变分模态分解组合广义形态滤波器的MEMS陀螺仪去噪方法

为了更加有效地消除MEMS陀螺仪输出信号存在大量不同类型噪声的同时保留有效信号特征,本文提出了一种变分模态分解(VMD)的多尺度自适应组合广义形态滤波器(CGMF)去噪方法.该方法首先采用VMD将MEMS陀螺仪原始输出信号分解为多个不同尺度的具有特殊稀疏性的一高低频离散带限子信号内模函数(BLIMFs),然后通过选择CGMF中合适的结构元素(SEs)长度和几何结构对上述不同尺度BLIMFs进行自适应去噪处理,最后重建去噪后的BLIMFs获得去噪信号.通过实验验证并与现有的信号去噪方法相比,本方法的主要优点在于:1)解决了CGMF中SEs的长度和几何结构等关键参数的自适应选择问题; 2)针对不同类型噪声均进行了有效的分离和去噪处理.     

采用阶梯 T 型谐振器的双陷波 UWB 滤波器

为有效抑制印度国家卫星通信C频段和X卫星频段对超宽带通信系统的干扰,提出了一种新型双陷波超宽带滤波器。该滤波器采用阶梯T型多模谐振器(multimode resonator, MMR)与缺陷地结构(defected ground structure, DGS)的交趾耦合,实现超宽带特性。采用非对称耦合线及在MMR两侧耦合分裂环谐振器的方法,分别在6.67～7.06 GHz, 7.47～7.57 GHz两个频段内产生陷波。实测结果与仿真结果吻合较好,该滤波器的通带范围为3.03～11.50 GHz, 3 dB带宽达到123%,插入损耗仅有0.87 dB,两处陷波中心频率分别在6.87 GHz和7.52 GHz,陷波深度均大于20 dB,且整体尺寸紧凑,仅有16 mm×8 mm大小。     

磁悬浮陀螺转子信号的局部均值分解降噪研究

磁悬浮陀螺转子电流信号对环境变化高度敏感,信号采样过程中不可避免会引入噪声,针对该问题提出一种基于局部均值分解（local mean decomposition, LMD）,融合豪斯多夫（Hausdorff）距离与阈值降噪（threshold denoising, TD）的算法以减弱噪声干扰。首先对原始信号进行局部均值分解,得到若干乘积函数（PF）分量和一个余量,然后根据各PF分量与原始信号间的豪斯多夫距离判定噪声、信号分量,再对噪声分量进行阈值处理,最后将阈值处理后的噪声分量、信号分量及余量进行叠加得到重构信号,实现陀螺仪转子电流信号的降噪。仿真实验结果表明,重构信号的信噪比相对于原始信号平均提高了12.86 db,均方根误差平均降低了9.25×10^-6 A;实测信号降噪结果表明,该降噪算法对四条导线边的滤波增益分别为40.0%、93.5%、30.8%和50.0%。     

一种宽带注入锁定三倍频器

文章提出了一种宽带注入锁定三倍频器。在传统注入方式基础上,倍频器采用了推-推差分对输入信号进行二倍频,并将产生的二次谐波通过变压器耦合至注入管的源极共模点,增强了注入管源极共模点二次谐波。由于注入电流是由注入信号与源极共模点二次谐波进行混频而产生,因此注入电流也被增强,从而增大了锁定范围。除此之外,三倍频采用了四阶谐振器,谐振阻抗的相位在过零点被平坦化,锁定范围进一步被增大。采用标准CMOS 65 nm工艺设计三倍频,芯片面积为720×670 μm²,1.2-V供电时的功耗为15.2 mW。0 dBm注入功率下三倍频的锁定范围为19.2~27.6 GHz,对应的基波抑制比大于25 dB,二次谐波抑制大于35 dB。注入锁定三倍频器可满足5G收发机中本振源的要求。     

宽阻带小型化双频带通滤波器

文中提出了一种具有宽阻带的紧凑型双频带通滤波器,它采用了折叠短路枝节负载谐振器、紧凑型微 带单元谐振器(CMRC)和阶跃阻抗谐振器结构。由于多个谐振器产生了五个可控传输零点(TZ),该滤波器实现了两个 通带之间的良好隔离度以及宽阻带特性。制作并测试了尺寸紧凑的双频带通滤波器实验样品,测试结果显示,第一通 带和第二通带的中心频率/ 插入损耗分别为0. 66 GHz/0. 8 dB 和1. 73 GHz/0. 7 dB,阻带频率高达10. 5 GHz,抑制水平 超过15 dB。     

