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51.
52.
A Q‐band pHEMT image‐rejection low‐noise amplifier (IR‐LNA) is presented using inter‐stage tunable resonators. The inter‐stage L‐C resonators can maximize an image rejection by functioning as inter‐stage matching circuits at an operating frequency (FOP) and short circuits at an image frequency (FIM). In addition, it also brings more wideband image rejection than conventional notch filters. Moreover, tunable varactors in L‐C resonators not only compensate for the mismatch of an image frequency induced by the process variation or model error but can also change the image frequency according to a required RF frequency. The implemented pHEMT IR‐LNA shows 54.3 dB maximum image rejection ratio (IRR). By changing the varactor bias, the image frequency shifts from 27 GHz to 37 GHz with over 40 dB IRR, a 19.1 dB to 17.6 dB peak gain, and 3.2 dB to 4.3 dB noise figure. To the best of the authors' knowledge, it shows the highest IRR and FIM/FOP of the reported millimeter/quasi‐millimeter wave IR‐LNAs. 相似文献
53.
介绍了Ku波段和Ka波段主动雷达导引头的技术特点。着重对两者的快速性、探测能力、反隐身能力、精确估值能力、成像与精确定点能力、多目标能力进行比较。阐明了毫米波导引头是主动雷达导引头的发展方向。 相似文献
54.
AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor structures using atomic layer deposited high-dielectric-constant (High-k) Al2O3/La2O3 bilayer films as dielectric have been investigated using high-frequency capacitance-voltage measurement. The stable thickness and uniform surface morphology of the bilayer films with different La/Al deposition cycle ratio (La/Al ratio) were observed after rapid thermal annealing by spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy, respectively. We have found that with a decrease of the La/Al ratio, the dipole layer observed by X-ray photoelectron spectroscopy at Al2O3/La2O3 interfaces is close to the surface of semiconductor and the flat band voltage shifts to the negative direction. Furthermore, the dramatic drop in dielectric constant of the films as La/Al ratio decrease was caused by the formation of La(OH)3 in La2O3. Finally, the reason for the flat band voltage shifts, which is based on the dielectric constant of Al2O3 and La2O3 comprising the position of dipole layer in the dielectric films, is proposed. 相似文献
55.
Philipp Sippel Simon Heitz Mikaela Elagin MykhayloP. Semtsiv Rainer Eichberger W. Ted Masselink Thomas Hannappel Klaus Schwarzburg 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2016,24(3):307-314
We have realized a tandem solar cell design that combines a pin‐junction with a photovoltaic intersubband absorber. This concept allows harvesting light in the visible range and the near‐ and mid‐infrared at the same time, and theoretically, energy conversion efficiencies beyond the Shockley–Queisser‐limit could be achieved. A test structure was grown, and the operation of this concept could be confirmed, in principal with an optical two‐beam experiment. The basic characteristics of the device can be explained with an equivalent circuit design that consists of three individual cells, and we find an obvious analogy to the concept of the intermediate band solar cell with noteworthy advantages at some points. Our results show, that for a working device it is crucial to adjust the properties of the photovoltaic intersubband absorber for optimal charge separating performance at the working point of the solar cell. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
56.
GSM900/GSM1800双频网技术解决方案初步探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了GSM1800的特点,并从网络设计方面对双频网的组网方式、覆盖方式、话务控制、切换算法等技术解决方案进行了初步探讨。 相似文献
57.
58.
利用小波变换的3个高频分量之间相关特性,提出了基于球坐标变换的非线性小波变换图像压缩编码的方法,在小波收缩中,采用双曲线收缩处理球坐标下的径向分量以提高重建图像的质量,实验结果表明,此算法在压缩比和重建质量方面都取得较好的效果。 相似文献
59.
60.
利用星上微波光子技术,将多个频段微波信号调 制到光域,可解决数据在星上的高 速处理和星间远距离传输等问题。当多频段微波信号进行 光学调制时,交调失真是影响星上多频段微波信号光域传输性能的重要因素。研究了星上双 频段、每个频段内2信道的微波信号光学调制方法,分别推导了Ku、Ka波段微波信号的输出 信号噪声失真比(SNDR)和无杂散动态范围(SFDR)表达式,分析了 各次谐波和各阶交调失真分量对链路性能 的影响,获得了保证链路输出SNDR最优的最佳直流偏置相位和调制系 数。利用OptiSystem软件建立了仿真模型,并进行了仿真验证。研究结果表明 ,Ku 频段中非线性交调分量包括自频段三阶交调(IMD3)分量、频段间IMD3分量 和频段间二阶交调(IMD2)分量;Ka频段中非线性交调分量包括自频段IMD3分量、Ku频段IMD2分量、Ku频段二次谐波(HD2)分量以及频段间IMD3分量。对于Ku频 段信号,当调制系数和直流偏置相位分别为0.17和0.535π时,SNDR取得最优值21.50dB;对于Ka频段信号,调制系数和直流偏置相 位分别为0.22和0.525π时,SND R取得最优值15.32dB。 相似文献