CO_2激光对兔脑组织血脑屏障的影响

同等功率和照射时间条件下,在14只家兔大脑皮质运用伊文思蓝染料和超微结构观察方法进行血脑屏障改变的研究。结果表明:CO_2激光作用十分表浅,且激光作用后的水肿层血脑屏障改变是可逆的。     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究

用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下，面积为３１４×１０４μｍ２，厚度为０３５μｍ的电容器，电容约为５６０ｐＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。     

YAG激光熔覆的研究现状与发展趋势

本文介绍了YAG激光熔覆的特点，并与CO2激光进行了比较，显示了YAG激光熔覆的优势和潜力。叙述了YAG激光熔覆的研究进展及其应用前景。     

Growth,characterization and electrical anisotropy in GaTe—a natural semiconducting superlattice

GaTe is a III–VI semiconductor which has layered structure with large anisotropy in electrical properties. Growth of single crystals by the Bridgman technique permitted the measurement of thermoelectric power in orthogonal directions from which the anisotropy of hole effective masses were determined for the first time. From resistivity and Hall effect measurements the carrier activation energies and scattering mechanisms between 10–300°K were found. Study of the temperature dependence of conductivity revealed a variety of conduction mechanisms including weak localization below 20°K, hopping conduction between 20–50 K and band conduction in and across the layer planes atT>70 K. Weak localization was confirmed through observation of negative magnetoresistance. TheI–V characteristics showed quantized behaviour due to tunneling across potential barriers, which may be due to stacking faults between layer planes as observed by TEM studies.     

激光干涉环圆心位置测定技术及应用

本文利用在平面内绕定轴旋转的线阵ＣＣＤ及微机系统自动测定激光干涉环圆心位置及应用于激光外径千分尺平行度检查仪平行度检查结果的自动数字化输出。     

透同光路指示光的CO_2激光器

报导封离型可透同光路指示光的ＣＯ２激光器的研制，并给出了其电流—工作特性曲线。对需可见光作同光路指示的ＣＯ２激光应用整机的开发，开辟了一条新的途径。     

溴化亚铜脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣临床研究

用ＣｕＢｒ脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣８例２１个区域，其中１１个区红色完全褪去，７个区残留少量浅色，３个区红色明显褪去，２０个区域无疤痕形成。     

原子印章YAG激光雕刻机的研究

本文阐述了原子印章ＹＡＧ脉冲激光雕刻机的工作原理，详细介绍了整机结构特点，以及激光器参数、工艺参数和计算机排版软件功能，并简述了激光进行原子印章雕刻时的作用机理，和激光特性参数、印章材料及计算机软件等因素对印章雕刻效果的相应影响。     

准分子激光的应用

本文介绍了准分子激光器的基本类型、主要应用领域及其与材料相互作用的机理。对准分子激光在电子工业、生物医学和材料加工方面的一些重要应用做了比较详细的论述。     

高质量的一级光栅1．55μmDFB激光器

本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—ＬＤ）。外延片成品率＞４０％。器件特性：２５℃时阈值电流２０ｍＡ，单面光功率＞１０ｍｗ，主边模抑制比ＳＭＳＲ达４３ｄＢ（λ／４相移光栅），谱线宽度△ν－２０ｄＢ＝０．３ｎｍ，调制速率＞１．８ＧＨｚ。可靠性测试显示：高温监测光谱稳定，２５°Ｃ时阈值退化率△Ｉｔｈ／ｔ＜０．３ｍＡ／ｋｈ，对应器件预估寿命将超过１０万ｈ。