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41.
利用Gleeble-3500热模拟试验机研究了低活化马氏体钢在变形温度为850~950 ℃、应变速率为0.001~1 s-1条件下的热变形行为。建立了流变应力本构方程,并评估了该方程的预测能力。绘制了低活化马氏体钢在不同应变下的热加工图。结果表明:在较高的应变速率条件下,该材料主要发生动态回复,在较高变形温度和较低应变速率下具有明显的动态再结晶特征;本构方程的预测结果与实验结果符合良好;变形温度870~930 ℃、应变速率0.001~0.01 s-1和变形温度920~950 ℃、应变速率0.3~1 s-1分别是真应变为0.4和0.6下最优的热加工区域。 相似文献
42.
安琛 《河北建筑工程学院学报》2008,26(2):61-62
分析SZL系列快装热水锅炉水循环系统故障的原因,根据工作实践和相关理论,提出改进意见. 相似文献
43.
为了充分利用无线网络资源,提升无线网络质量,充分利用了DBSCAN(Density Based Spatial Clustering of Applications with Noise)算法的优点,提出基于划分DBSCAN算法的话务量异常小区的检测方法,并通过对现网大量话务数据的统计分析,找出小区载频配置数和最佳话务量之间的关系。对话务量异常、拥塞率高的小区进行载频配置优化,并对城市小区网络优化有一定的指导意义。 相似文献
44.
无线电信号的模拟调制参数测量在无线电检测定位、通信发射机测试校准,民用船舶的导航通信等领域都有广泛应 用。设计实现了一种基于超外差结构的无线电信号模拟调制参数的测量系统,以STM32F4 系列单片机作为控制核心,包括 的主要硬件电路模块有本振信号源、混频器、LC无源滤波器、锁相环、低噪声放大器、包络检波电路、鉴频电路等。系统可自 动识别普通调幅波、调频波、未调制的单频载波等模拟调制类型,完成无线电信号解调输出的同时自动测量出载波频率、调制 信号频率、调幅指数、调频指数等主要调制参数。实测结果表明,系统对调制类型识别正确,调幅或调频信号的解调波形信噪 比高、无明显失真,载波频率测量的相对误差小于10-5,主要调制参数测量的相对误差均小于5%。 相似文献
45.
利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能;T型发射区结构对700~1200nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用;当衬底少子寿命一定时,太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大,而开路电压随T型发射区深度的增大而减小;当T型发射区深度大于80μm时,对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池,T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。 相似文献
46.
Yihui Sun Xiaoqin Yan Xin Zheng Yong Li Yichong Liu Yanwei Shen Yi Ding Yue Zhang 《Nano Research》2017,10(1):77-86
The carrier screening effect occurs commonly in dielectric materials. It reduces the electric potential gradient, thus negatively affecting the functionality of resistive random access memory (RRAM) devices. An Au/ZnO film/Al-doped ZnO device fabricated in this work exhibited no resistive switching (RS), which was attributed to the carrier screening effect. Therefore, annealing was used for alleviating the screening effect, significantly enhancing the RS property. In addition, different on/off ratios were obtained for various bias values, and the screening effect was accounted for by investigating electron transport mechanisms. Furthermore, different annealing temperatures were employed to modulate the free carrier concentration in ZnO films to alleviate the screening effect. The maximal on/off ratio reached 105 at an annealing temperature of 600 °C, yielding the lowest number of free carriers and the weakest screening effect in ZnO films. This work investigates the screening effect in RS devices. The screening effect not only modulates the characteristics of memory devices but also provides insight into the mechanism of RS in these devices. 相似文献
47.
48.
49.
基于支路追加法的配电网混联线路电力线载波通信信道建模 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种基于支路追加法的中压配电网混联线路的电力线载波通信信道建模方法。根据配电网拓扑结构,利用支路追加法,逐一追加网络各条支路,列写该支路的伏安特性独立方程和基尔霍夫定律电流方程,生成一组具有唯一解的网络矩阵方程。通过该矩阵方程中各未知变量的比值关系,求解信号的传输函数,分析信道的传输特性。当配电网网络结构发生改变时,只需在原代数矩阵方程基础上,增减矩阵中的相关行与列即可得修改后的新矩阵方程。该建模方法原理清晰,运算量小,适用于树形网络、手拉手网络及环网等各种拓扑结构。仿真及实验测试验证了所提方法的正确性。 相似文献
50.
Extrinsic lattice matched InAlAs/InGaAs/InP HEMT model, incorporating the parasitic source and drain resistance, for very high frequency application is developed. The current voltage characteristics and the transconductance have been evaluated and the influence of carrier concentration dependent mobility on frequency has also been analyzed. A cut-off frequency of 135 GHz is obtained. 相似文献