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92.
在多站无源均值定位算法中,为了解决部分传感器间夹角过大或过小所导致的定位精度下降问题,提出一种基于虚拟量测变换的多传感器管理无源定位算法.首先在全局坐标系下分析了传感器间夹角对误差几何稀释度(GDOP)的影响,进而得到双站获得较好定位精度的夹角约束关系;其次针对不满足该约束关系的传感器组合提出一种虚拟量测变换定位算法,通过空间管理的方法达到对传感器的优化布站,并结合算法的实施步骤对其原理及特点进行了理论分析,尤其对变换前后的交点精度进行了比较.仿真结果表明虚拟量测算法的定位精度要明显优于均值算法,进而说明该算法的有效性及传感器管理在多站无源定位中的重要作用. 相似文献
93.
由于目前针对含三维内裂纹的岩石破坏红外热像特征的研究较少,本文基于预埋浇注法制作含内裂纹类岩石试件,开展了单轴压缩块体试验和巴西圆盘劈拉试验,得到含内裂纹的岩石破坏过程,监测内裂纹扩展及试件破坏过程中的红外热像特征,得到以下结论:(1)含三维内裂纹的块体试件在单轴压缩下,在预制内裂纹面上发生剪切破坏;(2)块体试件在单轴压缩作用下红外热像特征明显,在破坏时,在预制内裂纹面处急剧升温;(3)含三维内裂纹巴西圆盘试件在预制内裂纹尖端发生翼型裂纹扩展,边缘带有针刺状Ⅲ型裂纹参与特征,最终翼型裂纹与上下表面贯穿;(4)巴西圆盘试验的红外热像特征与块体单轴压缩不同,在断裂面处未发生明显变化。研究结果为研究三维内裂纹的扩展规律及内裂纹扩展破裂的红外热像规律可提供一定的试验参考。 相似文献
94.
95.
提出了一种面向大视场高精度视觉测量的多红外目标靶点(红外LED)亮度自适应控制方法。以微控制器PIC16F873A和LED驱动芯片MAX6964作为核心器件,设计了可满足大空间范围内靶点亮度控制需求的多目标靶点控制驱动器。为了使LED在近距测量时的调节精度和远近距离测量时的发光亮度都能满足要求,根据MAX6964输出特点设计了PWM信号输出电路,并采用推挽电路驱动LED。实验证明,目标靶点在CCD相机上成像光斑稳定一致。 相似文献
96.
分析了红外技术在短距离无线通信中的优势,并将其应用在智能家居局域网中;结合安华高科技公司的HSDL-3020红外收发模块搭建了硬件电路,构成网络的主从节点;介绍了网络组建的过程,包括IrDA协议栈结构、数据编码格式、链路连接、网络管理机制等。本设计实现了对家居设备的统一管理,具有较高的应用价值。 相似文献
97.
该文提出了一种针对无源RFID标签的位置检测的方法。此方法将反向散射调制与地面标识相结合来估计标签的当前位置,不需要改变当前的RFID标准,利用现有的硬件条件就可以实现。文章首先介绍反向散射调制和地面标示估算标签位置的方法,并提出两种方法混合计算的优化算法流程,另外方法的改进措施也被提了出来。最后通过实验和仿真来说明这种方法的有效性和稳定性。 相似文献
98.
99.
改进神经网络在芝麻油掺伪检测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
研究芝麻油掺伪检测问题,提高检测精度。由于成分复杂,掺伪后化学成分变化,直观难以检测。传统物理或化学芝麻油掺伪检测方法操作复杂,设备昂贵,存在不同程度缺陷。结合近红外光谱技术和神经网络优点,提出一种RBF神经网络-近红外光谱的芝麻油掺伪检测方法(NIR-RBF)。首先采用近红外光谱提取芝麻油样本的光谱信息,然后采用主成分分析提取光谱信息主要有效成分,最后将主要有效成分输入到神经网络进行学习,得到芝麻油掺伪检测结果。采用建立的模型对掺入不同类型植物油的芝麻油进行检测,结果表明,相对于其它芝麻油掺伪检测方法,NIR-RBF提高了检测精度和速度,降低了检测误差,是一种快速、有效的芝麻油掺伪检测方法。 相似文献
100.
Hg1-xMnxTe semiconducting semimagnetic alloy has been examined in the context of its possible applications in infrared detectors.
For analysis of detector properties the intrinsic carrier concentration has been calculated as a function of temperature and
crystal composition. The starting material was In-doped Hg1-xMnxTe grown by the modified Bridgman method. The as-grown crystals with manganese content of 12-19% were p-type with carrier
concentration
and mobility of 100 cm2/ Vs at 77 K. An-type layer was formed on the surface by the annealing process in saturated Hg-vapour at 270-320° for 2 hrs. Capacitance-voltage
curves have C-3 dependence on applied voltage indicating that the junction is linearly graded. From standard electrical measurements and
spectral characteristics the main detector parameters were determined and compared to those of Hg1-xCdxTe devices. The influence of material properties on detector parameters was analyzed. In order to estimate the carrier transport
mechanisms, differential resistivities and current-voltage curves were measured over a wide range of temperaturesi.e. 25 to 300 K. From the temperature dependence of the R0A product, it was established that at high temperatures (150-300 K) the carrier transport is dominated by a recombination-generation
mechanism. In low temperature region the excess current at forward bias is probably attributed to carrier tunneling via energy
states distributed randomly within the forbidden gap. At reverse bias the leakage surface or volume currents dominate in the
carrier transport. 相似文献