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92.
Thermal Characterization of 1.3 μm InAsP/InGaAsP Ridge Waveguide MQW Lasers Based on Spectroscopy Method 总被引:1,自引:1,他引:0
An experimental way to analyze the thermal characterization of semiconductor lasers based on spectroscopy method under pulse driving conditions has been developed. By using this way the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser diodes have been investigated. Results show that by measuring and analyzing the lasing spectra under appropriate driving parameters and temperature ranges, the thermal resistance of the laser diodes could be deduced easily. A higher thermal resistance of 640 K/W has been measured on a narrow ridge laser chip without soldering. Other thermal and spectral properties of the lasers have also been measured and discussed. 相似文献
93.
关于生物系统超微弱发光的实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
生物系统存在超微弱光子辐射现象。通过一系列实验研究,我们认为,这种光子辐射既有低水平化学发光的性质,又有受激辐射的性质,是受激的低水平化学发光。 相似文献
94.
95.
We have performed selective area epitaxy (SAE) of CdTe layers grown by molecular beam epitaxy using a shadow mask technique.
This technique was chosen over other SAE techniques due to its simplicity and its compatibility with multiple SAE patterning
steps. Features as small as 50 microns × 50 microns were obtained with sharp, abrupt side walls and flat mesa tops. Separations
between mesas as small as 20 microns were also obtained. Shadowing effects due to the finite thickness of the mask were reduced
by placing the CdTe source in a near normal incidence position. Intimate contact between the mask and the substrate was essential
in order to achieve good pattern definition. 相似文献
96.
97.
微型电磁继电器的制作和仿真分析 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用平面线圈来代替螺线管线圈,有利于MEMS工艺,并且提出了一种双支撑的悬臂梁结构做为活动电极,具有较高的灵敏性和稳定性.另外,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真分析,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进一步优化. 相似文献
98.
99.
通过对甸镓砷磷半导体激光和常用He-Ne激光生物特性进行初步比较,说明半导体激光对治疗椎基底动脉供血不足疗效较明显。 相似文献
100.