单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器

本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。     

用全息干涉C—T技术重建三维折射率场

本文结合折射率场的先验知识，研究了全自干涉Ｃ－Ｔ技术重建三维折射率场的四种方法。通过计算机模拟，考查了数据误差和总观察角大小对重建精度的影响。作为一个应用实例，。计算了火焰温度场的一截面的温度分析，并与热电偶测量的值进行了比较．     

用油气运移痕迹的统计结果确定仓储层厚度--以东营凹陷为例

在对东营凹陷网毯式油气成藏体系结构进行研究的基础上，针对其中、东部的特殊地质情况，对仓储层进行了精细划分。以钻井油气显示和试油数据为依据，研究了仓储层中的油气运移规律，提出了仓储层厚度的界定方法，并指出厚度是影响仓储质量的关键因素，只有在构成仓储层的砂砾岩体达到一定厚度时才能成为有效仓储层。仓储层厚度越大的地方，越有利于油气的运移和聚集成藏。同时在仓储层中显示油气成藏和有油气运移痕迹所要求的砂砾岩体厚度是相近的，而与无油气运移痕迹的砂砾岩体厚度有明显的差别。并且随着埋藏深度的增加，要求作为仓储层的砂砾岩体厚度也随之增大。因此，可以通过计算仓储层厚度来评价仓储层的质量。该方法在实际应用中简便可行，对于评价类似地区的网毯式油气成藏体系仓储层的仓储质量有借鉴作用。     

用改进的ISA方法消除井筒存储效应影响

针对井筒存储效应对ISA（Inverse Solution Algorithm）试井分析方法的影响，利用拉普拉斯反褶积法对实际试井资料进行处理。用地层的变流量过程代替井筒存储效应，对同时测得的井底压力和流量，使用拉普拉斯反褶积方法求出所需要的准确的压力导数，达到消除井筒存储效应的目的；如果不能够同时测得井底的压力和流量，在拉普拉斯反褶积过程中，把井筒存储系数始终当成一个常量来考虑，并以该存储系数来定义变化的流量，然后用拉普拉斯反褶积积分法处理井筒压力和流量，得到压力响应，再通过Stehfest算法将解转换到实空间，这样处理后得出的压力导数结合ISA方法算得的渗透率分布更符合真实的地层情况。该法有助于提高有井筒存储效应影响的实际试井资料分析的准确性。图4表1参12     

火成岩油藏特征及其测井响应

系统的阐述了火成岩的生成机制及其构造,结合其石油储存条件,分析得出火成岩油气藏的分布特征,成藏机制。并以塔里木油田和辽河油田对火成岩的勘探为实例,从测井分析角度阐述了火成岩的油气藏的勘探开发成果,尤其是塔里木油田的英买地区及辽河坳陷都在火成岩的部分岩层见到良好的油气显示。这说明与火成岩相关的油气聚集将成为石油勘探开发的一个具有很大潜力的新领域。     

石油价格机制改革之对策

文章在阐述我国石油价格形成机制的演变过程的基础上,针对我国目前石油定价机制所导致的诸如石油价格变动滞后以及由此带来的市场信号失灵等问题思考了相应的改革对策,提出了调整政府价格管理职能、建立平等竞争的市场规则、完善稳定油价的调控体系以及加快建立石油战略储备等7个方面的建议。     

电子元器件贮存可靠性评估与预测的贝叶斯方法

基于电子元件寿命试验的二项型数据信息,提出了电子元件贮存可靠性评估与预测的贝叶斯方法.利用环境因子将电子元件产品在不同贮存条件下的试验数据进行折合,依据贝叶斯理论对小样本下可能出现的数据"数据倒挂"进行预处理,并评估出其在各已知贮存时间点上的可靠度,再运用配曲线法得到产品的贮存寿命分布,进而对其贮存可靠度进行合理预测.最后,通过一个实例说明了方法的可行性.     

基于DSP的多元数据同步采集与存储系统的设计与实现

从硬件和软件两个角度出发,介绍基于DSP的多元数据同步采集与存储系统的组成、工作模式以及功能的测试。系统主要由上位机和数字采集与存储单元组成,其中数字采集与存储单元的硬件部分包括电源模块,值班电路模块,数据采集模块,数据存储模块,时钟同步模块。系统采用DSP作为中央处理芯片,利用经过同步后的秒脉冲作为触发信号,实现同步数据采集。以CF卡作为存储介质,实现数据自容式存储。软件部分实现自检、同步、数据采集存储功能。经过测试,系统工作稳定,功能正常,同步精度在100ns以内。     

抗任意旋转攻击的数字水印防伪技术

针对目前频率域水印技术无法有效抵抗旋转攻击的 问题,提出一种基于结构相似性指数(SSIM,structural simila rity)的抗旋转攻击数字水印算法。首先将水印与参考光干涉生成离散余弦变换(DCT)全息图 像后;然后利用DCT嵌入到宿主图像的B通道中 频域中;最后,在提取水印时,利用SSIM检测校正图像旋转角度后逆DCT得到 水印。实验表明,以嵌入强度a=0.1嵌入后,含水印图像的峰值信噪比(PSNR)达到43,能有效的抵抗1~360°的旋转攻击,旋 转校正精度可达1°。嵌入水印有很强的不可 见性,提取水印清晰,嵌入量较大,旋转校正时需要原始图像,属于明水印。因此,本文算 法能准确地从受到旋转、滤波、噪声、 裁切和几何形变等攻击的宿主图像中提取水印,可用于版权方的版权保护需求。     

The Control of Shrinkage and Thermal Instability in SU‐8 Photoresists for Holographic Lithography

The negative‐tone epoxy photoresist, SU‐8, expands ≈1% by volume after postexposure baking. However, if the maximum optical fluence is comparable to that at the insolubility threshold, as in a holographic exposure, the developed resist shrinks (≈35% by volume) due to the removal of light oligomers not incorporated into the polymeric network. IR spectroscopy shows that, at this level of exposure, only 15% of the epoxy groups in the insoluble polymer have reacted; consequently microstructural elements soften and collapse at >100 °C. When the light oligomers are removed, the sensitivity of the resist is unchanged, provided that 5% (w/w) of a high‐molecular‐weight reactive plasticizer (glycidoxy‐terminated polyethylene glycol) is added, but it shrinks less on development and, when used as a photonic crystal template, shows improved uniformity with less cracking and buckling. Reinforcing the polymer network by reaction with the polyfunctional amine (bis‐N,N′‐(3‐aminopropyl)ethylenediamine) increases the extent of cross‐linking and the thermal stability, allowing inverse replicas of photonic crystal templates to be fabricated from both Al:ZnO and Zr₃N₄ using atomic layer deposition at temperatures up to 200 °C.