一种X波段PD雷达信号处理系统的设计

对于X波段地面雷达，要使其在云雨等动杂波环境下的目标检测能力达到指标要求，信号处理机的合理设计非常重要。地面雷达PD方案至今尚无确定的形式。本文在研究雷达信号处理技术和算法的基础上，设计了一种地面PD雷达信号处理系统方案。     

-48V直流电源系统中的电压设置方案

介绍了-48V直流电源系统中是电压设置的基本原则，详细论述了三类通讯局（站）的电池放电终止电压的设置方法，以及高压告警点和低压告警点的设置方法。     

非穿透激光焊等离子体光信号与熔深的关系

在一定工艺条件下,焊缝熔合面积随线能量的增加线性增长,而在激光功率与焊接速度二者之中,激光功率对熔深有更为显著的影响,焊接速度则对熔宽影响较大.400nm~600nm波段的等离子体光信号可以较好地反映非穿透激光深熔焊熔深的变化,其均方根值与熔深成严格的二次曲线关系,另外还分析了等离子体光信号与焊缝熔深之间内在联系.研究结果为非穿透激光深熔焊熔深的实时监测或预测提供了理论与实验依据.     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

基于DRFM的脉冲多普勒雷达组合干扰及其效能评估

脉冲多普勒雷达具有较强的抗干扰能力，对其实施有效干扰有一定的困难。本文仿真研究了两种基于数字射频存储器的脉冲多普勒雷达组合干扰技术，并分别提出了脉冲多普勒雷达压制性干扰和欺骗性干扰的干扰效果度量方法，该方法在具体应用场合更贴近于干扰抗干扰的动态对抗过程。     

任意姿态机载PD雷达三维地杂波算法研究

地海面杂波特性对主要采用下视工作方式的机载脉冲多普勒(PD)雷达具有十分重要的影响.本文在具体分析PD雷达工作体制的基础上,详细研究了载机处于任意飞行姿态下,利用三维数字地形高程图和对应地物散射特征分类,模拟产生多频段多极化雷达距离-多普勒杂波图的方法.仿真结果证明了该算法的有效性.     

高度表宽多普勒频宽回波研究

分析了PD雷达高度表的地回波特性。总结了高度表的工作特征,通过网格映像法借助数字地图思想建立了地面的距离-多普勒关系。考虑回波的影响因素,如散射系数、天线模型等,通过Matlab建模仿真分析了高度表回波的时域和频域特征。研究结果对研制和地面测试弹载雷达高度表提供了技术支持。     

PD SOI MOSFET低频噪声研究进展

随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大.研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素.最后指出,可以通过添加体接触或将PD SOI器件改进为双栅结构,达到有效抑制低频过冲噪声的目的.     

不同工艺条件下TiO2单层膜的吸收和损伤阈值测试

利用电子束热蒸发技术在不同氧分压和烘烤温度下镀制了一系列TiO2单层膜,采用表面热透镜技术测量了样品在1064nm处的弱吸收值,并用激光损伤测试平台测量了样品的抗激光损伤阈值(LIDT)特性。实验结果表明较高的氧分压和较低的烘烤温度能显著减小薄膜的吸收值。不过薄膜在基频下的损伤阈值除了受到薄膜吸收值的影响外,还取决于基底表面的杂质密度,当薄膜吸收较大时,本征吸收对损伤破坏起到主要作用;随着薄膜的吸收逐渐减小,基底表面处的缺陷吸收逐渐取代本征吸收成为影响薄膜损伤阈值的主导因素。     

传感器部分失效的网络控制系统H_∞容错控制

针对存在固定时滞和外部扰动的网络控制系统,建立了其传感器部分失效的控制输入数学模型。为了降低对于网络传输的要求,采用状态增广以克服时滞对网络控制系统分析的影响。通过构造适当的Lyapunov函数,并运用H∞控制理论和线性矩阵不等式方法(LMI),导出了网络控制系统H∞容错控制器存在的条件及具体方法。最后通过一个仿真算例证明了方法的可行性和有效性。