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21.
New mesogenic homologous series having an azo central linkage was synthesized by fixing a rigid 4-methyl phenyl azo group
to resorcinol moiety. The terminal and lateral phenolic -OH groups were esterified, one by one, with 4-n-alkoxybenzoyl and acetyl group, respectively. All the twelve homologues synthesized exhibit mesomorphism. The methoxy ton-decyloxy andn-hexadecyloxy derivatives exhibit monotropic nematic mesophase whereas,n-dodecyloxy andn-tetradecyloxy derivatives exhibit enantiotropic nematic mesophase. The mesogenic properties of the present series was compared
with those of other structurally related mesogenic series.
Paper presented at the 5th National Seminar on Liquid Crystals, University of Jammu, Jammu, December 1997. 相似文献
22.
Ashraf Ayoub 《Computers & Structures》2003,81(7):411-421
This paper presents an inelastic element for the analysis of beams on foundations. The element is derived from a two-field mixed formulation with independent approximation of forces and displacements. The state determination algorithm for the implementation of the element in a general purpose nonlinear finite element analysis program is presented and its stability characteristics are discussed. Numerical studies are performed to compare the model with the classical displacement formulation. The studies confirm the superiority of the proposed model in describing the inelastic behavior of beams on foundations. 相似文献
23.
24.
介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。 相似文献
25.
26.
27.
The thermal stability of interfaces between metals (Ni, Pt, Ti, Mo) and III-V compound semiconductors has been investigated
by the application of Rutherford backscattering spectrometry. Metal diffusion and interfacial lattice disorder of the semiconductors
were analyzed for various metal/semiconductor samples annealed at temperatures up to 500°C. The interfaces of Ni/GaAs and
Ti/GaAs were found to be more stable than those of Ni/In-based semiconductors and Ti/ In-based semiconductors, respectively.
Faster diffusion of Pt atoms was ob-served in In-and As-containing materials than in P-containing materials. Mo/ semiconductor
interfaces were the most stable. 相似文献
28.
Shubneesh Batra Nanseng Jeng Akif Sultan Kyle Picone Surya Bhattacharya Keun-Hyung Park Sanjay Banerjee David Kao Monte Manning Chuck Dennison 《Journal of Electronic Materials》1993,22(5):551-554
When dopants are indiffused from a heavily implanted polycrystalline silicon film deposited on a silicon substrate, high thermal
budget annealing can cause the interfacial “native” oxide at the polycrystalline silicon-single crystal silicon interface
to break up into oxide clusters, causing epitaxial realignment of the polycrystalline silicon layer with respect to the silicon
substrate. Anomalous transient enhanced diffusion occurs during epitaxial realignment and this has adverse effects on the
leakage characteristics of the shallow junctions formed in the silicon substrate using this technique. The degradation in
the leakage current is mainly due to increased generation-recombination in the depletion region because of defect injection
from the interface. 相似文献
29.
运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,驱动电流达10~50AP-P激光器电源的要求. 相似文献
30.
对异常高压层厚度划分问题的探讨 总被引:4,自引:3,他引:1
通过对喇嘛甸油田800多口聚合物井、更新井的厚度划分及对15口井的异常高压层处理的实例,根据异常高压层在电测曲线上的反映特征,准确地将异常高压层识别出来,并采用本井上下相似层对比法、周围邻井砂体预测分析法、新老标准相结合法等综合分析判断方法,正确地划分异常高压层的厚度,将漏划或少划的厚度补划上。给后续的油层对比、水淹层解释、射孔方案的编制及动态、开发综合方案的调整提供准确的基础数据,并为套管损坏的防治、新钻井的异常高压层厚度解释提供了可借鉴的依据。 相似文献