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991.
992.
993.
场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计 总被引:3,自引:0,他引:3
采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件,比单一采用场限环或场板结构,具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程,对环间距、环数以及场板宽度进行计算,可作为这种结构的设计参考。 相似文献
994.
根据电力系统中高压开关设备的特点,分析了现有温度监测技术存在的缺陷,提出了以ZigBee无线传感网络技术为基础的高压开关设备温度监测新方法.采用数字温度传感器DS18B20实现温度检测,以CC2530单片机为控制处理核心,控制温度数据的采集、处理与传输,实现自组网无线温度监测.文中介绍了系统的工作原理,给出了系统优化设计方案.实验表明,该系统能对高压开关设备在运行过程中易发热部位的温度进行实时监测,确保高压开关设备安全可靠运行. 相似文献
995.
996.
997.
高压电能表校验装置具有输出高电压、大电流的能力,为了检定与校验不同电流规格的高压电能表,需要输出符合检定规程的电流。目前大部分校验装置需要在停机且断电状态下由操作人员手动改变升流器或电流互感器的档位接线,以输出满足精度要求的电流值。文中提出了一种在装置内部高、低压侧电流档位智能切换的自动控制器,并详细介绍了其工作原理和软硬件设计。该控制器以多个磁保持继电器同步切换为基础,在校验装置不停机的情况下,可以控制连续输出最大允许电流之内的任意值,有效提高了自动校验时的安全性、可靠性和快速性。 相似文献
998.
基于深隔离槽刻蚀的高压发光二极管制造 总被引:1,自引:1,他引:0
在制作高压发光二极管(HV LED)时,为了将数个独立的LED 串联起来,需要将GaN进行电感耦合等离子(ICP)深隔离刻蚀。本文制作了隔离槽深度为5um,台面侧壁为79.2?的GaN基HV LED。刻蚀表面和结构侧面的形貌通过激光显微镜和扫描电子显微镜进行观察分析。在形成金属接触并退火之后,测量HV LED输入电流-正向电压曲线,分析了其电学特性。与传统LED相比,I-V曲线趋势一致;相同尺寸和发光面积下,接触电阻下降了4.6Ω,而输出功率提高了5W。结果表明,可以应用于实际生产 相似文献
999.
1000.
介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性,结合现有沟槽型DMOS工艺流程,确定了器件采用多分压环加多晶场板的复合终端、条状元胞、6μm深度左右沟槽、低浓度背面掺杂分布与小于180μm厚度的器件结构,可以很好地平衡击穿特性与导通特性对器件结构的要求。成功研制出1 200 V沟槽型NPT系列产品,并通过可靠性考核,经过电磁炉应用电路实验,结果表明IGBT器件可稳定工作,满足应用要求。该设计可适合国内半导体生产线商业化生产。 相似文献