基于SolidWorks的CAD模型直接切层研究

针对面曝光快速成形系统的需要,提出了基于SolidWorks的CAD模型直接切层方法.利用SolidWorks在工程图环境下的剖切功能,实现对CAD模型的直接切层.解决了对复杂CAD模型切层时出现的截面错位问题.论述了用于多种曝光模式的截面填充样式的实现方法.以该切层方法得到的CAD模型的截面图形作动态掩膜,利用面曝光快速成形系统成功制作出了三维实体原型,表明该直接切层方法适用于面曝光快速成形系统.     

A dry-patterned Cu(Mg) alloy film as a gate electrode in a thin-film transistor liquid crystal display

The annealing of a Cu(4.5at.%Mg)/SiO₂/Si structure in ambient O₂ at 10 mtorr and 300–500°C allows for the out-diffusion of the Mg to the Cu surface, forming a thin MgO (15 nm) layer on the surface. The surface MgO layer was patterned and successfully served as a hard mask for the subsequent dry etching of the underlying Mg-depleted Cu films using an O₂ plasma and hexafluoroacetylacetone (H(hfac)) chemistry. The resultant MgO/Cu structure, with a taper slope of about 30°, shows the feasibility of dry etching of Cu(Mg) alloy films using a surface MgO mask scheme. A dry-etched Cu(4.5at.%Mg) gate a-Si:H thin-film transistor (TFT) has a field-effect mobility of 0.86 cm²/Vs, a subthreshold swing of 1.08 V/dec, and a threshold voltage of 5.7 V. A novel process for the dry etching of Cu(Mg) alloy films that eliminates the use of a hard mask, such as Ti, and results in a reduction in the process steps is reported for the first time in this work.     

超薄氧化铝模板的制备及应用

基板上大面积的有序纳米阵列,在电子学、光电子学、传感器、催化剂、太阳能电池、高密度储存、场发射设备和超薄显示设备等领域具有广阔的应用前景.综述了一种构造表面有序纳米结构的新方法--超薄氧化铝模板法.根据超薄氧化铝模板的制备方法又分为附着型和结合型.还总结了近年来该方法的应用.     

晶体管的计算机辅助设计

将晶体管设计中繁琐的纵向、横向参数的设计计算以及参数验算,采用Basic人机对话方式,由计算机完成。并用BAsic语言绘制出所需的七块光刻掩膜图。既大大地减轻了设计人员繁琐劳动、缩短了设计时间、提高设计质量,又便于修改。还可广泛用于同种结构的不同动率要求的各种晶体管的设计中。     

双极模拟集成电路版图识别的模式识别算法

双极模拟ＩＣ在广泛应用于个人移动通信ＲＦＩＣ中占有重要地位。双极模拟ＩＣ版图识别与验证是其ＣＡＤ研究的重要内容之一。基于模式识别和专家系统的思想,提出了一种双极模拟ＩＣ版图识别的模式识别算法。该方法定义了五种基本版图图形关系,在此基础上构造了版画图技术向量,建立了算法系统及识别系统。该识别算法的优点在于与具体工艺过程无关,从而使识别过程完全系统化。实验表明,该识别系统有效、准确、可靠。     

相位掩模版接缝相差对光栅反射峰的影响

电子束刻蚀啁啾相位掩模版采用的是分步啁啾的方法,而掩模版制造过程中分步之间的接缝误差是啁啾光纤光栅反射峰不平坦的一个重要因素.本文以不同分步步长,总长度140mm的相位掩模版为例,理论分析和比较了不同接缝误差对啁啾光纤光栅反射峰的影响.分析表明,最大相位误差为3°和7°时,光栅反射峰波动的统计平均分别为0.98%和2.31%.进行相关试验研究以上相位掩模版写入光栅的反射特性,得出结论与理论分析一致.     

基于虚拟曝光图像的立体高动态范围图像合成算法

本文提出基于多视点多曝光图像的立体高动态范围图像合成算法。首 先,考虑多视点多曝光 图像以及相机响应函数曲线的特性,提出一种虚拟曝光图像绘制算法,将不同曝光的图像绘 制到同一视点;然后, 为了使绘制曝光图像保留更多细节和结构,需要对绘制虚拟曝光图像进行空洞填补及边缘修 复,故引入了边缘差值 掩膜图,对图像边缘信息进行校正平滑处理;最后利用绘制的虚拟曝光图像合成立体高动态 范围图像。实验结果表 明,获得的绘制曝光图像与参考曝光视点图像之间的结构相似性高达0.99以上,且合成的 高动态范围图像质量高。     

"自上而下"法制备高性能GaN纳米线阵列

针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1 000 W,RF功率为100 W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30 min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。     

基于混合编码的FPGA系统配置文件压缩算法

随着集成电路制作工艺的提升,FPGA可重构资源数量不断增加,导致配置文件体量过大从而引起配置过程耗时较长.针对这个问题,提出了一种基于混合编码的配置文件压缩算法MH-RLE.该算法根据二进制配置文件中“0”和“1”的分布特点,首先,采用RLE定长压缩方法对其进行压缩;然后,采用Huffman编码解决RLE定长压缩计数位“空零”问题;最后,使用提出的掩码方式进行二次压缩以进一步提升压缩率.实验结果表明:MH-RLE的平均压缩率为49.82%,相较于其他6种压缩算法其压缩率均有不同程度的提升,最多可提升12.4%.     

一种简单的衰减相移掩模

:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。