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21.
对微波陶瓷基印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对所采用的工艺技术的有效性进行了较为详细的论述。 相似文献
22.
一种基于PWM的电压输出DAC电路设计 总被引:16,自引:1,他引:15
对实际应用中的脉宽调制(PWM)波形的频谱进行了理论分析.指出通过一个低通滤波器可以把PWM调制的数模转换信号解调出来.实现从PWM到DAC的转换。论文还对转换误差产生的因素进行了分析,指出了减少误差的方法,论文给出了两种从PWM到0~5V电压输出的电路实现方法,第2种电路具有很高的转换精度。 相似文献
23.
Superconducting qubits are solid state electrical circuits fabricated using techniques borrowed from conventional integrated circuits. They are based on the Josephson tunnel junction, the only non-dissipative, strongly non-linear circuit element available at low temperature. In contrast to microscopic entities such as spins or atoms, they tend to be well coupled to other circuits, which make them appealling from the point of view of readout and gate implementation. Very recently, new designs of superconducting qubits based on multi-junction circuits have solved the problem of isolation from unwanted extrinsic electromagnetic perturbations. We discuss in this review how qubit decoherence is affected by the intrinsic noise of the junction and what can be done to improve it.
PACS: 03.67.-a, 03.65.Yz, 85.25.-j, 85.35.Gv 相似文献
24.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
25.
介绍数字正交上变频器AD9857的原理、功能和基本使用方法以及如何通过单片机8051实现对它的编程控制。 相似文献
26.
27.
三相全控桥式整流电路实验装置的研制 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。 相似文献
28.
29.
用溶胶-凝胶技术在Bi(100)衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜,其膜层组分分别为:Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3,对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量,通过椭偏光谱解谱分析研究,首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数,其结果显示:椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符;渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多,与体BaTiO3的折射率相接近,这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。 相似文献
30.