La2O3掺杂对SnO2基陶瓷致密化与力学性能的影响

以La2O3作掺杂剂制得SnO2基陶瓷.运用XRD和SEM对SnO2基陶瓷的显微结构进行了表征,并测试了SnO2基陶瓷的体积密度、维式硬度、抗弯强度及断裂韧性.结果表明,在一定的掺杂范围内, La2O3的引入能明显改善SnO2基陶瓷的力学性能.同时,La2O3的加入可促进SnO2晶相的形成和生长,对SnO2基陶瓷的致密化起到了良好的作用.     

纳米二氧化锡粉体常压共沸蒸馏制备及表征

以四氯化锡为原料，以氨水为沉淀剂，采用溶胶-凝胶法在四氯化锡溶液浓度为0．2mol／L，终点pH=2．5，反应温度65℃，常压共沸蒸馏脱水后，500℃焙烧3h制备纳米二氧化锡粉体。用BET，FT—IR，TG—DSC。XRD和TEM等进行表征，表明所得的二氧化锡粉末比表面积为42．59m^2／g，最小平均粒径可至7．2nm，且无团聚存在。工艺原料价廉易得，工艺过程相对容易控制，设备简单，制得产品粒径小、均匀，环境污染小。     

导电PMMA/ATO纳米复合材料的制备及性能

以掺锑二氧化锡(ATO)粉为导电填料,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基体,采用原位聚合法制备了导电PMMA/ATO纳米复合材料;分析了ATO粉的预处理对复合材料导电性能的影响,并对其热性能和力学性能进行了研究。结果表明,延长球磨时间,可大幅度降低复合材料的体积电阻率;ATO纳米粒子的加入使PMMA主分解温度范围变窄,残余量增大,热稳定性提高;随着纳米粒子含量的增加,复合材料的储能模量提高,玻璃化温度降低。第二分相促使ATO颗粒在基体中形成明显的导电网络结构,使导电性能得到进一步提高。     

均匀沉淀法制备核-壳型TiO2@SbxSn1-xO2及其导电性能

以尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法包覆改性TiO₂,制备了核壳型TiO₂@Sb_xSn_1-xO₂（ATO）复合导电粉体,利用SEM、EDS、HRTEM、XRD、XPS、顺磁波谱仪（EPR）、FTIR及激光粒度仪（LPSA）等对其进行表征,并对其导电性的主要影响条件进行了研究及分析,提出了均匀沉淀包覆及反应机制。研究表明,反应温度为92℃时,尿素与金属阳离子摩尔比为10∶1的情况下,OH-释放量及释放速率适中,引入SO₄2-作为催化剂,降低金属阳离子成核能垒,且SO₄2-与Cl-最佳摩尔比为1∶25时,所得产品的纳米Sb_xSn_1-xO₂（ATO）壳层在TiO₂表面包覆均匀连续完整,其厚度约为15 nm。当包覆完全时,随着Sb掺杂量增加,复合粉体电阻率降低,Sn与Sb摩尔比达到12∶1时,再增加Sb含量,其电阻率不变。最优制备条件下,复合粉体电阻率值为7.5 Ωcm,导电性能良好。      

SnO2纳米粒子的制备与降解甲醛效果研究

采用了一种新颖而有效的方法制备SnO2纳米粒子：利用氩弧焊电弧形成的高温将反应台上的锡蒸发,在装置的另一端通过高压直流电场收集锡粒子,制得纳米级锡粒子,然后在空气气氛下将纳米锡粒子在800℃～90℃范围内进行热处理,最终得到SnO2纳米粒子。制得的SnO2纳米粒子粒径在50nm左右,且杂质较少。将制得的SnO2纳米粒子...     

掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析

运用卢瑟福背散射(RBS)和二次离子质谱(SIMS)技术相结合测量了SnO_2透明导电膜的密度和膜厚,对于常压CVD法制备的SnO_2薄膜密度约为6.20g/cm~3,接近相应块状材料的密度。采用~(19)F(p,αγ)~(16)O共振核反应技术测量了用于非晶硅太阳能电池电极的大面积掺氟SnO_2(FTO)中氟的含量和深度分布以及50—180keV的~(19)F~+离子注入SnO_2膜中氟离子的射程分布参数。结果表明,FTO膜中氟元素的含量和深度分布并不是均匀的,而是在0.6×10~(20)—6.O×10~(20)/cm~3间波动;50—180keV的~(19)F~+离子注入SnO_2膜中氟离子的平均投影射程(R_P)值与理论计算结果符合得很好,而平均投影射程标准偏差(ΔR_P)值则比理论值偏大。     

纳米SnO2和SnO2／SiO2材料的正电子湮没研究

采用溶胶一凝胶法制备了纯纳米ＳｎＯ２和掺杂ＳｉＯ２的纳米ＳｎＯ２材料，应用Ｘ射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段进行了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程，结果表明，所制备的纳米ＳｎＯ２和ＳｎＯ２／ＳｉＯ２材料中只存在两类缺陷，分别对短寿命τ１和中等寿命τ２，材料中两类缺陷的数量比与粒径有关，纳米ＳｎＯ２晶粒生长随热处理温度升高为分两个阶段，低于晶化临界温度时，晶粒生长缓慢，高于此温度时，则生长迅速     

Sn及其氧化物超微粉的制备与测试

本文采用气体蒸发法制备出粒度不到５ｎｍ的Ｓｎ及其氧化物的超微粉。利用热重，差热分析和Ｘ射线衍射谱等测试方法研究了热处理制度对其粒度，成份和气敏特性的影响，发现了ＳｎＯ２正交相的存在。     

纳米锑掺杂氧化锡导电粉体的快速制备及表征

纳米锑掺杂氧化锡(ATO)以其灵敏度高、色浅透明、耐高温耐腐蚀、机械稳定性好等特点在气敏元件、导电抗静电领域、催化领域等得到了广泛的应用.本实验在共沉淀法的基础上采用特殊的组合添加剂,前驱体不需要干燥直接煅烧20 min就可以得到各项性能良好的ATO粉体,采用粒度分析仪、X衍射仪(XRD)、红外光谱仪、透射电镜(TEM)、微欧测量计等对最终粉体的性能进行了表征.结果表明:相比传统共沉淀法,该法具有快速、高效的特点,在合适添加剂作用下所制备的纳米ATO粉体一次粒径为55 nm,体积电阻率为75.93Ω.cm,晶化完整,纯度高.