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51.
雷达天线座水平误差的一种测量方法 总被引:2,自引:0,他引:2
对雷达设备安装过程中,天线座水平精度的保证及其测量方法加以讨论。从雷达天线座水平误差的计算分析、水平误差的测量和调整方法以及具体的实例来说明雷达天线座水平精度的保证方法和测量、调整、再测量的天线座水平误差的标定过程。 相似文献
52.
53.
54.
钻孔扩底桩原型对比试验研究 总被引:1,自引:1,他引:1
为选择合理的桩基础形式,结合静荷载试验对一大型建筑场地同一地质条件下相同桩径的钻孔扩底桩和不扩底桩进行桩身轴力和桩侧阻力测试,以确定单桩竖向承载力设计参数。通过对测试资料的分析,对比两种桩型桩身轴力、桩侧摩阻力以及桩端阻力分布特征,探讨两种桩桩侧摩阻力、桩端阻力的发挥过程,研究两种桩荷载-沉降特性。研究结果表明,扩底桩能够充分发挥持力层的承载潜力,对提高单桩承载力、减小桩体沉降效果显著。 相似文献
55.
某桥梁工程预应力箱梁现场制作方案探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
结合工程实例,对预制场的场地建设进行了简单介绍,对预应力箱梁预制的全过程进行了详细探讨,最后得出了该实施方案效果良好,可推广使用的结论,可供类似工程借鉴。 相似文献
56.
57.
58.
弹性支承有间隙的多转子系统的动力特性 总被引:2,自引:0,他引:2
用近代非线性动力学理论分析了弹性支承有间隙的非线性刚性多转子系统的复杂运动。用数值方法得到系统在某些参数区域内的轴心轨迹图,Poincare映射图和分岔图等。以转子转速,刚度,阻尼,或轴承间隙等为控制参数讨论了进出混沌区的不同路径和系统各种形式的倍周期,拟周期和混沌运动。分析结果为定性地改善转子系统的稳定运动状态提供了理论依据。 相似文献
59.
松动碰摩转子轴承系统周期运动稳定性研究 总被引:8,自引:0,他引:8
根据松动碰摩耦合故障转子轴承系统的非线性动力学方程,利用求解非线性非自治系统周期解的延拓打靶方法,对系统周期运动的稳定性及其失稳规律进行了研究,得到了系统在不平衡量-转速、碰摩间隙-转速等参数域内的分岔集。分析表明:在较大和较小的不平衡量下,系统的周期运动分别以Hopf分岔形式和倍周期分岔形式失稳;耦合故障转子轴承系统表现出与碰摩转子轴承系统相似的分岔失稳规律;随着系统动静件之间的碰摩间隙减小,系统的Hopf分岔集区间变大而且失稳转速降低。该结论可以为转子系统的故障诊断、安全稳定运行及振动控制提供理论依据。 相似文献
60.
Yang Y Hwang Y Cho HA Song JH Park SJ Rogers JA Ko HC 《Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)》2011,7(4):484-491
The ability to create and manipulate large arrays of inorganic semiconductor micro/nanostructures for integration on unconventional substrates provides new possibilities in device engineering. Here, simple methods are described for the preparation of structures of single crystalline silicon in suspended and tethered configurations that facilitate their deterministic assembly using transfer-printing techniques. Diverse shapes (e.g., straight or curved edges), thicknesses (between 55 nm and 3 μm), and sizes (areas of 4000 μm(2) to 117 mm(2) ) of structures in varied layouts (regular or irregular arrays, with dense or sparse coverages) can be achieved, using either flat or cylindrical roller-type stamps. To demonstrate the technique, printing with 100% yield onto curved, rigid supports of glass and ceramics and onto thin sheets of plastic is shown. The fabrication of a printed array of silicon p(+) -i-n(+) junction photodiodes on plastic is representative of device-printing capabilities. 相似文献