幅频特性的数学分析

根据数控装置检测系统中传感器信号电路工作要求,以共射电压放大电路为例,分别考虑耦合电容、旁路电容、结间电容和分布电容对不同信号频率的作用,分析了电路的低频特性和高频特性,给出了上下限截止频率的解析式.由此得出,电路其他参数一定时,在低频段,下限截止频率与耦合电容、旁路电容成反比,在高频段,上限截止频率与等效输入输出电容成反比,从而为传感器系统设计提供理论依据.     

Electrical characterization of homoepitaxial diamond p–n junction

Electrical properties of homoepitaxial diamond p–n⁺ junction of boron (B)-doped p-type layer and phosphorus-doped n-type layer on Ib (111) diamond single crystal have been characterized. Current–voltage characteristics show a clear rectifying property with rectification ratio of over 10⁵ at ± 10 V. From capacitance–voltage characteristics, it is found that a spatial distribution of space-charge density N_i of the p–n⁺ junction is not uniform and N_i at a middle region of the space-charge layer formed at zero bias voltage is higher than that of other region of the space-charge layer. This peculiar characteristic can be explained by superposition of two effects; one is the deep dopant effect due to B atoms in the p-type layer, which makes to reduce N_i at around the edge of the space-charge layer formed at zero bias voltage. The other is the compensation of B acceptors by impurity atoms diffusing during the p–n⁺ interface and incorporating during the growth of p-type layer, which makes to reduce N_i at the vicinity of the p–n⁺ interface.     

化学气相沉积铜薄膜研究进展

本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。     

Evolution of grain structure in thin film reactions

In this paper, we examine, both experimentally and theoretically, the kinetics of formation and microstructure of product phases in thin film reactions, using the Nb/Al and Ti/Al systems as our prototypes. The results of calorimetry and microscopy studies are interpreted using simple kinetic and morphology models. In particular, the kinetic models employed here focus on the nucleation and growth components of the phase formation process and the morphology models provide a starting point for the classification of product grain structures. An erratum to this article is available at .     

两相邻边固定另两边任意支承矩形厚板问题

在Ｒｅｉｓｓｎｅｒ厚板理论中，利用分离变量法得到挠度函数Ｗ（ｘ，ｙ）和应力函数ψ（ｘ，ｙ）的解。在这些解中．选择一些三角级数和多项式作为该问题的挠度函数Ｗ（ｘ，ｙ）和应力函数ψ（ｘ，ｙ），从而得到了两相邻边固定另两边任意支承矩形厚板弯曲问题的精确解．这里不需要繁琐地叠加．     

溅射——气体——聚集共沉积法制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜

提出了溅射－气体－聚集共沉积制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ及ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明，样品中Ｆｅ（Ｃｕ）团簇都较好地镶嵌于Ａｇ（ＣａＦ２）基质中，其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现，与块材相比，Ｆｅ／Ａｇ样品中Ｆｅ团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩，而Ｃｕ／ＣａＦ２样品中Ｃｕ团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。     

粉尘薄膜爆轰

与普通爆轰不同，粉尘薄膜爆轰波前氧化剂与燃料处于分离状态．由于激波作用下壁面燃料的注入才于壁面附近形成燃烧的粉尘云，燃烧释放的热使激波自持形成粉尘薄膜爆轰。本文在长2、8m，横截面20mm×20mm的方型水平激波管中对此类爆轰进行了实验研究．并根据作者建立的模型对其二维结构进行了数值模拟。     

替代进口梳棉机测厚传感器集成电路芯片分立元件的电路设计

介绍了替代进口梳棉机测厚传感器集成电路分立元件的电路图，工作原理及特点。一年多的实际运行证明，电路参数达到了设计要求。     

一种带容性合并电路的外斜连MHD发电机

本文研究了有新颖容性合并电路的MHD发电机在法拉第联接下输出特性,指出由于新颖容性合并电路具有工作点可调性,在合理的参数匹配下有平稳的输出特性;从而提出了含补偿电源的容性合并电路和MHD发电机外斜连方案。该方案具有斜连发电机的特征,又具有法拉第发电机高焓取出的优点,而且可减小阴极导电渣对发电机寿命的影响,是一种有发展前景的功率调节器方案。     

基于CF的全集成MOSFET—C六阶低通滤波器的仿真分析

本文提出了以电流跟随器ＣＦ为基本电路元件的全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间六阶低通滤波器电路，并应用ＰＳＰＩＣＥ－Ⅱ通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了实用的结论。