SiO_2超微粉体改性及其分散性研究

探讨了硅烷偶联剂(KH570)的水解工艺,对SiO_2超微粉体进行了接枝改性;利用红外光谱(IR)、热失重(TG)等手段对改性粉体进行了表征;采用机械搅拌、超声波方法对粉体进行了分散实验,通过沉淀法和分光光度计法对分散效果进行了分析。结果表明:KH570最佳水解条件如下:KH570:水:乙醇体积比为1:1:4,pH值为4～6,水解时间约为30 min;IR和TG分析显示,KH570与SiO_2粉体发生了表面接枝反应;18 h后的沉降高度、透光率的数据证明,改性后粉体分散性明显改善,机械搅拌效果优于超声波分散。     

电泳沉积-烧结两步法制备C/SiC复合材料

采用电泳沉积法在石墨基体上制备厚度可控的Si涂层,考察了电泳沉积参数(电压、沉积时间、固含量及添加剂量)对涂层沉积量的影响。所制备的Si涂层通过烧结与石墨基体发生在位反应形成SiC涂层。涂层成分的XRD分析表明烧结后生成β-SiC。用SEM观察涂层烧结前后的形貌,烧结后Si渗入基体内部。孔径分布数据表明所形成的SiC涂层导致石墨孔径变小。1200℃的抗氧化实验表明涂层起到了良好的防护作用。实验提供了一种制备C/SiC复合材料的新方法。     

中国建设低成本光伏电站发展趋势看好——超白太阳能玻璃、硅基薄膜电池为建造低成本光伏电站提供了基础

从技术、成本、设备和原材料配套等几个方面详细介绍了硅基薄膜电池低耗能、低成本、零污染、年发电量高等优势,是最具价格竞争力的光伏电站组件。     

硅酸四乙酯存在下的丙烯酸酯无皂乳液聚合

在含烯丙基的特种醇醚硫酸盐和丙烯基乙醚磺酸钠盐反应型乳化剂存在下,将硅酸四乙酯与丙烯酸酯及偶联剂-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷进行无皂乳液聚合,有效地防止了原位生成的纳米二氧化硅粒子团聚,同时将其引入丙烯酸酯聚合物侧链形成潜在交联点,协同提高丙烯酸酯共聚物的耐水性和硬度。考察了硅酸四乙酯和硅烷偶联剂用量对无皂乳液聚合行为及乳液性能的影响规律。用该法制得的乳液比起常规方法,具有粒径小、均一度高、无小分子乳化剂杂质,且涂膜硬度高、膜透明度好、耐水性大幅度提高等优点。     

快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响

对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄。当RTP温度达到1280℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑。     

添加铝对机械活化辅助合成Ti_3SiC_2粉末的影响(英文)

以Ti,Si,TiC并添加Al的混合粉末为原料,采用机械活化辅助自蔓延合成法制备了Ti3SiC2粉末。研究表明,机械活化过程可将原料的粒度尺寸细化至10μm以下,反应物活性提高,并能激发自蔓延合成反应生成Ti-Si,SiC,TiCx等中间相。在上述条件下,合成单相Ti3SiC2粉末的温度可降至1350℃。反应机理为:Al作为脱氧剂通过抑制其它元素的氧化来促进主相的生成,且在反应物中优先熔化形成局部微小熔池,加速了反应物的扩散并生成TiCx和Ti5Si3中间相,从而促进Ti3SiC2粉末的生成。     

无压烧结SiC凝胶注模成型工艺研究

研究了固相烧结碳化硅的素坯凝胶注模成型工艺.对浆料的分散条件进行了探讨,并对单体的加入量和成型后的素坯的显微结构进行观察分析.结果表明:用1%氢氧化四甲基铵作为分散剂,分散效果好.单体的加入能降低浆料的粘度,当单体加入量为3%时,素坯密度和脱模时间最佳.成型后的素坯显微结构均匀,结合紧密.     

基于数字PID和89C52单片机的温度控制系统

针对在工业生产过程中经常需要高稳定度的恒温环境,传统模拟式仪表结合简单的PID控制较难达到目标的情况．提出了基于数字PID控制算法和89C52单片机的温度控制系统。该系统通过温度传感器DS1820对温度进行采样和转换．然后执行数字PID控制,输出控制量来调节可控硅触发端的通断,从而实现对温度的控制。水温可以在一定范围内由人工设定,并能在环境温度降低时实现自动调整。结果表明：通过将数字PID算法和89C52单片机结合使用,使整个控制系统的温度控制精度提高了10％,输出温度的误差小于2％,不仅满足了对温度控制的要求,而且还可应用到对其它变量的控制过程当中。     

Simulation and Design of a High Responsibility PIN Photodetector

A silicon-based PIN photodetector structure with the characteristics of high responsibility and high cut-off frequency fabricated with the PERL(the passivated emitter and the rear locally-diffused)technologies is introduced in this paper.After making some tiny adjustments of the structure,Silvaco software is used to simulate three similar structures of PIN photodetector by measuring the spectral response,dark current,cut-off frequency and dc characteristics.From the results,it is concluded that PIN photodet...     

低应力PECVD SiC晶圆级薄膜封装新技术

为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本、与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料。此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形。与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,较高的杨氏模量等性能优势。将PECVD薄膜封装技术用于表面微结构和绝缘膜上Si(SOI)微结构部件(如射频开关、微加速度计等)封装中,不仅减小了封装尺寸,降低了芯片厚度,简化了封装工艺,而且封装芯片还与CMOS工艺兼容。较之晶圆键合封装方式,此晶圆级薄膜封装成本可降低5%左右。