SUS301L不锈钢CO_2激光-MIG复合焊接头组织性能研究

针对2mm厚SUS301L奥氏体不锈钢薄板进行CO2激光-熔化极惰性气体保护电弧(MIG)复合对接焊试验,深入分析了焊接接头不同区域的显微组织及相组成,研究了装配间隙对焊接接头微观组织和力学性能的影响。结果表明,SUS301L奥氏体不锈钢复合焊接接头中心区域呈一定方向性的细小枝晶组织,未出现等轴晶区域,偏离焊缝中心区为垂直于熔合线向焊缝中心生长的柱状晶组织,距焊缝中心距离越远,晶粒越粗大;焊接接头主要由γ奥氏体相和少量δ铁素体相组成,焊缝凝固模式为铁素体-奥氏体结晶(FA)模式,凝固过程中发生的δ-γ转变由块状转变和相界面处的短程自由扩散作用共同完成;随着装配间隙的增大,焊缝残余δ铁素体含量逐渐降低,抗拉强度随之下降,断裂发生在焊缝靠近熔合线区域的粗大柱状晶区。     

纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.     

Structural,morphological, optical,and magnetic properties of Ni-doped CuO nanostructures prepared by a rapid microwave combustion method

In the present paper, we report a facile and rapid microwave-assisted combustion synthesis method for the preparation of pure and Ni-doped CuO nanostructures with different weight ratios (0.5, 1.0, 1.5, and 2.0 at wt% of Ni). The structure and morphology of the pure and Ni-doped CuO samples were investigated by X-ray diffraction (XRD), high resolution scanning electron microscopy (HR-SEM), energy dispersive x-ray analysis (EDX), diffuse reflectance spectroscopy (DRS), photoluminescence (PL) spectroscopy and vibrating sample magnetometry (VSM). XRD patterns refined by the Rietveld method indicated the formation of single-phase monoclinic structure and also confirmed that Ni ions are successfully doped into CuO crystal lattice by occupying Cu ionic sites. Interestingly, the morphology was found to transform substantially from nanoflowers to nanoparticles with close-packed periodic array, and then into nanocrystals with the variation of Ni content. The optical band gap estimated using DRS was found to be 3.9 eV for pure CuO and then increases up to 4.3 eV with increasing Ni content. PL spectra at room temperature showed a strong green emission band, and thereby confirmed the above results. Magnetic measurements reveal a room temperature ferromagnetism (RTFM) with an optimum value of saturation magnetization of 1.3140×10⁻³ emu/g for 2.0 wt% of Ni.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制     

Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。     

二维光子带隙结构圆波导特性的分析

利用CST微波工作室软件对二维光子带隙（PBG）结构圆波导的传播特性进行了研究。研究给出了PBG圆波导存在高次缺陷TM模的条件;证实了PBG圆波导不存在缺陷TE模,高次TEmax模有可能由于其场分布主要集中在缺陷区域而非常类似于缺陷TEml模（l〈n）,l与n之间的关系则与PBG圆波导的具体结构有关。并对本文的分析结果和计算方法进行了讨论。     

二维光子晶体透射特性的FDTD数值研究

把时域有限差分方法(FDTD)用于二维光子晶体透射特性研究,计算后得到多种情况下二维光子晶体的透射系数与入射光频率的关系曲线,结果表明,禁带的宽度和位置与组成二维光子晶体的晶格结构和介电常数等因素有关,介质柱半径变大则禁带变宽且禁带的中心频率变大,介质柱的介电常数与本底材料的介电常数相差越显著越有利于形成禁带,降低结构的对称性,禁带宽度增大.     

变周期结构光子晶体的带隙研究

研究了变周期结构的光子晶体,即两种介质的厚度随单元数增加而变化,并对其光子能带特性进行了分析.研究发现,相对于周期性光子晶体,相同单元数的变周期结构的光子晶体具有更宽的光子能带带隙,且周期非线性变化比线性变化结构有更宽的光子带隙,这样对于同样宽的带隙的光子晶体,可采用较少单元数的变周期结构光子晶体,这一结果有助于光子晶体的广泛应用.     

虚拟机自省中一种消除语义鸿沟的方法

虚拟机自省技术已经广泛应用于入侵检测和恶意软件分析等领域。但是由于语义鸿沟的存在,获取虚拟机内部信息时会导致其通用性和执行效率降低。通过分析现有语义鸿沟修复技术的不足,提出了一种称为ModSG的语义鸿沟消除方法。ModSG是一个模块化系统,将语义修复分为2部分：与用户直接交互的在线语义视图构建和与操作系统知识交互的离线高级语义解析。二者以独立的模块实现且后者为前者提供语义重构时必要的内核语义信息。针对不同虚拟机状态和不同内核版本操作系统的实验表明,ModSG在消除语义鸿沟上是准确和高效的。模块化设计和部署也使ModSG容易扩展到其他操作系统和虚拟化平台上。     

一维光子晶体全角度反射镜

在分析金属反射镜和多层周期反射镜优缺点的基础上，介绍了一维光子晶体出现全偏振全角度反射的原理。讨论了增加禁带宽度的方法及一维光子晶体全角度反射镜中存在的问题。