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理论上通过篡改FPGA位流,利用其实现的密码算法的错误输出可以分析出密钥,但这种攻击通常需要非常了解目标FPGA的内部结构与位流的对应关系。而位流逆向的难度很大,导致此类攻击的实用性不高。文章提出一种针对FPGA位流的自动化故障注入分析方法,不需要逆向位流,结合张帆等人提出的持久性故障分析理论,把因篡改算法常量导致的出错结果作为可利用的故障。并首次在Xilinx-7系列FPGA开发板上利用Spider进行电压故障注入实验,480条错误密文就可以得到AES-128的密钥,且在10 min内可以完成数据的采集和分析。对于加密位流的情况,可以先利用电磁侧信道分析方法得到明文位流,再结合该文的分析方法来进行密钥破解。 相似文献
32.
通过运用Moldnow软件对数码相机面壳注射成型进行了流动模拟分析,预测在不同浇口位置和数目的情况下可能存在的气泡和熔接痕位置,确定了最佳的浇口数目和位置. 相似文献
33.
在高冶强的生产状态下,高炉如何优化各项技术经济指标,降低其成本,从而提高产品竞争力,是现代高炉操作者积极探索的问题。梅钢2号高炉通过精料、优化操作、改进工艺措施等的实施,实现了高炉高冶强下的指标优化。 相似文献
34.
35.
36.
研究了Windows操作系统下的一种木马检测技术,该木马结合了远程线程注入、动态链接库(DLL)等技术。针对目前最新的远程线程注入实现木马隐藏的关键技术,提出了一种进程被远程注入动态链接库的检测方法和相应动态链接库的卸载方法。实验表明,这种方法对已被远程线程注入DLL的进程检测和恢复效果明显。 相似文献
37.
在地浸采铀生产过程中,控制抽注液平衡和高效识别抽注液异常状态是保障浸出效能和井场的安全重要措施。以内蒙古某铀矿为例,介绍了该铀矿抽注液平衡联动控制与抽注液异常监测方面数字化技术的应用情况,探讨了应用数字化技术前后该铀矿山抽注液管控效能的变化。结果表明,应用数字化技术进行抽注液平衡控制能有效解决抽注液调控过程中人工控制所存在的劳动强度大、调控不及时和精度不足的问题;合理的模型设计能够高效识别抽注液异常状态。建立抽注液数字化管控体系有助于实现精益化管控、提升井场生产效能、降低安全风险。 相似文献
38.
Copper MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) using liquid injection for effective delivery of the (hfac)Cu(vtmos)
[1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato(vinyltrimethoxysilane) copper(I)] precursor has been performed to clarify growth
behavior of copper films onto TiN, <100> Si, and Si3N4 substrates. Especially, we have studied the influences of process conditions and the substrate on growth rates, impurities,
microstructures, and electrical characteristics of copper films. As the reactor pressure was increased, the growth rate was
governed by a pick-up rate of (hfac)Cu(vtmos) in the vaporizer. The apparent activation energy for copper growth over the
surface-reaction controlled regime from 155°C to 225°C was in the range 12.7–32.5 kcal/mol depending upon the substrate type.
It revealed that H2 addition at 225°C substrate temperature brought about a maximum increase of about 25% in the growth rate compared to pure
Ar as the carrier gas. At moderate deposition temperatures, the degree of a <111> preferred orientation for the deposit was
higher on the sequence of <Cu/Si<Cu/TiN<Cu/Si3N4. The relative impurity content within the deposit was in the range 1.1 to 1.8 at.%. The electrical resistivity for the Cu
films on TiN illustrated three regions of the variation according to the substrate temperature, so the deposit at 165°C had
the optimum resistivity value. However, the coarsened microstructures of Cu on TiN prepared above 275°C gave rise to higher
electrical resistivities compared to those on Si and Si3N4 substrates. 相似文献
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