"动中通"变极化系统研究

根据任意极化波可由空间两个正交的线极化波合成的理论,提出了一种终端电控变极化的方案,通过控制两个正交线极化波的幅度和相位,可以获得任意取向线极化波,可实时对极化角进行稳定性处理,有效解决移动通信中的极化失配现象,改善通信质量。     

大功率半导体激光列阵单光纤耦合技术

利用阶梯反射镜整形技术和偏振合束及波长合束技术成功将两只波长为808nm和两只波长为980nm的40W大功率半导体激光器光束进行混合,最后得到输出功率为95.8W、耦合效率为60%的双波长大功率半导体激光列阵单光纤耦合模块,光纤芯径为400μm,数值孔径为0.22.     

2.5Gb/s 0.18μm CMOS时钟数据恢复电路

采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一个全集成的2.5Gb/s时钟数据恢复电路.时钟恢复由一个锁相环实现.通过使用一个动态的鉴频鉴相器,优化了相位噪声性能.恢复出2.5GHz时钟信号的均方抖动为2.4ps,单边带相位噪声在10kHz频偏处为-111dBc/Hz.恢复出2.5Gb/s数据的均方抖动为3.3ps.芯片的功耗仅为120mW.     

过零率检测算法在空中目标探测中的性能分析

空中目标声信号检测器是声探测系统中的重要组成部分，随着现代战场环境的日趋复杂化，被动声信号检测器以其自身独特的优势越来越受到人们的币观。文中提出了将语音信号检测中的过零率检测算法用于空中目标检测中的方法，并同传统的能量检测算法相比较。通过计算机仿真试验，结果表明过零率检测算法不但具有算法简单、运算时间短的特点．而且其稳定性比能量检测算法要好，具有一定的识别空中目标的能力。     

Comparison Between NIST and AF Laser Energy Standards Using High Power Lasers

We report the results of a high-energy laser calorimeter comparison conducted by the National Institute of Standards and Technology (NIST), Boulder, Colorado and the U.S. Air Force Primary Standards laboratory (AFPSL), Heath, Ohio. A laser power meter, used as a transfer standard, was calibrated at each laboratory, sequentially, and the measurement results were compared. These measurements were performed at a nominal power of 800 W and a wavelength of 10.6 μm using CO₂ lasers. Excellent measurement agreement (1.02 %) was demonstrated, which was well within each of the expanded uncertainties from the two laboratories involved in this comparison.     

室内MIMO系统采用极化分集时的信道容量

典型的室内传播信道为莱斯衰落信道,可将其分解为LOS传播信道和散射信道.本文假设散射信道为瑞利衰落信道,并根据天线的极化特性,给出了存在极化分集时的LOS传播信道.基于此,本文提出了室内MIMO系统采用极化分集时的信道模型.研究表明:极化分集可以有效提高MIMO信道容量.     

界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.     

高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。     

A physics‐based model of DC and microwave characteristics of GaN/AlGaN HEMTs

A physics‐based model of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is developed for the analysis of DC and microwave characteristics. Large‐ and small‐signal parameters are calculated for a given device dimensions and operating conditions. Spontaneous and piezoelectric polarizations at the heterointerface and finite effective width of the 2DEG gas have been incorporated in the analysis. The model predicts a maximum drain current of 523 mA/mm and transconductance of 138 mS/mm for a 1 μm × 75 μm device, which are in agreement with the experimental data. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2007.     

线偏振光反射时的偏振态分析

激光是一种目前广泛使用的优质光源,而激光基本上是线偏振光,因此研究线偏振光反射时的偏振态便显得十分重要.利用菲涅尔公式讨论了几种不同界面上线偏振光反射时的偏振态,分析了振动方位角的变化情况.