具有低能耗辅助电路的并联谐振直流环节逆变器

为提高逆变器的转换效率,提出了一种具有低能耗辅助谐振电路的并联谐振直流环节逆变器.在传统硬开关逆变器的直流环节添加辅助谐振电路,使直流母线电压周期性地归零,实现逆变桥主开关器件的零电压开关,而且辅助开关器件也可以实现零电压关断和零电流开通.此外,其辅助谐振电路只有一个辅助开关器件,控制简单;辅助开关和谐振元件都位于直流母线的并联支路上,有利于降低辅助谐振电路的能耗.对其工作原理进行分析,给出不同工作模式下的等效电路图和软开关的实现条件.制作一个5kW的实验样机,通过实验结果验证该软开关逆变器的有效性.     

超宽带低损耗带状线-共面波导垂直互联设计

随着电子技术向更高集成度和小型化发展,三维电路布局日益普及,其中毫米波信号在表层与内部电路间的有效传输变得尤为关键。本研究设计了一种新型超宽带低损耗的带状线-共面波导垂直互联结构,以应对互联结构中寄生电感和电容引起的信号反射和辐射问题。通过等效电路模型分析和参数初步设计,结合三维场仿真优化,确定了最终设计参数。该互联结构采用0.2 mm直径的通孔实现连接,并具有仅0.8 mm直径的隔离环,保证了结构的简洁性和易于加工的特点。仿真结果表明,该设计可实现DC~80 GHz的宽带覆盖,S₁₁小于-13 dB,S₂₁大于-0.4 dB,显示出优异的性能。为了匹配测试系统,设计了测试板转换至同轴接口的转换结构,使其工作频率达到40 GHz。实际测试结果显示,在DC~40 GHz范围内,回波损耗小于11 dB,插入损耗小于0.4 dB,进一步验证了设计的有效性和实用性。     

螺旋推进式油茶籽壳低损清选机设计及试验

针对现有齿光辊式油茶籽壳清选机存在“磕籽”现象,造成油茶籽损失率较高的问题,利用油茶青果脱壳后的籽、壳物理特性的差异,设计了螺旋推进式油茶籽壳低损清选机,对该清选机螺旋辊直径与长度、螺旋辊转速、螺纹形式、螺距和螺旋升角等关键参数进行设计,建立油茶籽受力模型。以清选率和油茶籽损失率为评价指标,采用单因素试验和响应面试验对清洗机工作参数喂入量、螺旋辊转速和对辊间隙进行优化。结果表明：设计的螺旋推进式油茶籽壳低损清选机螺旋辊的直径为50 mm,长度为1 000 mm,转速不超过200 r/min,螺距为50 mm;螺纹采用双螺旋形式布置,螺纹横截面形式为直角梯形,工作倾角为120°,螺纹高为4 mm;螺旋升角为30°;优化的工作参数为喂入量1.1 t/h、螺旋辊转速170 r/min、对辊间隙12 mm,并在该清选机的上平面设计毛刷以增大清选过程中油茶壳姿态调整的概率,在此优化条件下该清选机的清选率为90.39%,油茶籽损失率为0.54%。综上,设计的螺旋推进式油茶籽壳低损清选机达到了预期设计目标,可以较好地完成油茶籽壳混合物的清选作业,同时大幅降低油茶籽损失率。     

低损耗衬底上实现无源低通滤波器

分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.     

X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管

报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz～12.1GHz范围内,正向电流为10mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10V时开关电容小于20fF.     

用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉

提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装. 采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线. 热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性. 和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点. 为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.     

Reflection-Type Ferroelectric Phase Shifter With Defected Ground Structure

In order to obtain a low-loss ferroelectric phase shifter, we were designed and fabricated the reflection-type ferroelectric phase shifter with the defected ground structure (DGS) resonators. The ferroelectric phase shifter is consisted of a 3-dB 90° branch-line hybrid coupler and terminated reflective circuit with tunable ferroelectric DGS resonator which can provide a high Q resonator characteristic at high frequencies. The design parameters of equivalent circuit for the tunable DGS resonator are derived by circuit analysis method and three-dimensional full wave finite element method. At 13.5 GHz, the fabricated phase shifter exhibited an insertion loss of better than 3.4 dB.     

基于谱间预测和小波变换的成像光谱图像压缩算法

提出了一种基于谱间预测和小波变换的成像光谱图像压缩算法,利用谱间预测和二维小波变换分别去除图像的谱间和空间相关性,并结合波段排序预处理和一种高效的基于四叉树分裂的逐小波子带编码方法,取得了较好的编码效果.实验结果表明,在相同压缩比条件下,采用该算法得到的重建图像的峰值信噪比比JPEG2000标准平均提高3.69dB.该算法的压缩码流具有一定的抗误码性能,比较适合面向遥感平台的应用.     

SiC BJT的新型高速低损驱动电路设计

SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要。针对传统双电源阻容RC(resistance-capacitance)驱动电路的不足,设计了一种双电源阻性时序驱动电路。该驱动电路由开通支路、稳态支路和关断支路3个支路组成,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制3个驱动支路。该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路相比较,其驱动损耗减小很多。为了验证新驱动电路的优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样板,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能。     

Scanning reflection electron microscopy of surface topography by diffusely scattered electrons in the scanning electron microscope

In this paper, the technique of scanning reflection electron microscopy (SREM) by diffusely scattered electrons in the scanning electron microscope is described in detail. A qualitative account of the formation of image contrast in SREM is also described. It is assumed that, for grazing geometry, forward-scattered electrons reflect from regions close to the surface, following a few scattering events within the first few atomic layers, and lose very little energy in the process. The penetration depth of the primary electrons is very limited, resulting in strongly peaked envelopes of forward-scattered electrons. It is also assumed that a surface containing topographic features presents a range of tilt angles, resulting in different reflection coefficients. Tilt contrast results because each facet has a different scattering yield, which is dependent upon local surface inclination. Full details of the instrumentation designed for SREM are described, and to illustrate the technique, results recorded from an epitaxial GaAs on GaAs crystal, Pb₂(Zr,Ta)O₆ thin film on silicon, and SiO₂ amorphous film on silicon are presented.