基于正折射率材料的一维负折射率光子晶体

对一维光子晶体折射现象的研究大都基于等效折射率, 并没有考虑入射光波经过光子晶体后的光强。通过研究一维光子晶体的折射现象, 考虑入射光波经过光子晶体后的强度也是很有必要的。用传输矩阵法和 Bloch定理分析了两种正常材料构成的一维光子晶体, 当两种材料的介电常数比和填充比分别为 1.33和 0.31, 用归一化频率为 0.655的光波以 18毅角斜入射该光子晶体时, 结果显示：光波发生了负折射, 并且透过率大于 20%。     

液晶显示的一体化应用

随着显示技术的发展,液晶显示的应用越来越广,从小尺寸手机到大尺寸电视越来越普及。随着行业成本及技术门槛的降低,加速了液晶显示产品功能结构的整合,液晶显示一体化的应用范围逐渐扩大。     

LD端面抽运变导热系数Nd:YAG晶体热效应

为了计算二极管抽运Nd:YAG晶体温度场及热形变场,建立了端面绝热、周边恒温的晶体热模型。基于Nd:YAG晶体导热系数及热形变系数与其温度的函数关系,应用Newton切线法对热传导方程进行求解,得到了变导热系数和变热形变系数矩形截面Nd:YAG晶体端面抽运下的温度场和热形变场的一般表达式,同时计算了Nd:YAG晶体在不同抽运功率和抽运光斑半径下内部温度场和热形变场的分布变化。结果表明,使用钕离子质量分数为0.01、尺寸为3mm×3mm×8mm的Nd:YAG晶体,在功率为60W、光斑半径为450μm的抽运光照射下,变导热系数的Nd:YAG晶体端面最大温升为55.7℃,最大热形变量为2.85μm,而按传统将Nd:YAG晶体导热系数、热形变系数均视为定值时,晶体端面最大温升为43.4℃,端面最大热形变为2.84μm。     

椭圆偏振光在各向异性1维光子晶体中的传输

为了解决利用传统传输矩阵法计算在各向异性材料结构中任意极化态电磁波传播遇到的困难,设计含磁光材料缺陷层的1维光子晶体。通过把入射电磁波按左旋圆偏振和右旋圆偏振进行正交分解的方法,推导出适合各向异性材料和任意极化态入射电磁波的传输矩阵算法。结果表明,该算法可以确定1维层状结构透射波和反射波偏振态的变化。     

基于光子晶体光纤环镜的光纤传感器的研究及进展

对国内外已报道的基于光子晶体光纤环镜的光纤传感器进行了综述。总结了多种基于光子晶体光纤环镜的光纤传感器,包括应力、温度、微弯、扭曲和气压传感器。介绍了各种传感器的原理和优势,并对基于光子晶体光纤环镜的光纤传感器的发展进行了展望。     

光子晶体光纤光栅及其在激光器中的应用

对近年来国内外光子晶体光纤(PCF)光栅和PCF光栅激光器的研究现状按发展进程进行综述。概要叙述PCF光栅成栅理论与工艺的研究进展;重点阐述窄线宽单频光纤光栅激光器的研究现状,特别介绍近年来PCF光栅激光器的研究成果。     

基于液晶光子晶体波导耦合的光开关特性分析

提出了一种基于液晶光子晶体波导耦合的光开关结构。采用平面波展开法(PWE)分析了光开关耦合区域的色散关系,分析表明可以通过设计适当的耦合区域长度使该结构对不同波长的光实现2×2光开关的功能。以工作波长1550nm和1565nm为例,用时域有限差分法(FDTD)对光开关的性能进行了仿真分析,结果表明开关具有低的插入损耗和高的通道隔离度,开光响应时间在毫秒量级。     

单晶体心立方金属铌裂纹尖端位错增殖行为的 原位研究

位错的增殖对体心立方金属材料的塑性性能有着非常重要的意义,目前对于体心立方位错增殖机制的动态研究主要依赖于计算模拟,实验研究很少见到报道,其位错增殖机制尚存在不确定性.本文利用透射电镜原位拉伸技术,实现了单晶体心立方金属铌(Nb)裂纹尖端位错增殖的原位动态实验观察,并提出了两个位错模型来解释位错增殖以及运动的机制.从实验上不仅证实了之前模拟的预测,而且对现有的模型进行了很好的补充,为体心立方金属材料的塑性变形机制提供了基础实验数据.     

Defect Analysis of Barrier Height Inhomogeneity in Titanium 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

Over 350 4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) of varying size are characterized using current–voltage (I–V) measurements, with some also measured as a function of temperature. Devices display either a characteristic single-barrier height or atypical dual-barrier heights. Device yields are shown to decrease as device area increases. Molten KOH etching is used to highlight defects for analysis by optical microscopy and atomic force microscopy. The I–V characteristics are compared against the defect density. A positive correlation between effective barrier height and effective electrically active area of the SBDs is found. No correlation is found between threading dislocations and ideality factor or barrier height.