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991.
992.
详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能(包括化学清洗和聚合物层修饰)对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛(畴)间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0cm2/V.s、开关电流比达到106的OTFT器件;在高kHfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到105,载流子迁移率为0.6cm2/V.s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。 相似文献
993.
994.
LED信号灯二次光学设计 总被引:1,自引:0,他引:1
随着科学技术的发展,LED在很多领域中被应用得越来越广泛,如在信号灯中的应用,因此就需要对LED发出的光线进行二次光学设计。文中介绍了一种LED信号灯的二次光学设计思路和方法,通过对光通量的估算,设计出合理的LED分布、光学面罩和菲涅耳透镜。 相似文献
995.
996.
997.
脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%以内。输出级开关MOS管采用高密度的版图结构使单位面积的有效宽长比与普通结构的MOS管相比提高了一倍。芯片的电源效率可达87%,与以前设计的串联饱和型半导体照明LED恒流驱动芯片[1]相比提高近25%。 相似文献
998.
999.
凝析气约占中国已发现天然气资源的1/3,腐殖型凝析气是其重要组成部分。前人基于模拟实验,对腐殖型凝析气的成熟度分布范围进行过研究,但其结果差异较大,需用实际资料进行验证。经统计分析国内外主要腐殖型凝析气藏的156个凝析气甲烷碳同位素、72个凝析油甲基菲比值和甲基菲指数数据,结合腐殖型有机质生烃演化模式,发现腐殖型凝析气成熟度主要为R_o=0.57%~1.36%,在R_o=0.49%~0.57%和R_o=1.36%~2.28%时也具有一定的生气潜力。处于这3个阶段的腐殖型烃源岩均可排出凝析气,经运移聚集,可形成常规凝析气藏,留在烃源岩内部的可形成页岩凝析气藏。其中,R_o=0.57%~1.36%的腐殖型凝析气藏是重要的勘探目标区。 相似文献
1000.
为研究黏土矿物类型对页岩油中轻烃和重烃数量及变化规律的影响,借助人工合成的十六烷基三甲基氯化铵—蒙脱石和十六烷基三甲基氯化铵—伊利石有机黏土,使用压力机对合成有机黏土的柴油饱和样进行超压下孔缝排烃模拟实验。结果表明:在深层,纯黏土矿物选择残留重烃,纯蒙脱石较纯伊利石残留烃量更大;十六烷基三甲基氯化铵的介入直接使蒙脱石选择性残留轻烃,但没有改变伊利石的选择性残留特征;含十六烷基三甲基氯化铵的蒙脱石黏土页岩残留烃品质较好,多为轻烃化合物,十六烷基三甲基氯化铵含量对其影响相对较小;含十六烷基三甲基氯化铵的伊利石黏土页岩残留烃品质较差,多为重烃化合物,十六烷基三甲基氯化铵含量越多越利于残留烃的保存。 相似文献