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991.
基于箱基设计的一些假设及其结构力学的原理,推导了核心单筒悬挂式建筑考虑核心筒P-△效应及在各种水平荷载下的侧移公式.算例表明,考虑P-△效应的核心筒侧移与箱基倾角的耦合关系是十分重要的. 相似文献
992.
介绍了7榀钢框架及带填充墙钢框架结构的水平静力及低周反复加载试验。通过测试有墙和无墙钢框架试验模型在侧向力作用下的变形全过程,得到了墙体对钢框架结构强度和刚度的影响,了解了节点的破坏特征及墙体本身的工作性能,得到了有墙及无墙钢框架结构的滞回性能。试验中发现,填充墙体和钢框架之间的连接性能很好,墙体和框架可以共同工作。通过参数分析,给出了结构抗震弹性层间角位移的建议取值为1/350。在理论分析的基础上,提出了填充墙框架体系抗侧刚度简化公式,得到了试验结果的验证。 相似文献
993.
994.
995.
This paper examines the stability of thin three-layered truncated conical shells containing a functionally graded (FG) layer subjected to non-uniform lateral pressure varying with the longitudinal coordinate. The material properties of the functionally graded layer are assumed to vary continuously through the thickness of the shell, and the variation of properties follows an arbitrary distribution in terms of the volume fractions of the constituents. Further, the fundamental relations for stability and compatibility equations of three-layered truncated conical shells containing an FGM layer have been obtained. These equations, ascertained via Galerkin’s method, have been transformed into a pair of time-dependent differential equations. Then, critical non-uniform lateral pressure has been conclusively obtained. This paper is the result of a detailed parametric study conducted to determine the influences of thickness variations in the FG layer, radius-to-thickness ratio, lengths-to-radius ratio, and the material composition and material profile index on the critical parameters of three-layered, truncated, conical shells. Finally, the results will be validated through the comparison of obtained values with those in the existing literature. 相似文献
996.
文章主要论述了自平衡法深层平板载荷试验原理,分析了应用自平衡深层平板载荷试验成果推算基桩侧阻力的误差来源,并通过工程实践验证了这种误差,对采用自平衡深层平板载荷试验验证基桩承载力的理论和实践有一定的指导意义。 相似文献
997.
薄壁梁结构内力变化是车身结构碰撞分析中的重要特性。以几种常见的圆柱碰撞工况为例,应用一种基于壳单元有限元模型的薄壁梁结构截面内力特性计算方法,分析了横向冲击载荷下的结构内力响应特性。分析内容包括薄壁梁结构的截面内力和内力矩的变化、内力功率和能量传递特性等。研究表明,圆柱冲击结构和结构冲击圆柱两种基本碰撞类型的能量传递方式分别是扩散型和汇聚型,结构形式与载荷工况共同决定了主要承载方式和能量传递的主要途径。结构内力特性仿真分析揭示了薄壁梁结构碰撞响应的力学本质特征———载荷与能量变化特性,为车身结构设计分析提供了重要方法。 相似文献
998.
We present a semi-analytical model incorporating the effects of edge bond relaxation, the third nearest neighbor interactions,
and edge scattering in graphene nanoribbon field-effect transistors (GNRFETs) with armchair-edge GNR (AGNR) channels. Unlike
carbon nanotubes (CNTs) which do not have edges, the existence of edges in the AGNRs has a significant effect on the quantum
capacitance and ballistic I-V characteristics of GNRFETs. For an AGNR with an index of m=3p, the band gap decreases and the ON current increases whereas for an AGNR with an index of m=3p+1, the quantum capacitance increases and the ON current decreases. The effect of edge scattering, which reduces the ON current,
is also included in the model.
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999.
1000.
Nonvolatile Charge Injection Memory Based on Black Phosphorous 2D Nanosheets for Charge Trapping and Active Channel Layers
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Young Tack Lee Junyeong Lee Hyunsu Ju Jung Ah Lim Yeonjin Yi Won Kook Choi Do Kyung Hwang Seongil Im 《Advanced functional materials》2016,26(31):5701-5707
2D van der Waals atomic crystal materials have great potential for use in future nanoscale electronic and optoelectronic applications owing to their unique properties such as a tunable energy band gap according to their thickness or number of layers. Recently, black phosphorous (BP) has attracted significant interest because it is a single‐component material like graphene and has high mobility, a direct band gap, and exhibits ambipolar transition behavior. This study reports on a charge injection memory field‐effect transistor on a glass substrate, where few‐layer BPs act as the active channel and charge trapping layers, and Al2O3 films grown by atomic layer deposition act as the tunneling and blocking layers. Because of the ambipolar properties of BP nanosheets, both electrons and holes are involved in the charge trapping process, resulting in bilateral threshold voltage shifts with a large memory window of 22 V. Finally, a memory circuit of a resistive‐load inverter is implemented that converts analog signals (current) to digital signals (voltage). Such a memory inverter also shows a clear memory window and distinct memory on/off switching characteristics. 相似文献