论悬移质含沙量沿垂线的分布

按扩散理论、二相流理论、湍流猝发理论和随机理论对悬移质含沙量沿垂线分布的近期研究成果进行了分析、归纳和总结.得到了一个与张红武分布公式等价，但更简单，应用更方便的结果，给出了应用实例.推导了基于二相流理论、湍流猝发理论和随机理论的悬移质垂线分布的解析公式.     

应变液晶研究进展

近年来在聚合物分散液晶与聚合物网络液晶研究中发现的应变液晶（stressed liquid crystal,SLC）引起国外研究者的极大兴趣。鉴于国内还缺乏相关研究的报导,本文综述了应变液晶之剪切液晶、拉伸液晶及压缩液晶的概念、基本理论和独特电光特性;并分别介绍了其在快速转换装置、大相位调制材料、空间光调制器、大孔径液晶透镜及棱镜、以及可调光栅等方面应用的研究进展以及可能在微显示、光学衍射元件和分光器件上的应用。     

Open-tube vapor transport epitaxy of Hg1−xCdxTe

A novel set-up for horizontal open-tube vapor transport epitaxy of Hg_1−xCd_xTe films is described. Mirror-like Hg_1−xCd_xTe epitaxial layers with thicknesses up to 40 Μm were grown and characterized. The growth temperature ranged from 380 to 550‡C, with growth rates of the order of 0.5–7 Μm per hour. The concentration depth profiles and the optical and electrical properties of relatively uniform films with x≈0.3–0.4 are reported. The process kinetics are studied. A simple model which takes into account the reactions occurring at the boundaries of the epitaxial layer and the interdiffusion in the epilayer is presented and discussed. The model fits the experimentally observed characteristics of the epitaxial growth process. A constant growth rate leading to a linear dependence of film thickness upon deposition time y–y_i=k_s t is derived. The reaction rate constant k is given by k_s=k_oe^−Ea^/kT with k_o=0.18 cm-sec⁻¹and the energy of activation E_a=1.12 eV.     

Metalorganic InP and Inx Ga1-x,Asy P1-y,on InP epitaxy at atmospheric pressure

We present a procedure for the MOVPE of InP as simple as the one currently used for GaAs. InP and InGaAsP alloys are grown on InP substrates using trimethy1indium (TMI), phosphine, trimethylgallium (TMG) and arsine. The choice of carrier gas is important ; a mixture of hydrogen and nitrogen allowed us to grow uniform layers over large areas at atmospheric pressure, without pyrolizing the phosphine or separating the input reactants. Preliminary characterization results are presented. Most information contained in this paper was presented at the 1983 Electron Materials Conference as paper Cl.     

一种用于短距离器件的带自校准的Σ-Δ分数分频频率综合器

介绍了一种应用于433/868MHz频段短距离器件的分数分频频率综合器. 采用带自适应频率校准的宽带压控振荡器来覆盖要求的频段,并采用3位量化、3阶的Σ-△调制器来实现分数分频和改善锁相环的带外噪声. 测试结果表明,自适应频率校准能够正常工作,压控振荡器的频率调节范围为1.31~1.18GHz,在3MHz频偏处的带外噪声为-139dBc/Hz,分数毛刺低于-60dBc. 芯片采用0.35μm CMOS工艺,芯片面积仅为1.8mm2,功耗仅为57mW.     

基于舰船辐射噪声的舰船目标定位技术

通过声传感器阵列可实现对声源的自适应检测定位及跟踪,这使得它在目标探测、故障诊断等诸多领域有着广泛的应用。在复杂环境中,常规的相关方法对于声源的定位往往难以得到准确的定位结果。针对常规时差测向定位抗干扰性能差和易受噪声影响,特别是噪声存在显著的尖峰时更不能得到满意结果的问题,本文提出基于盲分离的定位算法改进其性能。通过仿真实验,可以看到本文提出的定位方法能够取得更稳定、准确的结果。     

增益自适应高频低噪声放大器的单片集成设计研究

高频低噪声放大器(LNA)是无线通讯设备关键器件之一。由于无线通讯设备特别是移动通讯设备使用环境的条件限制,往往需要LNA器件具有自适应增益功能,以保证接收信号的稳定性。拟设计一款具有自适应增益控制的高频LNA单片集成电路,以TSMC 0.18μm的RF-CMOS器件模型和工艺参数,给出一个增益范围在0~17dB、噪声抑制比为0.2dB,适用于DCS1800手机中的1.8GHz增益自适应CMOS放大器电路。     

相位调制在可见光与红外图像融合中的应用

根据实际应用中要求图像融合算法简单有效的要求,提出了相位调制的图像融合算法,首先对可见光图像和红外图像按照通信原理中的相位调制方法进行相位调制,然后通过逆变换得到融合图像,通过实验表明,该算法在图像视觉效果、包含的信息量以及细节信息上都取得很好的效果,融合效果优于小波变换等算法。     

一种新的InSAR相位解缠算法

干涉相位解缠直接影响到干涉合成孔径雷达(InSAR)高程测量精度,是InSAR处理及其重要的一步。文中在研究了最小二乘法相位解缠的基础上,提出了一种基于解缠相位误差迭代补偿的加权最小二乘法。首先,采用加权最小二乘法得到相位解缠的初值,然后,再通过对解缠误差相位的迭代补偿,对解缠效果进行优化。另外,针对迭代次数的合理选择,还设计了一种迭代机制,避免了迭代次数过多引入的补偿冗余和迭代次数过少导致的补偿不足。相比最小二乘法,该方法通过加权处理对相位噪声的全局影响进行了约束;通过误差迭代补偿进一步大大提高了解缠精度。仿真试验结果表明:文中所提方法具有优越性。     

连续相位调制解调器的FPGA实现

针对连续相位调制解调硬件实现复杂度高的问题,提出一种基于FPGA的低复杂度硬件实现方案.该方案中,调制器采用查表法,解调器采用Max-Log-MAP算法.该方案具有复杂度低、速度快、易于生成IP核等优点.利用Xilinx公司的Virtex-2 Pro系列开发板,对调制解调器进行测试,验证了该系统方案的正确性.该设计可作为连续相位调制解调专用集成芯片开发的参考.