nm、1330nm和1550nm波长上的线宽为0．0001nm的极窄线宽光子晶体滤波器。     

液晶红外传感器系统

液晶红外传感器系统包括液晶斩波器,驱动电路、液晶聚合物热电元件、探测器、放大器和显示器等。液晶斩波器还可应用于温差电堆、热敏电阻测辐射热仪、红外摄象机等。热电液晶聚合物还可用作压电、驻极体、非线性光学元件等。     

NYAB晶体Cr~(4 ):YAG被动调Q的激光特性研究

采用氙灯泵浦,Ｃｒ４＋ＹＡＧ被动调Ｑ,实现了自倍频晶体ＮＹＡＢ调Ｑ激光运转,测量了Ｃｒ４＋ＹＡＧ不同小信号透过率及不同泵浦能量下绿激光单脉冲的输出能量、脉冲宽度、重复率,给出了描述ＮＹＡＢ晶体Ｃｒ４＋ＹＡＧ调Ｑ工作原理的耦合波方程组,数值求解该方程组所得的理论结果与实验值相符。     

磁滞及磁饱和效应对磁光光纤传感器的影响

给出了ＩｎＢｉＣａＶＩＧ晶体的磁滞回线,详细分析了磁滞及磁饱和效应对磁光光纤传感器的影响。当所测磁场信号为交变量时,磁滞的影响主要是相位延迟,对幅度及频谱分布影响较小;饱和效应不仅使响应幅值减小,同时还导致明显的频谱变化。     

极性晶体膜中电子—表面声子强耦合极化子的自陷能

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＫＣｌ晶体进行了数值计算,结果表明,不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献大不相同