硅基光子材料和器件的进展

评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片,成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列,并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55μm波段,插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜,插入损耗会降低2～3dB,这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.     

A Temperature‐Controllable Microelectrode and Its Application to Protein Immobilization

This letter presents a smart integrated microfluidic device which can be applied to actively immobilize proteins on demand. The active component in the device is a temperature‐controllable microelectrode array with a smart polymer film, poly(N‐isopropylacrylamide) (PNIPAAm) which can be thermally switched between hydrophilic and hydrophobic states. It is integrated into a micro hot diaphragm having an integrated micro heater and temperature sensors on a 2‐micrometer‐thick silicon oxide/silicon nitride/silicon oxide (O/N/O) template. Only 36 mW is required to heat the large template area of 2 mm×16 mm to 40°C within 1 second. To relay the stimulus‐response activity to the microelectrode surface, the interface is modified with a smart polymer. For a model biomolecular affinity test, an anti‐6‐(2, 4‐dinitrophenyl) aminohexanoic acid (DNP) antibody protein immobilization on the microelectrodes is demonstrated by fluorescence patterns.     

High-voltage LDMOS transistors fully compatible with a deep-submicron 0.35 μm CMOS process

This work presents the design of LDMOS transistors fully compatible with a standard CMOS process, only requiring mask layout manipulation. A conventional 0.35 μm CMOS process was elected to demonstrate the viability of the approach. The prototyped LDMOS transistor exhibits a breakdown voltage of 24 V, which represents an improvement of 31% when compared with the high-voltage extended-drain NMOS available in the process library, while other static parameters remain in the same range. Furthermore, this solution enables the CMOS integration of a high-voltage pass-transistor, as a consequence of the formation of an isolated lightly doped p-type region inside the n-well.     

硅基光子材料和器件的进展

评述硅基光子材料和器件的进展，包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器，重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片，成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列，并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55pm波段，插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜，插入损耗会降低2～3dB，这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.     

iButton^TM微网络在自动钥匙管理系统中的应用

信息纽扣iButton^TM构建的微网络是一种主从式网络，它使用接地的单一数据线进行通信，成本低廉、构造简单且从设备无需自备电源，可广泛应用在多点数据采集的场合。本文介绍了iButton^TM以及其构建的微网络，并在此基础上，给出了一多点数据采集系统的设计实例——自动钥匙管理系统的设计要点。     

关于提高变频器调频速度的研究

本文介绍了作者的一项专利技术。对于需要比较快速、比较频繁地调整变频器频率应用场合,目前的通用变频器就很难满足这个需要,尤其是在大惯性负载上使用变频器时,须将升、降频（特别是降频）速度设置的比较慢,以适应由于惯性造成的电机转速的滞后。本专利技术克服上述传统变频器目前存在的缺陷,在传统变频器上增加比较简单并业已成熟的换相技术,为变频器的制造提供了一种新的附加技术。     

管道检测机器人自动云台机电系统

针对准确判断管道内损伤的需求,需要采集不同内径管道的图像,研制了可升降自动云台.云台的升降功能采用多级剪式机构实现,可满足直径为200～400 mm的管道采集图像的需要.云台的摄像头支座的运动采用了具有很好的自锁和跟踪功能的舵机来控制.该系统利用Mega16单片机对舵机的控制完成云台的自动控制.     

结构性对软土压缩特性的影响

针对同一地段的50个原状土样的试验数据进行统计分析,得出孔隙比、含水量、密度、干密度是影响软土压缩特性的重要因素。通过原状土和重塑土一维固结压缩试验,对固结系数、压缩系数、压缩模量进行分析,得出结构性对软土压缩特性有较大的影响。同时给出了压缩特性的微观行为。     

开关电源的电磁兼容性设计

中、小功率开关电源的单片集成化是开关电源的发展趋势之一。电路的高度集成化有助于开发出高效率、高密度、高可靠性、体积小的、重量轻的优质电源。但是,电磁干扰问题的复杂性和潜在危害性却随之加剧。所以,电磁干扰问题的深入研究对提高所设计产品的可靠性有着较大的现实意义。重点阐述了开关电源电磁干扰的危害,以无线电动钻充电电源为例,分析了开关电源的电磁干扰源存在的地方,进而介绍了针对确定的干扰源和耦合途径进行相应的电磁兼容性设计。实验证明,此方法可以获得满足电磁兼容性能要求的产品。     

变电站备自投装置应用中相关问题的分析与探讨

介绍了备自投装置应遵循的共同原则,分析探讨了备自投在定值整定、与继电保护的配合、以及电网规划等方面存在的问题,提出了相应的解决办法。