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51.
激光技术在医学应用的若干进展   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
钱焕文  单清 《激光技术》1994,18(5):317-320
本文评介激光医学机理、应用和进展,以及发展方向。  相似文献   
52.
由于器件的快速退化,101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制,发现在强电流注入的半导体激光器中,热退化具有重要影响。研究表明,用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金(如ZnMgSSe)只能对ZnSe中的电子有效地限制,无法对空穴很好地限制;而对BeTe,却只能对空穴进行有效的限制,无法对电子很好地限制。这导致ZnSe(或BeTe)活性层空穴(或电子)漏电发热,引起退化。本文提出以ZnSe/BeTe超晶格为蓝绿发光层,并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响,考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。  相似文献   
53.
1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了采用1477nm激光二极管(LD)泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对1520nm的信号光,获得了23dB的增益,泵浦效率为2.28dB/mW。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。  相似文献   
54.
一种新型准分子激光器循环系统中的密封传动技术,具有可耐高气压,不失耦,不使用昂贵强磁材料,结构简单等优点,虽有涡流损失过大之不足,但能很好地适用于小功率下运行。  相似文献   
55.
铯原子激光共振电离   总被引:1,自引:0,他引:1  
用Nd:YAG及其泵浦的染料激光进行铯原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程,计算出基态和激发态共振吸收截面,给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系,得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。  相似文献   
56.
以行波半导体光放大器速度方程为基础,采用传输矩阵方法,对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度,不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明,锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下,长锥形长度能提高饱和增益,降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响,以实现结构优化 。  相似文献   
57.
本文对被动锁模复合环形腔掺饵光纤激光器的自启动工作特性进行了分析,指出谐振腔内残余反射面的存在是阻碍激光器实现自启动锁模的主要原因。利用半导体激光器有源区的折射率随注入电流的变化而改变的特性,在谐振腔中获得了一个可移动腔镜,克服了腔内残余反射面的影响,实现了锁模的自启动。  相似文献   
58.
Nd:碲酸盐玻璃的光谱和激光性质   总被引:2,自引:0,他引:2  
雷宁  徐冰 《无机材料学报》1996,11(4):584-590
对比了各种激光玻璃的光谱性质,指出碲酸盐玻璃是一咱理想的激光介质,并资产在室温下实现了钛宝石激光器泵浦了Nd:碲酸盐块体玻璃的激光发射,激光阈值4.20mJ,斜率效率14.7%。  相似文献   
59.
激光激活化学反应分离同位素反应池参数确定及其影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在气体分子运动论、碰撞理论、流体力学和光化学反应、热化学反应及高斯光束理论基础上建立了位于激光器腔内外的反应池的设计尺寸同各相关参量和同位素产物产率、同位素分离系数间的关系,并给出了一些计算结果。  相似文献   
60.
An experimental way to analyze the thermal characterization of semiconductor lasers based on spectroscopy method under pulse driving conditions has been developed. By using this way the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser diodes have been investigated. Results show that by measuring and analyzing the lasing spectra under appropriate driving parameters and temperature ranges, the thermal resistance of the laser diodes could be deduced easily. A higher thermal resistance of 640 K/W has been measured on a narrow ridge laser chip without soldering. Other thermal and spectral properties of the lasers have also been measured and discussed.  相似文献   
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