用相位模板法制备紫外光写入光纤布拉格光栅的研究

利用相位模板，在２４８ｎｍ ＫｒＦ准分子激光器光束的照射下，在国产高掺锗单模光纤中制作出了中波长为１５４７ｎｍ，峰值反射率约为１０％，带宽为０．６４ｎｍ的调制光纤由拉格光栅。     

认识局域网中的IP地址

本文主要介绍了局域网中的IP地址,基于不同的情况,介绍了IP地址的设置。     

彩显平面荫罩振动的实验研究

纯平阴极射线管中荫罩的振动会影响图像的色纯度 ,本文提出了一种新的测试荫罩振动方法 ,介绍了彩显荫罩振动测试系统。该系统采用光电转换和计算机信息处理技术 ,对荫罩的振动进行了非接触式实时测量 ,给出了荫罩振动的幅频特性测量结果 ,为提高CRT的图像质量 ,降低荫罩振动对图像的影响提供了一个有力的工具     

A dry-patterned Cu(Mg) alloy film as a gate electrode in a thin-film transistor liquid crystal display

The annealing of a Cu(4.5at.%Mg)/SiO₂/Si structure in ambient O₂ at 10 mtorr and 300–500°C allows for the out-diffusion of the Mg to the Cu surface, forming a thin MgO (15 nm) layer on the surface. The surface MgO layer was patterned and successfully served as a hard mask for the subsequent dry etching of the underlying Mg-depleted Cu films using an O₂ plasma and hexafluoroacetylacetone (H(hfac)) chemistry. The resultant MgO/Cu structure, with a taper slope of about 30°, shows the feasibility of dry etching of Cu(Mg) alloy films using a surface MgO mask scheme. A dry-etched Cu(4.5at.%Mg) gate a-Si:H thin-film transistor (TFT) has a field-effect mobility of 0.86 cm²/Vs, a subthreshold swing of 1.08 V/dec, and a threshold voltage of 5.7 V. A novel process for the dry etching of Cu(Mg) alloy films that eliminates the use of a hard mask, such as Ti, and results in a reduction in the process steps is reported for the first time in this work.     

电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性，发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件，得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术，获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面，选择比达15：1。     

钨丝掩模大角度倾斜离子注入850nm垂直腔面发射激光器及其高频调制特性

采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2 m A以内,最低阈值为1.2 5 m A的85 0 nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3d B带宽最高为4 .0 GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用     

LIGA技术的掩模制造

ＬＩＧＡ技术是近几年才发展起来的一门新的技术，包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度Ｘ光曝光，所用的同步辐射Ｘ光较硬，这一曝光条件相应就需要Ｘ光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度，这样才能够阻档住Ｘ光，同时保证较高的光刻精度。     

Progress of super-resolution near-field structure in near-field optical storage technology

Super-resolution near-field structure (Super-RENS) is one of the most promising near-field optical recording schemes with significant application prospects. The development of Super-RENS from the basic type to the third-generation is introduced. The development of mask material and the application of Super-RENS in different recording systems are summarized.     

大面积复杂掩模图形的快速光刻仿真研究

大面积复杂掩模图形的光刻仿真,要同时满足高精度和高效率两个要求。为克服现有方法积分区域大,计算效率低等问题,提出了一种基于最有效影响区域的简化计算方法。该方法首先利用波前分割的方法确定影响光刻胶目标场点光强的最有效影响区域,以此局部区域替代原来的整体积分区域作光强的计算,将积分区域由整个掩模图形缩小为图形的一小部分。试验结果表明,该算法与现有方法比较,精度上非常接近,但速度显著加快,且稳定可靠。该方法能够快速准确地对大面积复杂掩模图形进行光刻仿真,具有重要的应用价值。