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21.
研究了一种频相扫体制的阵列天线.天线采用空气带状线结构的馈电网络,结合宽带单元天线,实现了该阵列天线在一维上频扫、另一维相扫的特性.通过仿真、优化确定各部分尺寸,并对其进行了实物加工和测试,测试结果表明:1)空气带状线馈电网络的损耗相对较小,平均为2.5 dB;2)该阵列天线的相对带宽达到14.7%(在雷达领域属于宽带天线阵列),其二维扫描角度均大于60°,在全带宽范围内,副瓣电平优于-18.5 dB,实现了一种频相扫体制的阵列天线.  相似文献   
22.
近场通信(NFC)已成为无线终端的标配功能,工作范围小、抗干扰性和安全性较高的特性使其被广泛应用于终端的移动支付和虚拟卡片等领域。由于近场天线产生的感应磁场会在临近的金属上耦合出反向涡流,并且金属屏蔽物覆盖会降低收发天线间的磁场耦合,紧凑终端中的电池、主板、外壳等金属元件将大幅影响NFC天线性能。本文从近场通信的历史、标准、系统结构出发,以终端NFC天线工作环境中的金属覆盖情况作为分类依据,对终端近场通信天线的研究进展进行了简要介绍。  相似文献   
23.
系统地研究了超导亚毫米波阵列振荡器的相位锁定问题。为使超导振荡器达到高工作频率、窄线宽和高稳定的性能,约瑟夫森结与结之间的相位必须相互锁定。相位锁定可以通过结与结之间的耦合电路得以实现。通过对振荡器的各种耦合电路的比较表明,蝴蝶领结天线结构是一个比较适合约瑟夫森振荡器相位锁定的耦合电路。本文提出了一种超导亚毫米波阵列振荡器模型并对其进行了模拟计算与分析,仿真得出了振荡器各项参数值,并给出了相位锁定的条件。  相似文献   
24.
同轴线斜置缝隙天线以其独特的辐射特性与阻抗特性,在通信和广播中得到广泛应用。文中对同轴线斜置缝隙振子的阻抗特性和辐射特性进行了全面分析,推导了等效阻抗与辐射场数学表达式,给出了例算结果。  相似文献   
25.
基于DDS的有源相控阵天线   总被引:7,自引:0,他引:7  
有源相控阵天线不仅能提高通信系统的性能,而且还能扩充其功能,所以在通信领域的应用越来越广泛.本文介绍一种没有高频移相器的8单元有源相控阵天线系统,它由平面天线阵、数字T/R组件、接收DBF和系统控制分析软件等组成.其基本原理是在发射模式下,利用直接数字合成(DDS)代替传统的高频移相器和衰减器.由于DDS的工作频率比较低,需要通过上变频到系统所需要的工作频率(2.0GHz).在发射模式下,通过控制DDS完成发射波束形成所必需的幅度、相位加权和上变频所必需的本振信号;在接收模式下,则利用DDS技术产生接收信号下变频所必需的本振信号,然后采用DBF技术形成接收波束.文中详细介绍了基于DDS的有源相控阵天线的实现方法和实验结果.通过8单元基于DDS的有源相控阵天线系统的研究,证实了DDS技术在相控阵天线中应用的显著优点和相控阵天线在通信领域具有潜在应用市场.  相似文献   
26.
曾祥银  徐善驾 《电子学报》2003,31(3):455-458
本文对NRD波导裂缝天线横向辐射现象进行了深入的研究.给出了一种分析波导缝隙横向辐射能量空间分布的有效方法.研究结果不仅对开放波导激励的缝隙天线的设计有实际意义,而且对以缝隙作为耦合结构的集成电路的研制,特别对抑制由横向辐射造成的干扰的研究有着重要的指导意义.  相似文献   
27.
瑞利衰落信道采用组合发射机SC/接收机 MRC的MQAM性能分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
李光球  曹晓波 《电子学报》2003,31(7):1080-1082
日益增长的无线业务需求要求提高衰落信道上无线通信的频谱利用率.本文研究一种使用组合发射机SC/接收机MRC(SC/MRC)的MQAM方案,推导其在平坦瑞利衰落信道上的误符号率,分析无线信道时变特性对系统性能的影响.数值计算结果表明该组合空间分集方案可以通过调整发射天线和接收天线的数目来获得比传统接收机分集接收更大的分集增益.  相似文献   
28.
FAFFA加速的PO-MM研究复杂金属载体上线天线电磁特性   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
华夷和  徐金平  牛臻弋 《电子学报》2003,31(Z1):2045-2049
本文提出了一种快速远场近似(FAFFA)加速的混合物理光学矩量法(POMM),利用FAFFA加速计算矩阵方程中的矩阵矢量积,明显提高了计算效率.对物体表面上的远场组之间的耦合作用推导出了一组简洁的计算公式,并分析了计算复杂度.复杂金属组合体上线天线输入导纳、互导纳和方向性图的计算结果与文献结果一致.利用该方法分析计算了一个舰船模型上线天线的电磁特性.数值结果表明了这种方法的正确性和工程应用中的有效性.  相似文献   
29.
在深亚微米 MOS集成电路制造中 ,等离子体工艺已经成为主流工艺。而等离子体工艺引起的栅氧化层损伤也已经成为限制 MOS器件成品率和长期可靠性的一个重要因素。文中主要讨论了等离子体工艺引起的充电损伤、边缘损伤和表面不平坦引起的电子遮蔽效应的主要机理 ,并在此基础上讨论了减小等离子体损伤的有效方法。  相似文献   
30.
用CMOS工艺实现非接触IC卡天线的集成化设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
倪昊  徐元森 《半导体学报》2003,24(5):466-471
论述了用CMOS工艺实现非接触式IC卡天线的集成化需要考虑的各个方面,建立了集成天线的模型,给出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案.实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量.在频率为2 2 .5 MHz、感应强度为6×10 - 4 T的磁场中,面积为2 m m×2 mm的集成天线可以为10 kΩ的负载提供1.2 2 5 m W的能量.  相似文献   
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