谐振器加载石墨烯的双通带可调滤波衰减器设计

石墨烯材料在微波段的阻抗可控特性是其最有价值的应用特性之一。文中首次分析了石墨烯对微带 多模谐振的影响机理,提出了一种集成滤波衰减功能为一体的灵活可控器件。首先,对不同位置加载石墨烯的微带双 模谐振器进行了严格的等效电路建模,通过奇偶模分析法及输入导纳参数计算,探究了双模谐振受石墨烯阻抗及其加 载位置的影响,明晰了石墨烯材料对微波谐振器的影响。随后设计了动态可调的滤波衰减器并阐述了石墨烯材料在谐 波控制上的潜在应用点。最后,采用不同尺寸的双模谐振器进行石墨烯加载并完成双通带幅度独立可控的滤波衰减器 的设计,仿真与实测结果吻合良好,验证了阻抗可控石墨烯材料在可调微波衰减类器件上的应用前景。     

变壁厚球缺罩杆式射流的形成与侵彻性能研究?

为了研究不同结构对变壁厚球缺罩形成杆式射流的影响,设计了等壁厚、中间厚边缘薄、中间薄边缘厚3种等质量球缺罩方案。利用LS-DYNA软件对杆式射流的形成与侵彻进行了数值模拟,并进行了大炸高下的侵彻试验。研究结果表明:结构不同导致形成杆式射流的方式不同,并对射流的形态与速度分布有显著影响;中间厚边缘薄球缺罩形成的杆式射流侵彻深度最大,等壁厚球缺罩次之,中间薄边缘厚球缺罩最差。     

不同材料双层球缺罩侵彻特性的研究

采用数值模拟及钢靶侵彻试验两种方法研究了单层钛合金球缺罩、钛合金/铜、铝合金/铜双层球缺罩形成的3种杆式射流对45#钢锭靶板侵彻深度和开孔的问题。研究结果表明:不同材料的双层球缺罩形成的杆式射流对45#钢锭靶板的开孔孔径和侵彻深度大小均有直接影响,且钛合金/铜双层罩杆式射流破甲深度相对于铝合金/铜双层罩有一定提高,其开孔孔径明显增大。而单层钛合金药型罩杆式射流整体速度最大,开孔孔径较钛合金/铜、铝合金/铜双层罩杆式射流有明显提高,但破甲能力较低。研究结果对于武器战斗部设计具有一定的指导作用。     

A Hemispherical Image Sensor Array Fabricated with Organic Photomemory Transistors

Hemispherical image sensors simplify lens designs, reduce optical aberrations, and improve image resolution for compact wide-field-of-view cameras. To achieve hemispherical image sensors, organic materials are promising candidates due to the following advantages: tunability of optoelectronic/spectral response and low-temperature low-cost processes. Here, a photolithographic process is developed to prepare a hemispherical image sensor array using organic thin film photomemory transistors with a density of 308 pixels per square centimeter. This design includes only one photomemory transistor as a single active pixel, in contrast to the conventional pixel architecture, consisting of select/readout/reset transistors and a photodiode. The organic photomemory transistor, comprising light-sensitive organic semiconductor and charge-trapping dielectric, is able to achieve a linear photoresponse (light intensity range, from 1 to 50 W m⁻²), along with a responsivity as high as 1.6 A W⁻¹ (wavelength = 465 nm) for a dark current of 0.24 A m⁻² (drain voltage = −1.5 V). These observed values represent the best responsivity for similar dark currents among all the reported hemispherical image sensor arrays to date. A transfer method was further developed that does not damage organic materials for hemispherical organic photomemory transistor arrays. These developed techniques are scalable and are amenable for other high-resolution 3D organic semiconductor devices.     

扫描隧道显微镜探针作用力的测量

我们用石英振子频移法成功地对ＳＴＭ探针与被测表面间的作用力进行了测量,进一步证实了在ＳＴＭ测量时探针与被测表面之间存在着一种作用力的预言,为最终解明该现象的本质提供了一种新的方法。