磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜

在单晶硅基片上用磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜.用X射线衍射分析薄膜的物相组成,用原子力显微镜和扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察和分析,利用X射线光电子能谱技术对薄膜中各元素沿深度的分布情况进行检测.结果表明:溅射所得薄膜为非晶态钨酸锆与氧化铜的复合薄膜,快速热处理和氢气还原后得到立方相钨酸锆与铜的复合薄膜,在760 ℃下热处理钨酸锆的结晶度最好,而在740 ℃热处理的薄膜质量最佳,薄膜中各成分沿厚度方向呈梯度分布.     

高导电性铜/聚吡咯涂层羊毛织物的制备与表征

为研究等离子体处理时间对铜/聚吡咯/羊毛复合织物的导电性能,拓展羊毛织物在柔性传感器领域的应用,利用等离子体气相沉积技术对羊毛进行去鳞片化处理,依次对羊毛织物预处理300、600、900、1200 s,然后在羊毛织物表面原位聚合构建聚吡咯膜层,并用磁控溅射沉积铜薄膜增强纤维表面的导电网络;借助扫描电子显微镜、傅里叶红外...     

雷达用磁控管自动老炼测试系统的设计

阐述了一种磁控管自动老炼测试系统的工作原理,介绍了其主要技术指标与系统组成,并给出了其软件的设计。该系统采用集中监控系统实现电源的监控以及磁控管性能数据的实时采集、显示和录取,提高了老炼测试效率和自动化水平。     

岛状纳米多孔金制备及其SERS特性研究

表面增强拉曼散射（surface-enhanced Raman scattering,SERS）技术将纳米结构材料和拉曼光谱相结合,解决了传统拉曼散射技术灵敏度低的问题,为痕量物质检测提供了新的技术手段。高SERS活性基底材料是将拉曼光谱应用到痕量物质检测中的关键。采用磁控溅射技术结合脱合金工艺在硅片上制备出岛状纳米多孔金SERS基底,该基底的孔隙尺寸和金韧带宽度的比值远小于传统纳米多孔金,有效地增强了金韧带之间的电磁耦合效应,表现出更强的局域电磁场。该基底的检测极限可达约10-10 mol·L-1,且SERS光谱相对强度与浓度呈现出较好的线性关系,动态响应范围可达3个数量级。同时该基底结构均匀、性能稳定,制备工艺具有良好的可重复性。     

涤纶基表面磁控溅射纳米铜膜的电磁屏蔽性能

通过射频磁控溅射的方法,将金属铜溅射到涤纶机织布表面;讨论了基材编织密度、溅射时间、低温等离子体预处理对镀膜织物电磁屏蔽效能的影响。结果表明,随基材编织密度的增加,镀铜织物导电能力有所增强,当电磁波频率相同时,增加基材编织密度,样品的电磁屏蔽性能略微提高;延长溅射时间,导电涤纶织物的电磁屏蔽效能明显增强;等离子体预处理后,样品屏蔽效能提高。     

PET基纳米结构Ag薄膜结构及导电性能

在室温条件下,采用磁控溅射法在PET纺粘非织造布上制备了50 nm厚的纳米结构Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)分析溅射真空室压强对纳米结构Ag薄膜结晶状态、粒径的影响;研究了溅射工艺参数与薄膜导电性能之间的关系。实验结果表明:溅射速率随着压强的增大先增大后减小;薄膜方块电阻的变化规律和溅射速率的变化规律一致;薄膜颗粒直径随着压强的增大先增大后减小,但在压强大于1.5 Pa时,薄膜颗粒直径随压强变化未呈现明显的变化规律。     

磁控溅射纳米纤维基银膜的结构和性能

在室温条件下采用直流磁控溅射方法,在醋酸纤维素(CA)纳米纤维表面沉积纳米银(Ag)薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对不同溅射功率的纳米银膜的形貌和微结构进行表征;利用X射线衍射分析了纳米银膜的结晶状态;同时研究了在不同溅射功率条件下制备的沉积纳米Ag膜复合纳米纤维的光学透射性能。实验结果表明：纳米结构银薄膜由极其微小的均匀性较好的粒子组成,随着溅射功率的增加,组成纳米Ag薄膜的Ag粒子尺寸增大,薄膜的致密性和均匀性增加;制备的Ag薄膜均呈面心立方的多晶结构,并且结晶性能随着溅射功率的增加而逐渐增加,抗紫外线透射能力明显增强。     

硫化锌衬底上氧化铪保护膜制备及性能研究

采用磁控溅射法在硫化锌衬底上制备了氧化铪薄膜,并对氧化铪薄膜的结构和性能进行了分析和测试.结果表明,制备的氧化铪薄膜结构为单斜相,膜层致密,在8～12 μm波段对硫化锌衬底的透过率没有明显影响,硬度显著高于衬底的硬度,且与衬底结合良好,适合用作硫化锌的红外保护膜.     

TiO2/SiO2纳米多层膜光学特性研究

采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了TiO2／SiO2纳米多层膜,用椭偏仪测试了薄膜的厚度和折射率。黑体实验研究表明,TiO2／SiO2纳米多层膜在800nm～1600nm区域内对红外线的吸收较好,且吸收率随着温度的升高而增大。红外光谱研究表明, TiO2／SiO2纳米多层膜在2300cm-1～2900cm-1区域内对红外线的吸收较好。     

非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备

以ZnO:Al(2%Al2O3,质量分数)为靶材,用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZnO:Al薄膜,分析了各沉积参数对薄膜光电性能的影响。结果表明:溅射功率对ZnO:Al的透过率影响最大,其次是反应腔室压力,而衬底温度对透过率几乎没有影响。ZnO:Al的电阻率主要取决于衬底温度和溅射功率。综合考虑透过率和电阻率,确定了背反ZnO:Al的最佳沉积参数(衬底温度为200℃,溅射功率为200W,反应腔室压力为0.6Pa),得到了透过率大于85%,电阻率最小为7.6×10-4Ωcm的ZnO:Al薄膜。制备了ZnO:Al/Ag/ss(stainless steel)背反电极,并将其用于非晶硅太阳能电池。与无背反的不锈钢衬底上的电池相比,非晶硅太阳能电池短路电流密度增加了16%。