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81.
一类有理三次样条的区域控制和逼近性质 总被引:6,自引:0,他引:6
对一类分母为二次的有理三次插值样条曲线的区域控制问题进行了研究 ,给出了将其约束于给定区域的充分条件及充分必要条件 ,然后给出了当被插值函数为一阶连续时插值函数的逼近性质 . 相似文献
82.
基于服从指数分布的独立随机变量序列,构造带参数的滑动似然比,给出任意随机序列的用不等式表示的强极限定理,即小偏差定理。所得结果推广了已有结论。 相似文献
83.
机器人末端执行器准确到达预先指定位姿的能力是其重要的技术指标之一,而机器人位姿误差校正补偿技术正是提高机器人位姿精度的有效方法.本文采用机器人位姿误差局部校正方法,建立了机器人工作空间位姿转换矩阵及误差模型.以AdeptOne机器人为对象,利用光电检测手段,自行设计研 相似文献
84.
本文提出用有限元方法和按距离加权平均法数值构造地震形变力场,比较了这两种方法的优点和存在的主要问题,并结合计算机口形学的技术描述组成具体实用的系统. 相似文献
85.
86.
采用液相法,以Pd粉为原料,分别用HCHO,HCOOM,C2H4H2O作还原剂,把钯还原成纳米粉末。通过控制反应体系的pH值、浓度、温度及还原剂的种类和还原时间来控制粉末的粒径大小及其分布.实验结果表明:利用本法制备的Pd粉粒径在9 nm~20 nm,粒度分布均匀而且重现性好,适用于制造钯银导体浆料. 相似文献
87.
750 kV CVT现场检验误差影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高采用比较法进行750 kV CVT现场误差检验的准确性,通过大量的出厂试验与现场检验数据的对比,对检测数据进行统计分析,首次全面系统地分析了750 kV CVT现场检验的误差影响因素,归纳出750 kV CVT现场检验误差的主要影响因素,计算出了各主要影响因素对750 kV CVT比值差和相位差的影响量,总结出750 kVCVT在不同的影响因素下,其比值差和相位差的变化趋势,对现场检验测试和生产厂家出厂试验提出相应的建议和修正值,从而给同类检验工作提供了现场测试方法和经验数据. 相似文献
88.
对流方程的交替分组显示方法 总被引:5,自引:1,他引:4
提出了求解对流方程初边值问题绝对稳定的二阶精度交替分组显示方法.模型问题的数值结果表明,本方法忧于陈景良和陆金甫的分组显示方法. 相似文献
89.
0 INTRODUCTIONAnewtypeofparallelmachinetoolisthecreativeapplicationofthespatialmulti loopmechanisminthein dustryofmachinetools .Itsprototypeisa 6 6Stewartplatformmechanism .Thetraditionalmachinetools ,duetotheirserialstructure ,exhibitlowstiffnessandpoorma … 相似文献
90.
开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转(MCU)在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转(SBU)和MCU失效率(FIT)。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。 相似文献