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Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性 总被引:5,自引:0,他引:5
Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同,它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0.8at%,分凝系数为0.8,与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0.78相当;用称重法测定其密度为5.00g/cm^3;用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12.5W/mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。 相似文献
44.
从稳态到动态的空气调节 总被引:1,自引:0,他引:1
分析传统空调所提供的稳态参数微气候环境不一定能达到人的舒适和健康的要求,提出符合人本身生理习惯的空调送风方式应该是动态空气调节.认为个人可调节和适宜的环境渐变能同时保证舒适和健康两方面需要. 相似文献
45.
水溶液全循环法尿素装置中压分解"三种工艺"的比较 总被引:1,自引:0,他引:1
以生产数据结合理论计算的方法系统地比较、分析了水溶液全循环法尿素装置中中压分解“三种工艺”的热能利用、甲铵分解率、总氨蒸出率、水平衡量、一分加热器生产能力等方面的情况,提出应用和配置预分离-预蒸馏工艺的方法,评论该工艺在水溶液全循环法中的地位和作用。 相似文献
46.
Polyaryloxydiphenylsilanes were prepared from phosphorus‐containing diols and diphenydichlorolsilane through solution polymerization. With a stoichiometric imbalance in feed monomers, the resulting polymers exhibited moderate melting points and good processing properties. The polymers prepared showed initial decomposition temperatures above 340 °C, excellent thermal stability, high char yields at 850 °C and very high limited oxygen index values of 56–59. The polymers' char yields and their (P + Si) contents showed linear relationships. © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
47.
Thermodynamic and Transport Properties of Liquid HFC-227ea 总被引:1,自引:0,他引:1
The thermal conductivity and heat capacity of liquid 1,1,1,2,3,3,3-hepta-fluoropropane (HFC-227ea) have been studied by a high-frequency thermal-wave method over the temperature range of 294 to 345 K at pressures up to 2.8 MPa. The purity of the samples used throughout the measurements is 99.99 mol%. The experimental uncertainties of the thermal conductivity and heat capacity measurements were estimated to be within ±1.5 and ±2%, respectively. The thermal conductivity of HFC-227ea in the liquid phase decreases as temperature increases, while the pressure has an opposite effect. 相似文献
48.
杨开国 《制冷空调与电力机械》2003,24(3):64-67
分析了CFH-Ⅱ型翻车机传动齿轮轴承座的座脚螺栓组联接失效(松动)的原因,得出控制和保证合适的螺栓组联接预紧力是防止螺栓联接失效(松动)的关键;依据现场条件,对座脚螺栓进行了设计改进;提出了一种适合现场使用的螺栓预热伸长的装配方法,经实践验证此法是简单可靠的装配方法。 相似文献
49.
Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
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