全文获取类型
收费全文 | 16417篇 |
免费 | 1792篇 |
国内免费 | 1577篇 |
专业分类
电工技术 | 4020篇 |
综合类 | 1393篇 |
化学工业 | 2010篇 |
金属工艺 | 906篇 |
机械仪表 | 886篇 |
建筑科学 | 766篇 |
矿业工程 | 417篇 |
能源动力 | 737篇 |
轻工业 | 930篇 |
水利工程 | 1497篇 |
石油天然气 | 453篇 |
武器工业 | 110篇 |
无线电 | 1428篇 |
一般工业技术 | 1264篇 |
冶金工业 | 612篇 |
原子能技术 | 638篇 |
自动化技术 | 1719篇 |
出版年
2024年 | 66篇 |
2023年 | 234篇 |
2022年 | 486篇 |
2021年 | 516篇 |
2020年 | 577篇 |
2019年 | 513篇 |
2018年 | 471篇 |
2017年 | 623篇 |
2016年 | 663篇 |
2015年 | 684篇 |
2014年 | 1027篇 |
2013年 | 1023篇 |
2012年 | 1242篇 |
2011年 | 1272篇 |
2010年 | 886篇 |
2009年 | 956篇 |
2008年 | 1029篇 |
2007年 | 1133篇 |
2006年 | 1027篇 |
2005年 | 878篇 |
2004年 | 765篇 |
2003年 | 614篇 |
2002年 | 519篇 |
2001年 | 474篇 |
2000年 | 363篇 |
1999年 | 330篇 |
1998年 | 244篇 |
1997年 | 215篇 |
1996年 | 158篇 |
1995年 | 171篇 |
1994年 | 121篇 |
1993年 | 106篇 |
1992年 | 90篇 |
1991年 | 66篇 |
1990年 | 46篇 |
1989年 | 38篇 |
1988年 | 23篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 16篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 11篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 6篇 |
1978年 | 5篇 |
1977年 | 7篇 |
1960年 | 2篇 |
1951年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
介绍了-48V直流电源系统中是电压设置的基本原则,详细论述了三类通讯局(站)的电池放电终止电压的设置方法,以及高压告警点和低压告警点的设置方法。 相似文献
93.
94.
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小. 相似文献
95.
基于DRFM的脉冲多普勒雷达组合干扰及其效能评估 总被引:2,自引:0,他引:2
脉冲多普勒雷达具有较强的抗干扰能力,对其实施有效干扰有一定的困难。本文仿真研究了两种基于数字射频存储器的脉冲多普勒雷达组合干扰技术,并分别提出了脉冲多普勒雷达压制性干扰和欺骗性干扰的干扰效果度量方法,该方法在具体应用场合更贴近于干扰抗干扰的动态对抗过程。 相似文献
96.
97.
98.
99.
利用电子束热蒸发技术在不同氧分压和烘烤温度下镀制了一系列TiO2单层膜,采用表面热透镜技术测量了样品在1064nm处的弱吸收值,并用激光损伤测试平台测量了样品的抗激光损伤阈值(LIDT)特性。实验结果表明较高的氧分压和较低的烘烤温度能显著减小薄膜的吸收值。不过薄膜在基频下的损伤阈值除了受到薄膜吸收值的影响外,还取决于基底表面的杂质密度,当薄膜吸收较大时,本征吸收对损伤破坏起到主要作用;随着薄膜的吸收逐渐减小,基底表面处的缺陷吸收逐渐取代本征吸收成为影响薄膜损伤阈值的主导因素。 相似文献
100.