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71.
乌江洪家渡水电站坝址河谷深切300余m,硬质岩与软质岩相间分布,岸坡地形陡峻,软弱夹层发育,卸荷、崩塌等物理地质作用强烈。根据坝址地质条件与电站枢纽布置,工程存在:隧洞群进水口同向高边坡整体稳定问题;坝肩开挖、隧洞进出口开挖、厂房开挖及料场开挖等高边坡稳定问题;泄洪冲刷及雾化区1号、2号塌滑体高边坡稳定问题;王家渡堆料场、瓦房寨砂石系统高边坡稳定问题。因此,工程高边坡稳定问题是本工程的主要工程问题之一,但通过参建各方共同努力,本工程高边坡处理都取得了圆满成功。 相似文献
72.
一种具有高电源抑制比的低功耗CMOS带隙基准电压源 总被引:12,自引:5,他引:7
文章设计了一种适用于CMOS工艺的带隙基准电压源电路,该电路采用工作在亚阈值区的电路结构,并采用高增益反馈回路,使其具有低功耗、低电压、高电源电压抑制比和较低温度系数等特点。 相似文献
73.
74.
本文重点研究基于包错误率测量的链路自适应算法,分析了包错误率与信道参数的关系,提出了一种有别于固定门限值方案的优化门限值方案。仿真结果表明,优化门限值方案的网络吞吐量要大于固定门限值方案和基于信干比估计的链路自适应算法,最大增幅可达12Mbit/s。在系统引入重传机制后,网络吞吐量将有所损失,但最大不超过1Mbit/s,相比较服务质量的提高是值得的。需指出的是,虽然分析和仿真均以HIPERLAN/2为例,但不失一般性,它们同样适合于WPAN/WLAN等类似系统。 相似文献
75.
从图像的二维谱可以得出现行广播电视图像为什么不能满足人眼的视觉匹配以及现行电视制度的不足 ,从而对未来的高清晰度电视发展提出要求。 相似文献
76.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
77.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献
78.
79.
80.
本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源,它具有高达200kHz的开关频率,后级的整流电路由于高频交流母线的存在,使得变压器和电感的设计变得简单,滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入,再由MOSFET组成全桥逆变电路,在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下,只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通,可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率,可输出低压大电流。由于采用肖特基管,—方面可使得二板管的损耗可以接受,另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。 相似文献