ZFSD5600/22/35型组合式端头支架研究

ZFSD560 0 /2 2 /35型组合式端头支架属于原煤炭部“九五”重点科研攻关项目“坚硬厚煤层综放开采关键技术研究”第三子专题主要研究内容之一。它是针对大同坚硬厚煤层综放设备配套大、配套空间有限 ,设计的一种新型组合式端头支架 ,该支架首次实现了与转载机互为联动功能 ,它的研究使用成功 ,为我国综放开采端头支护提供了一种新架型。     

Electrochemically induced asymmetrical etching in InAlAs/InGaAs heterostructures for MODFET gate-groove fabrication

We have achieved a self-controlled asymmetrical etching in metalorganic chemical vapor deposition-grown InAlAs/InGaAs heterostructures, which can be suitable for fabricating modulation-doped field-effect transistors (MODFETs) with gate-groove profiles for improved performance. The technology is based on electrochemical etching phenomena, which can be effectively controlled by using different surface metals for ohmic electrodes. When surface metals of Pt and Ni are deposited on the source and the drain, respectively, the higher electrode potential of Pt results in slower etching on the source side than on the drain side. Thus, asymmetry of gate grooves can be formed by wet-chemical etching with citric-acid-based etchant. This represents a new possibility to conduct “recess engineering” for InAlAs/InGaAs MODFETs.     

8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ     

8万门母片系列电路测试软件开发及COMPASS门阵列库单元测试验证技术

JSC710XX是我国第一块利用COMPASS8万门门阵母片正向设计的超大规模集成电路，我们在DIC8032测试系统上开发出测试软件，对该电路的功能和参数进行了较完整的测试，也验证了COMPASS门阵列库单元。     

GTO逆变型量化电荷充电式脉冲激光器电源

介绍一种用 GTO 作为开关元件的脉冲激光器用逆变电源装置。引入了量化电荷充电概念,并设计了实现最化电荷充电的具体电路。     

冲激雷达标量脱靶量测量算法研究

提出了一种基于冲激雷达体制的单通道标量脱靶量测量的新方法.该方法通过距离门对雷达回波数据进行等效采样,利用距离门间采样数据的相关得到目标散射点通过各距离门的相对时间,在此基础上利用脱靶量测量参数的几何关系,将脱靶量测量表示为距离门所对应距离和相对时间的最小二乘拟合问题,并得出标量脱靶量参数的最优估计.在对冲激雷达系统及匀速直线运动目标弹道建模的基础上进行仿真,结果表明测量误差小于标量脱靶量的5%,算法具有比多普勒方法更高的精度和稳定性.     

无线电引信抗海杂波干扰技术分析

针对如何提高无线电引信超低空性能这一问题，介绍了海杂波对无线电引信的影响，分析了海杂波的散射特性，提出了通过压缩引信距离波门和频率识别两种抗海杂波干扰的方法。     

基于SOA-XGM效应的双逻辑门叠加结构研究

为了提高光传输系统数据信息的机密性与安全性,开展了光传输系统物理层全光加/解密技术的理论分析,设计了全光AB逻辑实验方案,通过结构相同的两全光AB逻辑门输出信号的耦合,实验实现了对速率为10Gb/s的明文光信号的全光加密。     

A Low On-Resistance SOI LDMOS using a Trench Gate and a Recessed Drain Ge Rui(葛锐), Luo Xiaorong(罗小蓉)?, Jiang Yongheng(蒋永恒), Zhou Kun(周坤),

本文提出了一种超低比导通电阻(R_on,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,R_on,sp为0.985mΩ.cm₂。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的R_on,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的R_on,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。     

绝缘栅控双极晶体管大功率固态调制器

现代电子电力场控器件快速发展,绝缘栅控双极晶体管具有开关速度快,电压电流耐量高等诸多优点,使用它制作大功率调制器可以显著改善可靠性,提高发射机的综合指标。