p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果作一概述性介绍，综述了纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理，主要的掺杂技术、方法，并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

Electrical and optical properties of fluorine-doped CdO films deposited by ultrasonic spray pyrolysis

The CdO:F samples have been deposited onto microscope glass substrates at 250 °C by ultrasonic spray pyrolysis method. With the incorporation of fluorine into CdO, the direct optical transition has shifted towards the shorter wavelengths, and the transparency of the material has increased at a given wavelength above the fundamental absorption edge. The shift in the absorption edge is explained by means of the Moss–Burstein effect, which is also supported with the results of the current–voltage characteristics. Here, a correlation has been established between the band broadening and the increase in conductivity due to the increase in carrier density.     

雅克拉凝析气田高压脱水工艺的成功应用

雅克拉凝析气田位于新疆阿克苏境内，2005年11月29日建成投运的260×10⁴m³/d雅克拉集气处理站是目前中石化最大的高压凝析气处理装置。该站的高压分子筛脱水工艺为两塔流程，采用差压再生（吸附压力5.9 MPa、再生压力2.8 MPa）、再生气自动回收工艺技术，并采用时序控制程序自动切换，具有工艺简单可靠、自动化程度高、热能利用率高、脱水露点深度高、操作维护简单、投资较少、运行成本低等优点，自建成投产以来运行稳定，效果十分显著。该工艺装置的成功应用，对类似脱水装置设计、操作具有一定参考价值。     

国内外微生物采油技术综述

生物技术特别是微生物采油技术，已经引起了石油工程技术人员的空前关注，目前在国内外开展的微生物采油先导性矿场试验已初见成效，较为典型的当数美国和俄罗斯，我国的吉林、胜利等油田也进行了矿场试验，增油效果令人鼓舞。同时，随着科学技术的发展，一些先进的微生物学研究工具已经进入微生物采油技术的研究领域，如分子生物学、示踪剂及可视化技术等已经成为微生物采油机理研究的重要工具。相关的石油烃降解理论以及建立数学模型等也取得了系列成果。微生物采油的应用也从过去的单井处理逐渐向整个区块或油田发展，并见到了明显效果。     

分子筛吸附器自动再生系统在DCS中实现

介绍了空分装置的分子筛吸附器再生系统的自动控制原理，选用集散控制(DCS)系统实现控制过程，解决了原仪表控制系统的设计、操作和运行上存在问题。新系统更合理、更安全可靠、操作更方便、直观，同时提高了净化工艺的自动化水平。     

Chemical vapor deposition of amorphous ruthenium-phosphorus alloy films

Chemical vapor deposition growth of amorphous ruthenium-phosphorus films on SiO₂ containing ∼ 15% phosphorus is reported. cis-Ruthenium(II)dihydridotetrakis-(trimethylphosphine), cis-RuH₂(PMe₃)₄ (Me = CH₃) was used at growth temperatures ranging from 525 to 575 K. Both Ru and P are zero-valent. The films are metastable, becoming increasingly more polycrystalline upon annealing to 775 and 975 K. Surface studies illustrate that demethylation is quite efficient near 560 K. Precursor adsorption at 135 K or 210 K and heating reveal the precursor undergoes a complex decomposition process in which the hydride and trimethylphosphine ligands are lost at temperatures as low at 280 K. Phosphorus and its manner of incorporation appear responsible for the amorphous-like character. Molecular dynamics simulations are presented to suggest the local structure in the films and the causes for phosphorus stabilizing the amorphous phase.     

用高分子复合材料修复轧管机组大型构件

介绍采用高分子复合材料修复用于钢管生产的轧管机组大型构件的方法。重点介绍机架轴承座孔的修复工艺流程 ,修复定位 ,技术操作要点及修复效果。