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31.
设计了一种差动式测振传感器,建立了差动电容式加速度传感器的数学模型,并通过电容的推导计算对其进行了特性分析。对检测电路的结构进行了分析,给出了典型电路结构,推到了电路参数及性能;本设计具有电路结构简单,频率范围宽约0~500Hz,线性度小于1%,灵敏度高,输出稳定,测量误差小等优点;通过实验,各项性能指标满足设计要求。  相似文献   
32.
高Q值加速度计由于能够很好地降低热机械布朗噪声,被广泛应用于高精度低噪声检测领域,相应的闭环接口电路却成为其应用的困难之一.通过分析传感器的器件结构和动态响应,提出了一种基于PID反馈的闭环检测电路来克服传感器因高Q值造成的不利影响,改善系统的频率特性和动态响应.根据设计原理设计和测试了基于PCB板级的闭环检测电路.电...  相似文献   
33.
熊磊  贺忠江  余臻 《测控技术》2016,35(1):134-137
加速度计动态校准装置基于双离心机原理,通过主离心机和从离心机的同时旋转产生动态线加速度,从而实现对加速度计的动态校准.介绍了加速度计动态校准装置的工作原理,建立了其复现加速度的幅值数学模型,针对在大过载条件下从离心机精密旋转问题,设计了从离心机的结构形式和控制方案,并对校准设备所复现加速度的幅值不确定度进行了分析和试验验证,试验结果表明该装置复现动态加速度幅值测量不确定度优于0.2%.  相似文献   
34.
针对加速度传感器在爆炸与冲击测试中的应用,从理论与有限元仿真出发,分析传感器结构的静态响应与冲击响应.在15.4×104gn的静态载荷下,传感器结构最大应力超过材料的许用应力,将会发生结构断裂.在静态载荷下,加速度传感器在15.4×104gn的冲击加速度载荷下结构最大应力超过材料的许用应力,将会发生结构断裂.在加速度传感器的工作方向上施加幅值为15×104gn,半周期为5μs、10μs、20μs、30μs、40μs的半正弦加速度冲击载荷.在幅值为15×104gn、半周期为30μs的冲击载荷下,传感器的固定端处应力为334MPa,将会使传感器断裂失效.在幅值为15×104gn、半周期为5μs、10μs、20μs的冲击载荷下,固定端处应力超过材料许用应力,将也会发生结构断裂.悬臂梁在半周期为5μs、10μs、20μs的冲击下,将会出现断裂.大体上,冲击载荷的周期越小,固定端的应力越大集中越严重.由于传感器固有周期为9.5μs,加速度传感器在半周期为10μs的冲击载荷下出现谐振,固定端处应力变大集中加剧.分析加速度传感器在冲击载荷下的结构响应为传感器的结构设计与具体应用时的可靠性分析提供了理论依据.  相似文献   
35.
搭载着加速度传感器的智能移动终端为手势识别提供广泛的应用平台,在已有的基于单枚加速度传感器的手势识别研究中,识别正确率、速度和手势集合难以达到良好的平衡。本文以一种基于加速度符号序列的识别算法为基础,改进了其特征提取方法,并设计了基于加权树结构模板库的匹配方法,实现了大手势集、高正确率、速度快的手势识别。实验表明,所述系统在21个手势组成的手势集合上,实现了95.2%的用户依赖识别率和94.6%的用户非依赖识别率,识别时间小于10毫秒,对手势识别研究有一定的借鉴价值。  相似文献   
36.
为了给急救人员提供实时、便携、可靠、精确的胸外按压深度反馈,辅助其进行高质量的胸外按压操作,基于加速度计,设计了加速度二次积分算法,并搭建了实验平台,对实验结果进行了测试分析。结果表明:基于加速度二次积分计算的胸外按压深度误差较小,能够满足临床胸外按压深度检测应用的要求。  相似文献   
37.
针对当前施工升降机自动化程度低、安全管理弱的问题,设计了一种施工升降机自动化的远程安全控制系统。该系统由重量传感器采集重量信号,经加速度传感器校正后监测吊笼负载情况并报警。同时通过无线模块接收各楼层分机发送的呼叫信号,系统根据同向优先、就近优先的原则及吊笼载荷情况综合判断施工升降机起升运行,并利用GPRS模块进行远程监测报警。通过现场试验可知,该远程安全控制系统能有效提高运输效率和避免误报警情况,具有稳定性好、管理方便等特点。  相似文献   
38.
In this paper, the effect of the package die adhesive and package shell on the performances of silicon based MEMS high-g accelerometers was reported. Using Raman spectroscopy, the residual stress caused by different package die adhesive thickness and different package shell material was characterized. It can be concluded from the testing results that: with thicker die adhesive, the residual stress increment was much smaller; the piezoresistance variation caused by this residual stress was much smaller; and the temperature shift of the output voltage was much smaller. Comparing with the ceramic package, the stainless steel package has bigger sensitivity and bigger anti-overload ability.  相似文献   
39.
《Ergonomics》2012,55(5):663-670
The aim of this study was to compare estimation of energy expenditure (EE) in working environments, either from accelerometry or from an individual oxygen consumption/heart rate ([Vdot]O2/HR) regression curve. The study participants were 46 volunteer workers aged 27±6 years old. A significant correlation between EE predicted by the [Vdot]O2/HR curve and the accelerometer was observed (r=0.78, p <0.01). However, more disparities were observed between the two methods when the mean job intensity was not within 16% and 23% higher than resting HR. The accelerometer overestimated by a mean of 34.4% the prediction by [Vdot]O2/HR regression if the intensity of the task was lower than a total of 1000 kcal/shift and underestimated the prediction by a mean of –24.9% if EE estimation of the work shift was higher than a total of 1500 kcal/shift. Despite a high correlation between both methods in the whole group, EE evaluated by accelerometry does not correspond to EE predicted by the [Vdot]O2/HR regression curves when evaluated individually.  相似文献   
40.
The fabrication of silicon based micromechanical sensors often requires bulk silicon etching after aluminum metallization. All wet silicon etchants including ordinary undoped tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH)-water solution attack the overlaying aluminum metal interconnect during the anisotropic etching of (100) silicon. This paper presents a TMAH-water based etching recipe to achieve high silicon etch rate, a smooth etched surface and almost total protection of the exposed aluminum metallization. The etch rate measurements of (100) silicon, silicon dioxide and aluminum along with the morphology studies of etched surfaces are performed on both n-type and p-type silicon wafers at different concentrations (2, 5, 10 and 15%) for undoped TMAH treated at various temperatures as well as for TMAH solution doped separately and simultaneously with silicic acid and ammonium peroxodisulphate (AP). It is established through a detailed study that 5% TMAH-water solution dual doped with 38 gm/l silicic acid and 7 gm/l AP yields a reasonably high (100) silicon etch rate of 70 μm/h at 80 °C, very small etch rates of SiO2 and pure aluminum (around 80 Å/h and 50 Å/h, respectively), and a smooth surface (±7 nm) at a bath temperature of 80 °C. The etchant has been successfully used for fabricating several MEMS structures like piezoresistive accelerometer, vaporizing liquid micro-thruster and flow sensor. In all cases, the bulk micromachining is carried out after the formation of aluminum interconnects which is found to remain unaffected during the prolonged etching process at 80 °C. The TMAH based etchant may be attractive in industry due to its compatibility with standard CMOS process.  相似文献   
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