量子阱红外探测器能带结构的计算

利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应，计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构，并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K-P模型比较发现，本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下，用两种方法计算得到的AlGaAs／GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明，在较宽的范围内，本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。     

L波段窄脉宽500W固态功放组件的设计

介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。     

高速并行调制解调器中差错控制方法

本文简单介绍了适合高速并行调制解调器中差错控制的Reed-Solomon编码，提出了适合DSP软件实现的一整套的RS码的编码、译码实用方法，并对该编、译码法采用数字信号处理器TMS320C5410b进行仿真，对其性能与传统方法进行了对比。     

一种确定高窄带滤光片峰值波长的方法

本文介绍一种主动式高窄带滤光片峰值波长的测量方法。该方法可以有效的测量出窄带滤光片的敏感波长，而不需要太复杂的设备。通过染料激光谐振腔的模式竞争，可以测量出滤光片的透射或反射波的波长。     

二维介质PBG结构的工程设计

针对介质材料中按二维菱形周期排列空气圆孔的PBG结构，采用平面波展开法结合迭代技术的理论分析程序，对结构尺寸与介质参数的不同组合进行了批量计算，根据对计算结果的分析，归纳出阻带范围与结构参数之间的函数关系，经数据拟合得出一组准确而快捷的工程设计公式，还给出了根据预期的阻带范围设计PBG结构参数的简明步骤，实例验证了该组公式的实用性。     

紧凑型FLC光纤PDL模块

描述了紧凑型FLC（铁电液晶）光纤PDL（光子延迟线）模块的结构和运转特性；分析了插入损失；提出多信道运转时依赖于波长的设计方案。     

用各向异性介质构造的一维光子晶体的特性分析

本文根据单轴晶体的传输矩阵，研究了一种由各向异性介质周期排列构成的一维光子晶体，分析了在不同入射角度和折射率条件下，该周期结构的反射和偏振的光学特性。分析结果表明，各向异性介质在折射率比值较大或与高折射率同性介绍结合使用，可获得较宽的禁带，并可实现在可见光范围内的全偏振全角度反射。     

利用最小熵法预测高频拓宽频带

本根据最小熵观点给出了预测高频成分拓宽频带的方法，实际效果表明，该方法是一种拓宽频带的有效方法。     

Chemistry and Physics of Alkali Metals on MoS2 Surfaces

The interaction of alkali metal with surfaces has been of great interest to the community of catalysis since alkali metal can play an important role as a promoter. On alkali-doped MoS₂, such a promotion effect of alkali metal has been exemplified in the direct synthesis of linear alcohols from CO and H₂, where the alkali-doping switches the catalyst selectivity from methanation to alcohol synthesis. This paper reviews recent high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy experiments that have provided direct observation of electron transfer from alkali metals to a model single crystal MoS₂ and the capture of the supra-valence electrons in the subsequent oxidation reactions.     

A One‐Kilobit PQR‐CMOS Smart Pixel Array

The photonic quantum ring (PQR) laser is a three dimensional whispering gallery (WG) mode laser and has anomalous quantum wire properties, such as microampere to nanoampere range threshold currents and √T‐dependent thermal red shifts. We observed uniform bottom emissions from a 1‐kb smart pixel chip of a 32×32 InGaAs PQR laser array flip‐chip bonded to a 0.35 µm CMOS‐based PQR laser driver. The PQR‐CMOS smart pixel array, now operating at 30 MHz, will be improved to the GHz frequency range through device and circuit optimization.