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81.
1xEV-DO[1]是CDMA2000 1x针对数据业务的增强系统.为提高数据传输速率,其前向链路用16个并行的码道传输调制符号,各码道由正交码-Walsh码隔离.但是这种正交性却被多径衰落信道破坏,产生了多码道干扰[2],严重影响了系统在高速传输数据时的性能.本文在1xEV-DO前向链路中引入了一种符号级迭代多用户检测器,用于消除多码道干扰.仿真结果表明,符号级迭代多用户检测器的性能好于Rake接收机和码片级均衡器,能够较好地解决系统在多径衰落信道中高速数据传输的问题. 相似文献
82.
多属性决策在雷达干扰效果评估中的应用研究 总被引:3,自引:0,他引:3
结合空防对抗的特点和雷达干扰的方法,对影响雷达干扰效果的各种因素进行分析,依据多属性决策(MADM)的理论和方法,提出了基于MADM的雷达干扰效果评估模型,有效地解决了雷达干扰效果评估这一复杂问题。 相似文献
83.
Jiaqi Ke Zhipeng Wen Yang Yang Rong Tang Yongchao Tang Minghui Ye Xiaoqing Liu Yufei Zhang Cheng Chao Li 《Advanced functional materials》2023,33(26):2301129
Artificial interface layer engineering is an efficacious modification strategy for protecting zinc anode from dendrite growth and byproducts formation. However, the high bulk ionic conductivity of most artificial interfacial layers is mainly contributed by the movement of anions (SO42−), which is the source of parasitic reactions on zinc anode. Herein, a high zinc ion donor transition (σZn2+ = 3.89 × 10−2 S cm−1) imidazole polymeric ionic liquid interface layer (1-carboxymethyl-3-vinylimidazolium bromide monomer, CVBr) for Zn metal protection is designed. The N+ atom of imidazole rings is connected by chains to form the cavities and the anions are confined within these cavities. Thus, the hindering effect of surrounding units on the anions leads to the subdiffusive regime, which inhibits the diffusion of SO42− in interface and increases Zn2+ transference number. Besides, the polycation-anion coordination mechanism of PolyCVBr ensures accelerated Zn2+ transition and realizes rapid internal Zn2+ migration channel. As a result, the Zn@CVBr||AM symmetry cells deliver high bulk ionic conductivity (4.42 × 10−2 S cm−1) and high Zn2+ transference number (tZn2+ = 0.88) simultaneously. The Zn@CVBr||AM-NaV3O8 pouch cells display the capacity retention of 88.9% after 190 cycles under 90° bending, verifying their potential practical application. 相似文献
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85.
86.
来自于故障ONU(光网络单元)的异常上行光信号干扰是PON(无源光网络)中常见且难以彻底避免的问题,严重威胁着PON的稳定运行。文章针对ONU干扰问题,描述了ONU干扰的几种现象与可能原因,总结了典型的长发光告警检测方法,对故障ONU的定位方法进行探讨并对比了几种方法的优缺点,给出了一种在ONU侧对干扰问题进行异常防护的机制。 相似文献
87.
88.
轴间耦合干扰是影响3维电场传感器测量准确性的重要因素。该文提出了一种低耦合干扰的MEMS 1维电场敏感芯片,并将3个上述的芯片正交组合研制出一款低轴间耦合的MEMS 3维电场传感器。不同于已见报道的测量垂直方向电场分量的MEMS 1维电场敏感芯片,该文提出的芯片采用轴对称设计,在差分电路的配合下能够测量垂直于对称轴方向的面内电场分量,并能够消除正交于测量轴方向的电场分量的耦合干扰。该MEMS 3维电场传感器具尺寸小和集成度高等优点。实验结果表明在0~120 kV/m电场强度范围内,该MEMS 3维电场传感器的轴间耦合灵敏度小于3.48%,3维电场测量误差小于7.13%。 相似文献
89.
印制电路板的抗干扰设计 总被引:1,自引:0,他引:1
以印制电路板的电磁兼容性为核心,分析了电磁干扰的产生机理,详细介绍了在设计、装配印制电路板时的抗干扰措施。 相似文献
90.
可编程控制波长调谐的环形掺铒光纤激光器 总被引:3,自引:1,他引:3
提出了一种新型的可调谐光纤激光器,器件采用介质薄膜干涉滤波器进行波长可编程调谐,调谐范围超过38 nm(1 526.5~1 564.6 nm),中心波长可精确调谐到C波段指定的ITU-T波长栅格的标准中心波长处,3 dB带宽小于0.08 nm,25 dB带宽小于0.22 nm,波长稳定性优于0.01 nm,边模抑制比大于60 dB,最大输出光功率35.6 mW,功率稳定性优于±0.02 dB,阈值泵浦功率和斜率效率分别为5.8 mW和36.6%. 相似文献